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抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究 被引量：1
1
作者 索思卓 库黎明 +5 位作者 黄军辉 葛钟 陈海滨 张国栋 盛方毓 阎志瑞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1084-1087,共4页
抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光... 抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高。从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义。 展开更多
关键词 精抛光 抛光垫 化学机械抛光 HAZE
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注氢硅片中片状缺陷的结构特征及其深度分布的高分辨电镜研究
2
作者 肖清华 屠海令 +1 位作者 邵贝羚 王敬 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期242-246,共5页
离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径。本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了片状缺陷的结构特征,分析了片状缺陷尺寸和间距在纵深方向的变化。实验发现,沿着平行于正表面的(111)片... 离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径。本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了片状缺陷的结构特征,分析了片状缺陷尺寸和间距在纵深方向的变化。实验发现,沿着平行于正表面的(111)片状缺陷是注氢硅中的重要缺陷。片状缺陷的实质是四层晶面的应变,造成晶格膨胀约0 084nm。实验还发现片状缺陷的尺寸和间距随深度变化,在损伤带顶部和中间小,而在损伤带底部附近明显增大。 展开更多
关键词 注氢硅片 离子注入 高分辨电子显微术 片状缺陷 缺陷尺寸
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RPCVD生长SiGe薄膜及其性能研究 被引量：2
3
作者 柳伟达 周旗钢 何自强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期791-793,822,共4页
利用应用材料公司外延设备,在Si（001）衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层。通过X射线衍射和原子力显微镜测试技术,得到了外延层Ge摩尔分数、外延层厚度、生长速率以及表面粗糙度等参数,研究了运用RPCVD方法制备... 利用应用材料公司外延设备,在Si（001）衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层。通过X射线衍射和原子力显微镜测试技术,得到了外延层Ge摩尔分数、外延层厚度、生长速率以及表面粗糙度等参数,研究了运用RPCVD方法制备的应变SiGe外延层的生长特性以及薄膜特性。结果表明,在660℃所生长的薄膜,其XRD图像均出现了Pendelossung条纹,表明薄膜质量较好。Ge摩尔分数高达16.5%。薄膜表面粗糙度RMS在0.3~0.6 nm。 展开更多
关键词 减压化学气相沉淀 锗硅 外延 应变薄膜 表面粗糙度 生长速率
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高温氩退火对提高Si片质量的研究 被引量：1
4
作者 李宗峰 冯泉林 +3 位作者 赵而敬 盛方毓 王磊 李青保 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期302-305,共4页
首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几... 首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几何参数和金属含量也做了测试,发现样品的几何参数和金属含量都没有明显的变化;最后研究了高温退火对MOS电容栅氧化层性能的影响,结果表明退火前后的样品分别制备为MOS电容,利用斜坡电压法来测试其击穿电压。实验发现,Si片经过1 200℃热处理后,MOS电容的击穿电压有了明显的提高,这表明高温退火工艺能够有效提高栅氧化层的性能。 展开更多
关键词 高温氩退火 空洞型微缺陷 栅氧化层完整性 直拉单晶硅 晶体原生粒子缺陷
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重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究
5
作者 曹孜 石宇 +3 位作者 李惠 孙燕 边永智 翟富义 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1178-1182,共5页
采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷。实验表明反应过程中温度控制在25-30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速... 采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷。实验表明反应过程中温度控制在25-30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速度。实验还发现,对于〈100〉重掺样品,使用有搅拌的改良Dash无铬溶液显现的损伤缺陷密度低于有铬择优腐蚀液,而对于〈111〉重掺样品,未见明显差异。最后,探讨了在使用无铬溶液显示重掺Sb晶体缺陷时,缺陷难显现,而且密度低的原因。 展开更多
关键词 重掺硅 单晶 无铬腐蚀 氧化诱生层错 检测
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300mm硅片化学机械抛光技术分析 被引量：18
6
作者 闫志瑞 鲁进军 +2 位作者 李耀东 王继 林霖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期561-564,共4页
化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点... 化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析。 展开更多
关键词 化学机械抛光 超大规模集成电路 硅片 双面抛光
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HF／O_3在300mm硅片清洗中的应用 被引量：11
7
作者 闫志瑞 李俊峰 +2 位作者 刘红艳 张静 李莉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期108-111,共4页
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上... 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上,对新发展的HF／O3槽式清洗法和HF／O3 单片清洗法进行了详细的说明,从而对300mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述。 展开更多
关键词 硅片 RCA清洗 兆声波 HF/O3
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300mm Si片加工及最新发展 被引量：1
8
作者 库黎明 闫志瑞 +1 位作者 索思卓 周旗钢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1153-1156,共4页
65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备。在加工方法上,65 nm线宽用300 mmSi片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是... 65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备。在加工方法上,65 nm线宽用300 mmSi片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是亚表面的损伤层。而对于加工设备,要求更加精密,特别是单面精抛光,在保证去除量的同时还要使Si片表面各点的去除量保持均匀。对目前300 mmSi片的磨削、抛光及清洗的每一道工艺流程,特别是相对于65 nm技术的一些加工流程及方法的最新发展进行了详细的论述,指出了300 mmSi片加工工艺的发展趋势。 展开更多
关键词 300mm Si片 磨削 抛光 清洗
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ZnO空心纳米球的水热合成及其光催化性能表征 被引量：3
9
作者 吴晓 郭希 +1 位作者 孙媛 程凤伶 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1-4,共4页
以简单的无机锌盐、H2O2、氨水和去离子水作为反应前驱物,采用水热法在200℃合成了ZnO空心纳米球。利用XRD、TEM考察了反应时间和反应温度对产物组成及形貌的影响,并探讨了产物的形成机理。光催化性能研究表明,合成的ZnO空心纳米球具有... 以简单的无机锌盐、H2O2、氨水和去离子水作为反应前驱物,采用水热法在200℃合成了ZnO空心纳米球。利用XRD、TEM考察了反应时间和反应温度对产物组成及形貌的影响,并探讨了产物的形成机理。光催化性能研究表明,合成的ZnO空心纳米球具有优异的光催化性能,紫外光照射50min后对罗丹明B的降解率达到90%。 展开更多
关键词 水热合成 ZNO 空心球 光催化
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无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错 被引量：1
10
作者 刘云霞 周旗钢 +3 位作者 孙燕 石宇 曹孜 李惠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期787-790,共4页
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无C... Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件。实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产。 展开更多
关键词 氧化诱生层错 无铬腐蚀液 硅单晶 检测 抛光片
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