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题名大尺寸硅片边缘抛光技术
被引量：1
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作者
李耀东
库黎明
刘斌
王新
郑琪
刘红艳
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机构
北京有色金属研究总院有研半导体材料有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期831-835,共5页
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基金
国家科技重大专项(2010ZX02302-001)
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文摘
重掺衬底硅片在经历高温外延加工过程中,硅片边缘的损伤会在硅片的外延层上形成位错缺陷。对边缘初始状态一致的直径为200 mm硅单晶片进行酸腐蚀、机械抛光、化学机械抛光及机械抛光加化学机械抛光等不同条件下的边缘抛光实验,使用显微镜观察抛光片的边缘形貌,使用三维光学表面分析仪对抛光片的表面粗糙度进行测量,之后对抛光后的样品进行外延加工,对比经过不同加工方式的抛光后硅片边缘损伤的残留程度。结果表明,酸腐蚀能够去除硅片边缘绝大部分的损伤,机械抛光会重新带入机械损伤,机械抛光后再进行化学机械抛光能彻底消除硅片边缘的损伤层,但相对成本较高。化学机械抛光也能够彻底去除硅片边缘的损伤层,是大尺寸衬底硅片边缘抛光的最优加工工艺。
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关键词
硅片
边缘损伤
机械抛光
化学机械抛光(CMP)
外延加工
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Keywords
silicon wafer
edge damage
mechanical polishing
chemical mechanical polishing（CMP）
epitaxial processing
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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