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基于金属氧化物的乙醇检测气敏材料的研究进展被引量：6: 1; 作者张晓徐瑶华 +2 位作者刘皓魏峰苑鹏《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期3207-3226,共20页; 金属氧化物型半导体气体传感器是目前常用的乙醇检测手段,深入研究和改进金属氧化物型半导体材料是提升传感器性能的重要方式。本文首先论述了气敏检测的机理和影响因素,并综述了近年来发展的主要金属氧化物型半导体气敏材料,重点介绍... 展开更多; 关键词金属氧化物型半导体材料乙醇气体氧化微电子学; 在线阅读下载PDF 职称材料

锑化物Ⅱ类超晶格材料外延生长、结构及光学特性研究进展被引量：1: 2; 作者刘胜达房丹 +7 位作者方铉赵鸿滨李承林王登魁王东博王晓华马晓辉魏志鹏《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期165-186,共22页; 近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础。然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿... 展开更多; 关键词锑化物超晶格分子束外延少子寿命; 在线阅读下载PDF 职称材料

面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究被引量：2: 3; 作者曹志军张青竹 +7 位作者吴次南闫江王桂磊李俊杰张兆浩殷华湘余金中李志华《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期121-126,共6页; 针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6%)∶H_2O_2(30%)∶CH_3COOH(99.8%)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米尺度外延堆叠GeSi/Si/GeSi/Si结构释放影响。混合溶液放置时间在48 h内,GeSi层的腐蚀速率会随着溶... 展开更多; 关键词 GESI HF-H2O2-CH3COOH溶液纳米线 CH3COOH; 在线阅读下载PDF 职称材料

应用于堆叠纳米线MOS器件的STI工艺优化研究: 4; 作者徐忍忍张青竹 +6 位作者姚佳欣白国斌熊文娟顾杰殷华湘吴次南屠海令《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期65-70,共6页; 在传统Fin FET集成工艺上,通过Ge Si/Si叠层量子阱结构外延生长再形成堆叠纳米线MOS场效应晶体管的方案,是实现5 nm及其以下CMOS集成电路工艺技术最具可能的器件方案。由于Ge元素在该技术中的引入,导致器件工艺中的浅沟槽隔离(STI)工艺... 展开更多; 关键词 SIO2 HF溶液腐蚀高深宽比工艺浅沟槽隔离; 在线阅读下载PDF 职称材料

烷基链工程对两亲有机半导体热力学性能影响的研究: 5; 作者李明亮李硕 +1 位作者王国治郭雪峰《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第11期56-63,共8页; 由于特殊的分子结构,两亲功能分子具有易加工、低成本和高性能等优势,因而广泛应用于功能薄膜材料制备和细胞膜相关的仿生学研究中。于是课题基于侧链工程,设计并合成了一类功能两亲分子Cn PA-BTBT (n=3–11),分子使用不同长度烷基链连... 展开更多; 关键词功能两亲半导体材料烷基链工程热力学 DSC; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于金属氧化物的乙醇检测气敏材料的研究进展被引量：6: 1; 作者张晓徐瑶华刘皓魏峰苑鹏; 机构北京有色金属研究总院智能传感功能材料国家重点实验室; 出处《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期3207-3226,共20页; 文摘金属氧化物型半导体气体传感器是目前常用的乙醇检测手段,深入研究和改进金属氧化物型半导体材料是提升传感器性能的重要方式。本文首先论述了气敏检测的机理和影响因素,并综述了近年来发展的主要金属氧化物型半导体气敏材料,重点介绍了不同微观结构的Co3O4、ZnO、SnO2及掺杂金属氧化物材料、氧化物异质结等的研究和发展情况,对它们的合成方法、结构特点以及结构与乙醇气敏性能之间的关系进行了探讨。分析表明,减小材料颗粒尺寸、构建大比表面积多孔结构、掺杂和复合改性,是提升金属氧化物材料气敏性能的有效措施。此外,基于传感器微小化的趋势,以微机电系统(MEMS)工艺为基础的微型传感器成为气体传感器的发展趋势。然而,目前针对金属氧化物气敏材料的制备依然缺乏一定的理论指导,气体检测缺乏相应的机理研究,亟需物理、化学、材料等多学科的相互结合,促进乙醇等半导体气体传感器的进一步发展。; 关键词金属氧化物型半导体材料乙醇气体氧化微电子学; Keywords metal oxide semiconductor materials ethanol gas oxidation microelectronics; 分类号 O643.3 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名锑化物Ⅱ类超晶格材料外延生长、结构及光学特性研究进展被引量：1: 2; 作者刘胜达房丹方铉赵鸿滨李承林王登魁王东博王晓华马晓辉魏志鹏; 机构长春理工大学理学院高功率半导体激光国家重点实验室香港中文大学(深圳)理工学院北京有色金属研究总院智能传感功能材料国家重点实验室哈尔滨工业大学材料科学与工程学院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期165-186,共22页; 基金国家自然科学基金(62704018,61574022,61674021,12074045,11674038,61704011) 吉林省科技发展计划(20200301052RQ,20180519017JH,20180520177JH) +2 种基金广东省自然科学基金(2020A1515010868)资助项目。; 文摘近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础。然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿命过短,严重影响了光电子器件性能的提升,因此设计并生长具有长少子寿命的新材料体系超晶格材料具有重要的研究意义。本文对现阶段锑化物Ⅱ类超晶格材料的各类材料体系进行了总结和分析,着重强调了各类材料体系的外延生长条件、结构及光学特性等方面的研究进展,并对锑化物Ⅱ类超晶格材料今后的发展进行了展望。; 关键词锑化物超晶格分子束外延少子寿命; Keywords antimonide superlattice molecular beam epitaxy minor carrier lifetime; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究被引量：2: 3; 作者曹志军张青竹吴次南闫江王桂磊李俊杰张兆浩殷华湘余金中李志华; 机构贵州大学大数据与信息工程学院中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京有色金属研究总院智能传感功能材料国家重点实验室北方工业大学电子信息工程学院中国科学院大学; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期121-126,共6页; 基金 02重大科技专项(No.2013ZX02303007,2013ZX02303001) 国家重点研发计划(No.2016YFA0301701); 文摘针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6%)∶H_2O_2(30%)∶CH_3COOH(99.8%)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米尺度外延堆叠GeSi/Si/GeSi/Si结构释放影响。混合溶液放置时间在48 h内,GeSi层的腐蚀速率会随着溶液的放置时间的增加而变大,48 h后腐蚀速率趋于稳定。另外,在厚度相同的情况下,Ge Si层的腐蚀速率会随着Ge含量的增加而变大。本文实现了腐蚀纳米尺度GeSi的同时没有对Si造成损伤,对于厚度为31.3 nm的GeSi层,腐蚀的深宽比达到了17∶1,而且没有出现倒塌现象。该湿法腐蚀工艺对于5 nm及以下技术代堆叠纳米线制造、SON结构、新型MEMS和传感器件制造等具有一定的借鉴和指导意义。; 关键词 GESI HF-H2O2-CH3COOH溶液纳米线 CH3COOH; Keywords GeSi,The HF-H2O2-CH3COOH system, Nanowires, CH3COOH; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用于堆叠纳米线MOS器件的STI工艺优化研究: 4; 作者徐忍忍张青竹姚佳欣白国斌熊文娟顾杰殷华湘吴次南屠海令; 机构贵州大学大数据与信息工程学院中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京有色金属研究总院智能传感功能材料国家重点实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期65-70,共6页; 文摘在传统Fin FET集成工艺上,通过Ge Si/Si叠层量子阱结构外延生长再形成堆叠纳米线MOS场效应晶体管的方案,是实现5 nm及其以下CMOS集成电路工艺技术最具可能的器件方案。由于Ge元素在该技术中的引入,导致器件工艺中的浅沟槽隔离(STI)工艺部分产生严重的低温高深宽比工艺(HARP) SiO_2腐蚀速率控制问题。本文针对堆叠纳米线MOS器件STI工艺中的低温HARP SiO_2回刻腐蚀速率调节与均匀性控制问题,进行了全面的实验研究。实验中使用HF溶液对不同工艺条件下的HARP SiO_2进行回刻腐蚀,并对其腐蚀速率变化进行了详细研究,具体包括不同退火时长以及相同退火温度不同厚度HARP SiO_2位置处的腐蚀速率。通过实验结果发现,在退火温度相同的情况下,随着退火时长的增加,SiO_2腐蚀速率逐渐变小;而对于同一氧化层来说,即使退火条件相同,SiO_2不同厚度位置处的腐蚀速率表现也不同,即顶部的速率最大,而底部则最小。由此可以看出,随着退火时长的增加,低温HARP SiO_2腐蚀速率逐渐减小,并且对STI具有深度依赖性。该实验结果对成功制作5 nm技术代以下堆叠纳米线器件的STI结构起到了重要的技术支撑作用。; 关键词 SIO2 HF溶液腐蚀高深宽比工艺浅沟槽隔离; Keywords SiO2 HF solution Corrosion HARP STI; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名烷基链工程对两亲有机半导体热力学性能影响的研究: 5; 作者李明亮李硕王国治郭雪峰; 机构有研工程技术研究院有限公司北京有色金属研究总院智能传感功能材料国家重点实验室北京大学化学与分子工程学院北京大学工学院先进材料与纳米技术系; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第11期56-63,共8页; 基金中国国家重点研发计划(2017YFA0204901) 国家自然科学基金(21727806) 北京市自然科学基金(Z181100004418003)资助项目。; 文摘由于特殊的分子结构,两亲功能分子具有易加工、低成本和高性能等优势,因而广泛应用于功能薄膜材料制备和细胞膜相关的仿生学研究中。于是课题基于侧链工程,设计并合成了一类功能两亲分子Cn PA-BTBT (n=3–11),分子使用不同长度烷基链连接疏水的半导体骨架和亲水的极性功能基团。使用基于示差扫描量热法的热力学研究分析不同长度烷基链的体积效应、奇偶性、柔性和其它烷基链特性对材料整体性能影响,并最终根据热力学测试结果,提出了一个三态分子模型。此工作为功能有机半导体材料设计、合成、优化以及目标性能材料的筛选提供了实验依据。; 关键词功能两亲半导体材料烷基链工程热力学 DSC; Keywords Functional amphiphilic semiconductor Alkyl-chain engineering Thermodynamics DSC; 分类号 O642 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于金属氧化物的乙醇检测气敏材料的研究进展	张晓徐瑶华刘皓魏峰苑鹏	《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	锑化物Ⅱ类超晶格材料外延生长、结构及光学特性研究进展	刘胜达房丹方铉赵鸿滨李承林王登魁王东博王晓华马晓辉魏志鹏	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究	曹志军张青竹吴次南闫江王桂磊李俊杰张兆浩殷华湘余金中李志华	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	应用于堆叠纳米线MOS器件的STI工艺优化研究	徐忍忍张青竹姚佳欣白国斌熊文娟顾杰殷华湘吴次南屠海令	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	烷基链工程对两亲有机半导体热力学性能影响的研究	李明亮李硕王国治郭雪峰	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料