期刊文献+
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
微型电场传感器在工频电场测量中的应用研究 被引量:15
1
作者 仝杰 雷煜卿 +4 位作者 刘国华 王鹤 金学明 杨鹏飞 彭春荣 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第12期3036-3041,共6页
该文基于高性能的MEMS电场敏感芯片研制出一种新型的工频电场测量系统。针对芯片调制被测电场后其输出信号的特征,采用正交相关检测原理提出一种可抑制背景干扰噪声的工频电场解调算法,设计出小型化、空间分辨力高的工频电场测量探头,... 该文基于高性能的MEMS电场敏感芯片研制出一种新型的工频电场测量系统。针对芯片调制被测电场后其输出信号的特征,采用正交相关检测原理提出一种可抑制背景干扰噪声的工频电场解调算法,设计出小型化、空间分辨力高的工频电场测量探头,并在基础上提出MEMS工频电场测量系统的系统级设计方案,成功实现了MEMS电场敏感芯片输出信号的无线采集、滤波、以及电场信号的高精度解调。高压输电线路下工频电场测量结果表明,MEMS工频电场测量系统与传统电场测量仪的测量结果具有良好的一致性。 展开更多
关键词 电场传感器 工频电场 正交相关检测
在线阅读 下载PDF
一种低功耗高噪声源真随机数设计 被引量:6
2
作者 魏子魁 胡毅 +4 位作者 金鑫 李振国 冯文楠 冯曦 唐晓柯 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第10期2566-2572,共7页
通过对一种低功耗高噪声源真随机数发生器(TRNG)的研究,设计了一种新型的低频时钟电路,可以把电阻热噪声放大100倍以上,从而减少低频时钟电路的带宽和电阻值,使电路的面积和功耗减少,并且使低频时钟的jitter到达58.2 ns。电路采用SMIC 4... 通过对一种低功耗高噪声源真随机数发生器(TRNG)的研究,设计了一种新型的低频时钟电路,可以把电阻热噪声放大100倍以上,从而减少低频时钟电路的带宽和电阻值,使电路的面积和功耗减少,并且使低频时钟的jitter到达58.2 ns。电路采用SMIC 40 nm CMOS工艺设计,完成了流片和测试,真随机数产生器输出速度范围为1.38~3.33 Mbit/s,电路整体功耗为0.11 mW,面积为0.00789 mm2。随机数输出满足AIS31真随机数熵源测试要求,并且通过了国密2安全测试。 展开更多
关键词 真随机数产生器 电阻热噪声 低频时钟jitter 低功耗
在线阅读 下载PDF
适用于高密度封装的失效分析技术及其应用 被引量:4
3
作者 刘晓昱 陈燕宁 +5 位作者 李建强 乔彦彬 马强 单书珊 张海峰 唐晓柯 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期310-315,共6页
高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战。常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进。介绍了X射线、计算机辅助层析成像(CT)技... 高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战。常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进。介绍了X射线、计算机辅助层析成像(CT)技术、微探针和多方法联用等失效分析技术,分析了其原理和适用于高密度封装的优势。并结合两个高密度封装失效分析案例,具体介绍了其在案例中的使用阶段和应用方法,成功找到失效原因。最后总结了各方法在高密度封装失效分析中应用的优势、不足和适用范围。 展开更多
关键词 失效分析 高密度封装 可靠性 计算机辅助层析成像(CT)技术 键合失效
在线阅读 下载PDF
伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展 被引量:2
4
作者 刘芳 陈燕宁 +4 位作者 李建强 付振 袁远东 张海峰 唐晓柯 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期15-23,共9页
随着金属氧化物半导体(MOS)集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM... 随着金属氧化物半导体(MOS)集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM),以及该模型中阈值电压、饱和电流和电容的基本建模理论。回顾了近年来体硅MOSFET BSIM的研究进展,着重从各种模型的优缺点、建模机理和适用范围方面分析了4种最有代表性的BSIM,即BSIM3v3,BSIM4,BSIM5和BSIM6。从模型的发展历史可以看出模型是随着MOSFET尺寸的缩小而不断完善和发展的。最后,对体硅MOSFET的模型发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM) 阈值电压 饱和电流 电荷密度 夹断电势 电容模型
在线阅读 下载PDF
基于遗传算法的少态节点活性提升方法 被引量:2
5
作者 刘尚典 赵毅强 +3 位作者 刘燕江 何家骥 原义栋 于艳艳 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1546-1551,共6页
为了进一步提高对硬件木马的识别水平,利用遗传算法的全局搜索能力,提出基于遗传算法的少态节点活性提升方法,以少态节点的翻转次数代表活性,寻找能提升少态节点活性的测试向量集.在测试向量激励下,将被测电路中少态节点的翻转次数作为... 为了进一步提高对硬件木马的识别水平,利用遗传算法的全局搜索能力,提出基于遗传算法的少态节点活性提升方法,以少态节点的翻转次数代表活性,寻找能提升少态节点活性的测试向量集.在测试向量激励下,将被测电路中少态节点的翻转次数作为适应度,在整个测试向量空间内进行选择、交叉和变异操作,并比较父代与子代适应度,保留适应度较大的向量集,最终达到迭代终止条件,生成优化的测试向量集.以ISCAS'85基准电路c3540为研究对象进行仿真验证,实验结果表明,在算法运行前,以1000个向量为输入时,电路所有非少态节点的翻转次数之和为155158,少态节点的翻转次数之和为117;在算法运行后,以1000个向量为输入时,电路所有非少态节点的翻转次数之和为157146,少态节点的翻转次数之和为882.遗传算法生成的测试向量组将少态节点的翻转率提高了7.54倍,并将相对翻转率提升了7.44倍. 展开更多
关键词 硬件木马 翻转率 少态节点 木马检测 逻辑测试
在线阅读 下载PDF
基于TMR元件的电流传感器的研制 被引量:19
6
作者 王海宝 郭海平 +2 位作者 王于波 王峥 郭彦 《电测与仪表》 北大核心 2018年第9期103-107,共5页
以50A的电流传感器为目标,建立了通电导线的磁场模型,利用有限元仿真软件计算出通电导线周围的磁场。基于在通电导线上方的两个位置磁场大小相等、方向相反的特点,设计了全桥拓扑结构的TMR元件。采用IrMn/CoFeB/Ru/CoFeB/MgO/CoFeB/NiFe... 以50A的电流传感器为目标,建立了通电导线的磁场模型,利用有限元仿真软件计算出通电导线周围的磁场。基于在通电导线上方的两个位置磁场大小相等、方向相反的特点,设计了全桥拓扑结构的TMR元件。采用IrMn/CoFeB/Ru/CoFeB/MgO/CoFeB/NiFe/Ta的磁隧道结膜层结构,制备得到的TMR元件灵敏度为4.4mV/V/Oe,线性范围达到15Gs,offset仅为1%V_(cc)。利用该TMR元件构建的开环电流传感器,精度达到了1%,证明了TMR元件能够被用于电流传感器中。 展开更多
关键词 TMR 电流传感器 有限元分析 高灵敏度
在线阅读 下载PDF
TMR单芯片微弱电流传感器的研制 被引量:8
7
作者 王峥 郭海平 +2 位作者 庞振江 徐绥召 王海宝 《电测与仪表》 北大核心 2018年第17期129-133,共5页
针对微弱电流的检测,提出了一种单芯片微弱电流传感器,其原理是:利用隧道磁电阻(TMR)元件作为磁场敏感元件,并将电流导体和TMR元件进行集成,以减小电流导体与磁场敏感元件的间距,提高电流测量的分辨率。结合MEMS工艺,通过优化设计TMR元... 针对微弱电流的检测,提出了一种单芯片微弱电流传感器,其原理是:利用隧道磁电阻(TMR)元件作为磁场敏感元件,并将电流导体和TMR元件进行集成,以减小电流导体与磁场敏感元件的间距,提高电流测量的分辨率。结合MEMS工艺,通过优化设计TMR元件结构和电流导体结构,研制出了电流分辨率达到20μA的微弱电流传感器,为微弱电流检测提供了一种有效、廉价的解决方案。 展开更多
关键词 TMR元件 高分辨率 微弱电流检测 MEMS
在线阅读 下载PDF
宽带电力线载波通信系统的FFT实现 被引量:10
8
作者 迟海明 陈翔 +1 位作者 周春良 唐晓柯 《电子测量技术》 2018年第22期5-9,共5页
在分析了基4 FFT算法的基础上,提出了迭代计算1 024点基4 FFT的一种数字逻辑实现结构。蝶形计算单元使用共享寄存器和共享复数乘法器来减少面积,同时通过流水线设计降低延时。设计了一种存储结构通过存储器分组、交叉连接及特定的访问... 在分析了基4 FFT算法的基础上,提出了迭代计算1 024点基4 FFT的一种数字逻辑实现结构。蝶形计算单元使用共享寄存器和共享复数乘法器来减少面积,同时通过流水线设计降低延时。设计了一种存储结构通过存储器分组、交叉连接及特定的访问时序实现两路蝶形计算单元无等待访问。块浮点单元根据每次迭代计算得到的最大值实时压缩数据,提高了数据处理的动态范围。旋转因子单元通过正弦对称性,将旋转因子存储空间减小75%。通过MATLAB仿真,定点FFT的输出信噪比达50.4 dB。相应的RTL实现通过Systemverilog得以验证。采用SMIC 40 nm LOGIC0040LL标准单元库综合,在PVT为ss/0.99 V/-40℃下,最高时钟为310.5 MHz,吞吐量为2.11 Gbps,面积为161.36 kGE,功耗为10.14 mW。 展开更多
关键词 宽带电力线载波通信 快速傅立叶变换 迭代 蝶形运算 块浮点 信噪比
在线阅读 下载PDF
面向电力射频识别芯片的SPICE模型定制化开发 被引量:3
9
作者 刘芳 陈燕宁 +1 位作者 付振 马永旺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第7期512-518,共7页
为了满足电力射频识别(RFID)芯片在-50~125℃的工作温区及高灵敏度的应用需求,定制化开发了芯片宽温区范围内高精度的MOSFET器件SPICE模型,该模型在RFID芯片关键模块中进行了验证。对器件尺寸设计、版图设计、电学性能测试、模型参数提... 为了满足电力射频识别(RFID)芯片在-50~125℃的工作温区及高灵敏度的应用需求,定制化开发了芯片宽温区范围内高精度的MOSFET器件SPICE模型,该模型在RFID芯片关键模块中进行了验证。对器件尺寸设计、版图设计、电学性能测试、模型参数提取以及验证环节都进行了定制化开发。在器件模型参数提取环节采用了分块建模以及宏模型的建模方式同时提高了大尺寸和小尺寸器件的温度仿真精度。该模型在宽温度范围内阈值电压仿真与实测值差达到了10 mV以下,饱和电流精度在5%以下。环形振荡器的电路仿真精度相比通用模型提升了近50%,带隙基准源电路仿真精度提升了20 mV。 展开更多
关键词 SPICE模型 定制化开发 环形振荡器 带隙基准源 射频识别(RFID)芯片
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部