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题名温度对碳化硅器件封装用有机硅弹性体陷阱特性的影响
被引量：3
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作者
孟伟
李学宝
张金强
赵志斌
崔翔
王亮
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机构
华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室
北京智慧能源研究院先进输电技术国家重点实验室
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出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第2期577-587,共11页
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基金
国家电网有限公司总部科技项目(碳化硅高压封装绝缘关键技术)(5500-202158438A-0-0-00)。
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文摘
有机硅弹性体作为一种高分子聚合物,因具有良好的耐高温性能、绝缘强度以及与芯片的相容性,已在碳化硅功率器件中得到应用。目前国内外针对有机硅弹性体在高温下的绝缘特性研究较少,而介质的陷阱特性与其绝缘性能密切相关,研究有机硅弹性体的陷阱特性及其受温度的影响,对于该种灌封材料在碳化硅器件封装中的应用具有重要意义。为此,采用表面电位衰减法(surfacepotentialdecay,SPD)测量了有机硅弹性体在温度20~250℃范围内的表面电位衰减曲线,提取了不同温度下有机硅弹性体的陷阱电荷能级密度分布和迁移率等微观参数,建立了有机硅弹性体迁移时间、迁移率、电位衰减时间常数随温度变化的拟合表达式,分析了温度对有机硅弹性体陷阱特性的影响机制,确定了有机硅弹性体陷阱捕获电荷数量最大时的温度阈值。此外,结合有机硅弹性体陷阱特性,从载流子输运的角度解释了该材料电导率、迁移率以及深浅陷阱的电位衰减时间常数之差随温度变化的规律,并通过分析有机硅弹性体的微观结构特征,解释了该材料陷阱特性的极性效应。相关结果可以为不同温度下有机硅弹性体绝缘特性的认知提供支撑。
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关键词
高压大功率碳化硅器件
高温
有机硅弹性体
陷阱特性
表面电位衰减
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Keywords
high voltage and high power silicon carbide device
high temperature
silicone elastomer
trap characteristics
surface potential decay
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分类号
TN304.24
[电子电信—物理电子学]
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