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题名重掺杂P型SiC的熔融KOH刻蚀行为研究
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作者
程佳辉
杨磊
王劲楠
龚春生
张泽盛
简基康
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机构
广东工业大学物理与光电工程学院
北京晶格领域半导体有限公司
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出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第5期773-780,791,共9页
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基金
广东省自然科学基金面上项目(2022A1515012628)
北京市科技计划项目(Z231100006023015)。
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文摘
本文采用熔融KOH刻蚀方法详细研究了液相法生长的重掺杂P型6H-SiC晶体中的位错情况,探究了时间、温度变化对液相法生长的重掺杂P型6H-SiC晶片表面刻蚀的影响。当提高腐蚀时间或腐蚀温度时,晶片表面的腐蚀坑尺寸均表现出不同程度的增加,过高的温度及长时间刻蚀均导致过腐蚀现象的发生。根据不同腐蚀条件下腐蚀坑的形貌与分布,确定出刻蚀重掺杂P型6H-SiC晶片的最佳工艺参数。利用晶片在不同温度下的腐蚀速率变化关系及阿伦尼乌斯公式计算出晶体的反应活化能为10.59 kcal/mol。最后,对穿透型螺位错(TSD)和穿透型刃位错(TED)的形貌、尺寸和内部结构进行了详细的表征和分析,结果表明P型6H-SiC晶体中腐蚀坑的倾角与腐蚀时间无关。
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关键词
P型碳化硅
腐蚀
位错
重掺杂
腐蚀速率
活化能
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Keywords
P-type SiC
etch
dislocation
heavily doped
etching rate
activation energy
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分类号
O78
[理学—晶体学]
TM23
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名重掺杂p型SiC晶片Ni/Al欧姆接触特性
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作者
杨磊
程佳辉
杨蕾
张泽盛
龚春生
简基康
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机构
广东工业大学物理与光电工程学院
北京晶格领域半导体有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第5期417-424,共8页
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基金
广东省自然科学基金面上项目(2022A1515012628)
北京市科技计划项目(Z231100006023015)。
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文摘
系统研究了Al和Ni/Al两种金属体系在重掺杂p型SiC晶片上的欧姆接触特性和电学性质。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和综合物性测量系统对这两种电极表面的微观结构和样品的电学性质进行了表征。结果表明:在真空环境下经过800℃退火后Al电极可呈现出欧姆接触行为,其比接触电阻率为1.98×10^(-3)Ω·cm^(2),退火处理后Al电极与SiC在接触界面形成化合物Al_(4)C_(3),有助于提高接触界面稳定性。在Ni/Al复合体系中,当Ni金属层厚度为50 nm时,其比接触电阻率显著降低至4.013×10^(-4)Ω·cm^(2)。退火后Ni与SiC在接触界面生成的Ni_(2)Si有利于欧姆接触的形成和降低比接触电阻率。研究结果可为开发液相法生长的p型SiC晶片电子器件提供参考。
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关键词
p型SiC
Ni/Al
欧姆接触
重掺杂
液相法
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Keywords
p⁃type SiC
Ni/Al
ohmic contact
heavy doping
liquid⁃phase method
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分类号
TN305.93
[电子电信—物理电子学]
O472.4
[理学—半导体物理]
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