复杂器件的系统板测试与老化解决方案分析

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作者 张金凤 杨超 王国力 《集成电路应用》 2025年第1期90-92,共3页

阐述针对复杂芯片的检测问题,提出基于最小系统板的器件级测试和老化方案,介绍测试老化中的典型应用。这种实现方式,可以充分借鉴芯片的应用线路,实现ATE无法完成的功能性能指标的测试。在实际应用中可以根据需求,覆盖客户使用状态的测... 阐述针对复杂芯片的检测问题,提出基于最小系统板的器件级测试和老化方案,介绍测试老化中的典型应用。这种实现方式,可以充分借鉴芯片的应用线路,实现ATE无法完成的功能性能指标的测试。在实际应用中可以根据需求,覆盖客户使用状态的测试,也可以借助于外接仪器仪表实现。 展开更多

关键词 集成电路测试 最小系统板 电子器件级检测 芯片老化

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一种电流型运放动态参数测试方案设计

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作者 张厚政 陈覃 +1 位作者 申晓杰 赵波 《集成电路应用》 2025年第1期80-83,共4页

阐述电流型运放内部的信号放大和传输采用的是电流信号而非传统的电压信号,不仅可以同时保证高增益和高带宽,还具有较大的压摆率,广泛地应用于高速信号处理场景中,其筛选成为一个重点任务。为此,分析电流型运放动态参数的测试方法,介绍T... 阐述电流型运放内部的信号放大和传输采用的是电流信号而非传统的电压信号,不仅可以同时保证高增益和高带宽,还具有较大的压摆率,广泛地应用于高速信号处理场景中,其筛选成为一个重点任务。为此,分析电流型运放动态参数的测试方法,介绍TI公司的一款电流型运放OPA2691,并给出这款电流型运放动态参数的测试方案。 展开更多

关键词 器件测试 电流型运放 动态参数 测试方案

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基于内嵌XADC的FPGA可靠性测试技术分析

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作者 王国力 马成英 +1 位作者 张金凤 杨超 《集成电路应用》 2025年第1期77-79,共3页

阐述Virtex-7 FPGA内嵌XADC模块的结构、工作原理及功能,结合Virtex-7 FPGA的测试,给出XADC在测试过程中应用以及设计方案。该方案基于Vivado设计开发软件及ATE测试系统,运用XADC模块的温度监控和电压监控功能对测试过程进行监测,并对... 阐述Virtex-7 FPGA内嵌XADC模块的结构、工作原理及功能,结合Virtex-7 FPGA的测试,给出XADC在测试过程中应用以及设计方案。该方案基于Vivado设计开发软件及ATE测试系统,运用XADC模块的温度监控和电压监控功能对测试过程进行监测,并对器件内嵌的XADC进行基于应用性的功能验证。 展开更多

关键词 器件测试 FPGA 测试可靠性 XADC

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微处理器中的电压监控器测试方法分析

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作者 赵波 陈覃 +1 位作者 申晓杰 张厚政 《集成电路应用》 2025年第1期87-89,共3页

阐述微处理器用电压监控器可以同时监控单片机及DSP等电路的供电电压及运行状况,当单片机或DSP运行出现错误或供电电压过低时,电压监控器会向其发出复位信号。分析一款TI公司生产的微处理器用电压监控器TPS3823的测试方法,对这款电压监... 阐述微处理器用电压监控器可以同时监控单片机及DSP等电路的供电电压及运行状况,当单片机或DSP运行出现错误或供电电压过低时,电压监控器会向其发出复位信号。分析一款TI公司生产的微处理器用电压监控器TPS3823的测试方法,对这款电压监控器进行介绍,并给出这款器件的测试方案。 展开更多

关键词 集成电路测试 TPS3823 看门狗 电压监控器

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SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究

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作者 王永维 黄柯月 +4 位作者 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页

绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。 展开更多

关键词 辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流

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基于同步辐射的真空紫外光谱响应度校准装置研究

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作者 杨浩 占春连 +5 位作者 孙广尉 朱周洪 王加朋 杜继东 周国澳 姜葵 《红外与激光工程》 CSCD 北大核心 2024年第12期138-146,共9页

光谱响应度作为光学计量领域国际六大重点比较之一,反映了探测器对不同波长光的响应能力,真空紫外光谱响应度校准技术的研究对真空紫外探测技术的发展起着至关重要的作用。为了适应真空紫外探测技术的快速发展,满足国内对探测器校准技... 光谱响应度作为光学计量领域国际六大重点比较之一,反映了探测器对不同波长光的响应能力,真空紫外光谱响应度校准技术的研究对真空紫外探测技术的发展起着至关重要的作用。为了适应真空紫外探测技术的快速发展,满足国内对探测器校准技术的需求,提升真空紫外波段的校准能力,建立了真空紫外光谱响应度校准装置。真空紫外光谱响应度校准装置由标准光源(同步辐射源)、标准探测器(增强型硅光电二极管探测器)、真空滤波系统和真空仓等部分组成。装置使用比对法对被校准探测器进行校准,使用标准探测器对被校准探测器进行量值传递。校准的光谱范围为10~200 nm,对探测器的校准的不确定度最大为10%(k=2)。 展开更多

关键词 真空紫外 同步辐射源 光谱响应度 校准

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不同封装继电器在低气压下的介质耐压特性研究

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作者 符佳佳 许艳君 +2 位作者 李庆 闫玉波 李智 《电子产品可靠性与环境试验》 2024年第5期50-56,共7页

继电器作为重要的开关控制器件,其应用场景极其广泛,其中低气压环境是其重要应用场景之一。气压的下降会影响继电器的介质耐压特性,特别是在高电压应用条件下。研究了不同封装继电器在高电压下的极限应用低气压值,以及在5 kPa下贮存110 ... 继电器作为重要的开关控制器件,其应用场景极其广泛,其中低气压环境是其重要应用场景之一。气压的下降会影响继电器的介质耐压特性,特别是在高电压应用条件下。研究了不同封装继电器在高电压下的极限应用低气压值,以及在5 kPa下贮存110 h对介质耐压特性的影响,为继电器在低气压的应用和选型提供了指导。结果显示,小电压下金属密封继电器的介质耐压特性与塑封继电器相近,当电压增大到一定程度后,塑封继电器的介质耐压特性优于金属密封继电器;长时间低压贮存后器件的介质耐压会出现退化,金属封装继电器的介质耐压比塑封继电器的介质耐压退化得更快;低气压试验过程存在器件的介质击穿和空气击穿这2个击穿路径。 展开更多

关键词 继电器 低气压 介质耐压

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TVS失效机理及可靠性研究

8

作者 田方坤 符佳佳 +2 位作者 许艳君 闫玉波 吴生虎 《电子产品可靠性与环境试验》 2024年第6期94-99,共6页

系统研究了瞬态电压抑制管(TVS)的失效机理及可靠性。TVS的PN结掺杂浓度低,反向击穿电压高,在响应速度、钳位电压和结电容等方面均优于同类器件。TVS的失效模式有短路、开路和电性能退化等,短路是最常见的失效模式。其失效机理在器件制... 系统研究了瞬态电压抑制管(TVS)的失效机理及可靠性。TVS的PN结掺杂浓度低,反向击穿电压高,在响应速度、钳位电压和结电容等方面均优于同类器件。TVS的失效模式有短路、开路和电性能退化等,短路是最常见的失效模式。其失效机理在器件制备层面与芯片焊接缺陷、台面缺陷、芯片裂纹、表面积累层和掺杂不均匀等因素有关;在应用层面与过电应力、高温和过度损耗等因素有关。为规避失效风险、提高可靠性需从器件制备、应用及选型等方面进行系统的研究。 展开更多

关键词 瞬态电压抑制管 瞬态电压 失效机理 可靠性

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动态高温温场测量装置研究 被引量：8

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作者 严兵 李建彬 +4 位作者 孙红胜 张虎 李世伟 魏建强 任小婉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第4期1312-1315,共4页

在航天用试验件进行风洞加热热试验时,试验件表面特定区域的温度可达1 700℃甚至更高,对这种动态变化的区域温度场测量难度较高,一般只能使用成本昂贵的测温型红外热像仪实现,且对恶劣环境适应性不高。采用比色温度测量模型,选用近红外... 在航天用试验件进行风洞加热热试验时,试验件表面特定区域的温度可达1 700℃甚至更高,对这种动态变化的区域温度场测量难度较高,一般只能使用成本昂贵的测温型红外热像仪实现,且对恶劣环境适应性不高。采用比色温度测量模型,选用近红外波段900 nm附近两个波长作为测量波长,采用高动态响应CCD成像器件作为信号采集设备,保证了两个测量通道采集图像在空间上的对应,实现了测量区域内温度分布的测量,测量帧频最高可达40 Hz,测量准确度小于6%。 展开更多

关键词 高温 温场测量 动态测量 比色

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一种脉宽调制器检测失效模式分析

10

作者 陈覃 申晓杰 +1 位作者 张厚政 赵波 《集成电路应用》 2025年第1期84-86,共3页

阐述集成电路检测中剔除问题器件,是保障实际工程应用质量的有效手段,但会出现器件检测结果合格的情况下,依旧在实际工程调试时功能异常的现象。为此,以脉宽调制器XX1525为例,从器件参数、功能、检测原理等方面进行分析,找出失效原因,... 阐述集成电路检测中剔除问题器件,是保障实际工程应用质量的有效手段,但会出现器件检测结果合格的情况下,依旧在实际工程调试时功能异常的现象。为此,以脉宽调制器XX1525为例,从器件参数、功能、检测原理等方面进行分析,找出失效原因,提出后续检测的建议。 展开更多

关键词 集成电路测试 XX1525 SG1525检测 关断功能 功能异常

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护热板法测量高温下材料导热系数的研究 被引量：4

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作者 刘晔 张金涛 +3 位作者 王金库 王明凯 孙坚 徐红伟 《计量学报》 CSCD 北大核心 2023年第6期871-877,共7页

中国计量科学研究院(NIM)新研制了单样品高温防护热板法装置,设计工作温度范围从室温至500℃、导热系数测量范围0.02~0.5 W/(m·K)。通过新的温度控制技术,有效抑制了系统热惯性引起的热振荡,在长达2 h的热平衡期内,各部件的温度波... 中国计量科学研究院(NIM)新研制了单样品高温防护热板法装置,设计工作温度范围从室温至500℃、导热系数测量范围0.02~0.5 W/(m·K)。通过新的温度控制技术,有效抑制了系统热惯性引起的热振荡,在长达2 h的热平衡期内,各部件的温度波动可控制在0.005℃以内;采取上防护板温度补偿,抑制了上防护板的漏热。新装置测量导热系数的不确定度为1.2%(k=2)。在平均温度30~70℃范围,与美国国家标准技术研究院的导热系数标准参考物质NIST SRM 1450d标准值相对偏差为0.2%~1.9%。测量了有机玻璃的导热系数,与PTB测量值的相对偏差为-0.8%~-1.5%。在40~400℃温度范围,测量了高温岩棉的导热系数,测量不确定度为4.7%(k=2)。 展开更多

关键词 计量学 导热系数 防护热板法 温度控制 岩棉

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适应计算机管理的物资供应流程设计研究 被引量：4

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作者 赵金毅 张辉 《航天工业管理》 2010年第9期10-14,共5页

航天企业的物资供应流程是在半个世纪的物资管理经验基础上，结合航天企业的实际情况和统一采购思想，经过近10年的不断完善而形成的。但是航天企业现行的物资管理流程在工作中也暴露出管理粗放、流程复杂、接口不顺、异常情况下流程不... 航天企业的物资供应流程是在半个世纪的物资管理经验基础上，结合航天企业的实际情况和统一采购思想，经过近10年的不断完善而形成的。但是航天企业现行的物资管理流程在工作中也暴露出管理粗放、流程复杂、接口不顺、异常情况下流程不完善等问题，再加上物流信息管理手段跟不上，相关部门问协调性差，导致一些无效工序，甚至产生相互间扯皮现象，造成物流经营成本偏高，响应速度与社会物流相比较慢。 展开更多

关键词 计算机管理 物资供应 流程设计 物流信息管理 航天企业 经验基础 物资管理 管理流程

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光纤法珀差压式流量传感器设计与实验研究 被引量：1

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作者 张博 杨水旺 +2 位作者 李春辉 宋志强 苏一鸣 《计量学报》 CSCD 北大核心 2023年第7期1070-1074,共5页

基于流体流动的节流原理,以孔板作为节流装置,2支光纤法珀压力传感器作为差压信号测量装置,研制了1种高精度光纤流量传感器。通过孔板两端压力传感器的压力差来测量流量,在质量流量测量范围0~100 g/s内,得到关于流量和压差开方的线性方... 基于流体流动的节流原理,以孔板作为节流装置,2支光纤法珀压力传感器作为差压信号测量装置,研制了1种高精度光纤流量传感器。通过孔板两端压力传感器的压力差来测量流量,在质量流量测量范围0~100 g/s内,得到关于流量和压差开方的线性方程,其线性拟合准确度达到0.99995。研制的光纤流量传感器具有耐高温、抗电磁干扰、体积尺寸小巧、传感器端无源、测量精度高等优点。 展开更多

关键词 计量学 光纤流量传感器 节流原理 光纤法珀传感器 节流孔

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基于激光绝对法的动力调谐陀螺动态特性校准技术研究 被引量：1

14

作者 黄相华 《计量学报》 CSCD 北大核心 2020年第S01期116-123,共8页

针对国防系统和航天工程中对于动力调谐陀螺挠性组件动态特性校准的需求,研建了一套动力调谐陀螺挠性组件动态特性校准装置,解决工程上动态校准的需求。校准系统组建完成后,通过多次试验对动力调谐陀螺挠性组件动态特性校准装置的技术... 针对国防系统和航天工程中对于动力调谐陀螺挠性组件动态特性校准的需求,研建了一套动力调谐陀螺挠性组件动态特性校准装置,解决工程上动态校准的需求。校准系统组建完成后,通过多次试验对动力调谐陀螺挠性组件动态特性校准装置的技术指标进行了验证,并与同一被测对象在区域最高计量标准装置上的校准结果进行了对比。实验验证结果表明,校准装置各项指标都能够满足动力调谐陀螺挠性组件动态特性的校准要求。 展开更多

关键词 计量学 动力调谐陀螺 动态 校准

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光辐射探测器的检测规范、计量标准和量值传递

15

作者 罗绘昌 游绍科 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期47-50,共4页

本文介绍光辐射揀测器参数检测规范、计量标准装置和量值比对传递的国内外情况,以及对于国内开展这些工作的建议。

关键词 光辐射 探测器 检测 规范 计量

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提升元器件结构分析项目实施效率和质量的方法研究

16

作者 符佳佳 许艳君 +3 位作者 闫玉波 李智 王志林 杨海生 《电子产品可靠性与环境试验》 2023年第1期79-83,共5页

随着国产元器件在航天、军事领域的加快应用,如何高效高质量地验证国产元器件可靠性的重要性尤显突出。结构分析是一种可用于评估制造商和确定元器件内部是否存在潜在失效机制的可靠性分析方法,作为验证器件可靠性的重要技术,近年来其... 随着国产元器件在航天、军事领域的加快应用,如何高效高质量地验证国产元器件可靠性的重要性尤显突出。结构分析是一种可用于评估制造商和确定元器件内部是否存在潜在失效机制的可靠性分析方法,作为验证器件可靠性的重要技术,近年来其逐渐在航天、军事工程中得以应用。结构分析作为新项目开展时,项目实施的效率和质量成为关注点。高效高质量地开展结构分析是项目成功开展的关键点。为了提升元器件结构分析项目实施效率和质量,从优化结构分析实施流程和如何获取结构分析判据等角度开展了研究。 展开更多

关键词 结构分析 效率 质量 流程 判据

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金属陶瓷密封型光电耦合器结构分析研究

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作者 许艳君 符佳佳 +2 位作者 闫玉波 李智 陈智武 《电子产品可靠性与环境试验》 2023年第1期44-48,共5页

金属陶瓷密封型光电耦合器是航天产品广泛使用的元器件。针对其质量评价,现有的标准主要集中于电路和器件工艺。但是,只依据国军标通过鉴定和质量一致性等可靠性试验无法全面有效地保证其应用可靠性。结构分析通过分析元器件的结构、材... 金属陶瓷密封型光电耦合器是航天产品广泛使用的元器件。针对其质量评价,现有的标准主要集中于电路和器件工艺。但是,只依据国军标通过鉴定和质量一致性等可靠性试验无法全面有效地保证其应用可靠性。结构分析通过分析元器件的结构、材料、设计工艺等,对其是否满足评价要求及相关应用要求能力做出早期判断,是元器件高可靠应用质量保证的重要手段之一。对航天用金属陶瓷密封型光电耦合器的结构分析方法进行了研究,并给出了其结构单元分解、结构要素识别和结构判别评价方法,为类似结构、工艺器件的结构分析提供了一定的参考。 展开更多

关键词 光电耦合器 结构分析 单元分解 要素识别 判据

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C8051F系列混合信号MCU测试方法与实现

18

作者 杨超 金荣康 +1 位作者 张金凤 吴迪 《集成电路应用》 2023年第7期22-25,共4页

阐述C8051F系列MCU测试程序的设计方法,包括测试程序和软硬件方案、通信协议制定规则、配置程序编写方法,基于EVA-100实现C8051F330测试程序,在此基础上进行扩展,探讨整个系列MCU测试程序的扩展方案。

关键词 集成电路测试 C8051F330 MCU 通信协议 EVA-100

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一种新型DC/DC电源模块的Kelvin测试工装设计

19

作者 陈覃 申晓杰 +1 位作者 张厚政 赵波 《集成电路应用》 2023年第7期16-18,共3页

阐述对于大功率、大输出电流类型电源模块的测试工装设计,探讨电源模块的测试原理、传统电源模块与大功率、大输出电流的电源模块差异,以及测试中的问题。此工装设计在实践中得到成功应用。利用该设计实现大功率、大输出电流的电源模块... 阐述对于大功率、大输出电流类型电源模块的测试工装设计,探讨电源模块的测试原理、传统电源模块与大功率、大输出电流的电源模块差异,以及测试中的问题。此工装设计在实践中得到成功应用。利用该设计实现大功率、大输出电流的电源模块高效测试。 展开更多

关键词 电源模块 Kelvin测试 高功率 大电流 测试工装

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100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化

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作者 王永维 黄柯月 +2 位作者 温恒娟 陈浪涛 周锌 《通讯世界》 2024年第7期1-3,共3页

基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟... 基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。 展开更多

关键词 SOI LDMOS 绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 阈值电压

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