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题名离子注入硅超突变结变容管的试制
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机构
北京师范大学物理系"五.七"半导体器件厂
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出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1976年第Z1期100-107,共8页
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文摘
我们试制的变容二极管,用于电视接收机高频头线路中作调频元件。根据使用要求,其主要参数是:电容变化比C-3v/C-30v≥6,在50 MHz下,品质因数Q-3v≥50（直读数）,反向偏压VB=30伏时,漏电流IB≤1μA。四只管子配套使用,故管子电参数的一致性要好。为满足电容变化比的要求,需采用超突变结的杂质分布,即杂质浓度随着与结距离的增加而降低。为此,需要在均匀掺杂的硅材料中形成浓度不断下降的区域一衰减区。在制造器件时,用普通的扩散法形成的衰减区,掺杂浓度往往不易控制,因此,我们采用离子注入一扩散的方法,较精确地控制了衰减区的掺杂。
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关键词
超突变结
容管
变容二极管
反向偏压
电容变化
杂质分布
杂质浓度
离子注入
四只
外延材料
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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