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气体流速对FCVA技术制备nc-ZrC/a-C:H复合膜的影响
1
作者
李作文
黄鑫
+5 位作者
廖斌
曹望
周福增
伏开虎
周晗
张旭
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期609-613,共5页
采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术,室温下通入C2H2在Si(100)与304不锈钢片上制备nc-ZrC/a-C:H复合薄膜.采用XRD、Raman、XPS、SEM-EDS研究了薄膜的成分及微观结构,利用纳米力学探针和摩擦磨损仪测试薄膜的硬度及摩擦磨损性能.主要讨论了...
采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术,室温下通入C2H2在Si(100)与304不锈钢片上制备nc-ZrC/a-C:H复合薄膜.采用XRD、Raman、XPS、SEM-EDS研究了薄膜的成分及微观结构,利用纳米力学探针和摩擦磨损仪测试薄膜的硬度及摩擦磨损性能.主要讨论了不同C2H2气体流速对复合膜成分、结构及其性能的影响,研究结果表明:C2H2气体流速由20mL·min-1增加到70mL·min-1时,薄膜中的C原子分数逐渐升高;气体流速超过70mL·min-1后,C原子分数趋于平稳(约为75%).随着气体流速的增加,薄膜硬度呈现先增后减的趋势,当气体流速为40mL·min-1时(C原子分数约为65%),制备的薄膜综合机械性能达到最佳(硬度41.49GP,摩擦因数0.25).
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关键词
磁过滤阴极真空弧(FCVA)
nc-ZrC/a-C:H
气体流速
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职称材料
0.28 MeV Zn离子注入GaInP/GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究
2
作者
英敏菊
董西亮
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期384-386,共3页
对于GaAs衬底（100）面上用金属有机物气相淀积（MOCVD）技术外延生长的GaInP／GaInAsP单量子阱，在室温下进行0.28MeV的Zn^＋离子注入，选用的注量从1×10^14～5×10^14cm^-2。通过双晶X射线衍射光谱测量，定量地分析了由于离...
对于GaAs衬底（100）面上用金属有机物气相淀积（MOCVD）技术外延生长的GaInP／GaInAsP单量子阱，在室温下进行0.28MeV的Zn^＋离子注入，选用的注量从1×10^14～5×10^14cm^-2。通过双晶X射线衍射光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明在所选用的注量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038，说明在这样的注入条件下，注入区的结晶态仍然保持地比较好。在较高注量下应变达到饱和，应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡，从而形成了均衡的应变场分布。
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关键词
离子注入
晶格应变
X射线衍射光谱
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职称材料
题名
气体流速对FCVA技术制备nc-ZrC/a-C:H复合膜的影响
1
作者
李作文
黄鑫
廖斌
曹望
周福增
伏开虎
周晗
张旭
机构
北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学核科学与技术学院北京市辐射中心
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期609-613,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(11710228,10975020)
文摘
采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术,室温下通入C2H2在Si(100)与304不锈钢片上制备nc-ZrC/a-C:H复合薄膜.采用XRD、Raman、XPS、SEM-EDS研究了薄膜的成分及微观结构,利用纳米力学探针和摩擦磨损仪测试薄膜的硬度及摩擦磨损性能.主要讨论了不同C2H2气体流速对复合膜成分、结构及其性能的影响,研究结果表明:C2H2气体流速由20mL·min-1增加到70mL·min-1时,薄膜中的C原子分数逐渐升高;气体流速超过70mL·min-1后,C原子分数趋于平稳(约为75%).随着气体流速的增加,薄膜硬度呈现先增后减的趋势,当气体流速为40mL·min-1时(C原子分数约为65%),制备的薄膜综合机械性能达到最佳(硬度41.49GP,摩擦因数0.25).
关键词
磁过滤阴极真空弧(FCVA)
nc-ZrC/a-C:H
气体流速
Keywords
FCVA
nc-ZrC/a-C:H
flow rate
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
0.28 MeV Zn离子注入GaInP/GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究
2
作者
英敏菊
董西亮
机构
北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学核科学与技术学院北京市辐射中心
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期384-386,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(10604007)
北京市科技院萌芽计划资助项目
北京师范大学青年基金资助项目
文摘
对于GaAs衬底（100）面上用金属有机物气相淀积（MOCVD）技术外延生长的GaInP／GaInAsP单量子阱，在室温下进行0.28MeV的Zn^＋离子注入，选用的注量从1×10^14～5×10^14cm^-2。通过双晶X射线衍射光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明在所选用的注量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038，说明在这样的注入条件下，注入区的结晶态仍然保持地比较好。在较高注量下应变达到饱和，应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡，从而形成了均衡的应变场分布。
关键词
离子注入
晶格应变
X射线衍射光谱
Keywords
ion implantation
lattice strain
XRD
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
气体流速对FCVA技术制备nc-ZrC/a-C:H复合膜的影响
李作文
黄鑫
廖斌
曹望
周福增
伏开虎
周晗
张旭
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
0.28 MeV Zn离子注入GaInP/GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究
英敏菊
董西亮
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
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