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用核分析技术研究北京大气颗粒物特性
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作者 朱光华 王广甫 张仁健 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第B09期142-145,共4页
用PIXE分析技术结合分级采样器测量了正常天气、远处沙尘暴到达时和局地扬尘起来时北京的大气颗粒物粒径分布谱,与时间序列自动采样器相结合,得到了大气颗粒物浓度随时间的变化,通过受体模型计算得到大气颗粒物来源及其贡献率。
关键词 PIXE分析 大气颗粒物 粒径分布 绝对主因子分析
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北京冬春季气溶胶化学成分及其谱分布研究 被引量:53
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作者 张仁健 王明星 +3 位作者 张文 王跃思 李爱国 朱光华 《气候与环境研究》 CSCD 2000年第1期6-12,共7页
1999年 2月 2 3~ 2 6日在北京气象塔 47m高度和 3月 1 0~ 1 2日在距地面 6m高度各进行了为期 3天的气溶胶采样 ,获得 1 2组分级采样样品 ,用PIXE方法对样品进行了分析 ,得到了 2 0种元素的浓度及其谱分布 ,并对当前北京气溶胶的来源... 1999年 2月 2 3~ 2 6日在北京气象塔 47m高度和 3月 1 0~ 1 2日在距地面 6m高度各进行了为期 3天的气溶胶采样 ,获得 1 2组分级采样样品 ,用PIXE方法对样品进行了分析 ,得到了 2 0种元素的浓度及其谱分布 ,并对当前北京气溶胶的来源、化学元素成分的变化进行了研究。与过去相比 ,除Si、K、Ca、Ti、Sr、V元素浓度降低外 ,其他元素浓度均有不同幅度的增加。研究表明 ,当前北京地区气溶胶的来源已发生较大变化。 展开更多
关键词 气溶胶 化学成分 浓度
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乙酸乙酯-乙苯二元混合溶液的折射研究 被引量:5
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作者 辛督强 朱民 +1 位作者 解延雷 张涛 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期579-581,共3页
计算混合溶液折射率的新方法:n=1+∑wiρMDMi,对于无机混合溶液、乙醇水溶液和丙三醇水溶液等有着很好的适用性,但对含有羰基和苯环官能团复杂物质是否适用还不清楚.本文对含有羰基和苯环官能团的、不同浓度乙酸乙酯-乙苯溶液折射率进... 计算混合溶液折射率的新方法:n=1+∑wiρMDMi,对于无机混合溶液、乙醇水溶液和丙三醇水溶液等有着很好的适用性,但对含有羰基和苯环官能团复杂物质是否适用还不清楚.本文对含有羰基和苯环官能团的、不同浓度乙酸乙酯-乙苯溶液折射率进行计算,计算结果与实验测量值吻合的非常好,进一步证实了该方法对酯类、芳香族溶液的适用性,并给出了该溶液浓度、密度和折射率计算所需的重要参数值.这些结果也支持了该方法的理论基础,证明了该方法的电子云导体理论模型的合理性.还用Lorentz-Lorenz公式计算了这些混合溶液的折射率,并对2种计算方法的偏差进行了比较. 展开更多
关键词 有机二元系 折射研究 理论计算 试验验证
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MEVVA源引出离子束流分布均匀性的初步研究 被引量:4
4
作者 吴先映 周凤生 +2 位作者 张孝吉 张荟星 罗云 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1995年第3期338-341,共4页
通过采用加会切磁场、增大离子源阴极与阳极距离并限制源等离子体发射角,从而使源阳极电位高于等离子体电位和采用改变源阳极结构──仅用阳极筒──从而改变弧放电路径这3种方法,对改善MEVVA源引出离子束流密度分布的均匀性进... 通过采用加会切磁场、增大离子源阴极与阳极距离并限制源等离子体发射角,从而使源阳极电位高于等离子体电位和采用改变源阳极结构──仅用阳极筒──从而改变弧放电路径这3种方法,对改善MEVVA源引出离子束流密度分布的均匀性进行了初步的研究。第3种方法从根本上改变了MEVVA源引出束分布的高斯分布特性,在合适的条件下可能得到更为均匀的束流密度分布。 展开更多
关键词 MEVVA 束流密度分布 等离子体参数 离子束分布
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应用^(36)Cl同位素对河北平原深层含水组渗透系数的初步研究 被引量:2
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作者 董悦安 何明 +2 位作者 蒋崧生 武绍勇 姜山 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期346-351,共6页
为研究河北平原深层地下水的渗透系数 ,应用加速器质谱计对河北平原深层地下水样品的x(36 Cl) /x(Cl)值进行了测定 ,并结合Darcy定律进行研究 .结果表明 ,河北平原第四系第三含水组的雄县龙湾至沧县崔尔庄段地下水的平均渗透系数为 0 .4... 为研究河北平原深层地下水的渗透系数 ,应用加速器质谱计对河北平原深层地下水样品的x(36 Cl) /x(Cl)值进行了测定 ,并结合Darcy定律进行研究 .结果表明 ,河北平原第四系第三含水组的雄县龙湾至沧县崔尔庄段地下水的平均渗透系数为 0 .4 4m·d- 1;安新县中青乡至沧县崔尔庄段地下水的平均渗透系数为 0 .5 2m·d- 1.第四含水组安新县中青乡至沧县景城段地下水的平均渗透系数为 0 .2 2m·d- 1.任丘市的第四系第四含水组与第三系含水组之间黏性土隔水层的平均渗透系数为 3.0 1× 10 - 6 m·d- 1.沧县景城和东光县大张华煜化工厂 2处第四系第四含水组与第三含水组之间的黏性土隔水层的平均渗透系数分别为 0 .4 0× 10 - 6 和 3.12× 10 - 6 m·d- 1. 展开更多
关键词 深层含水组 渗透系数 ^36Cl同位素 河北平原 深层地下水 Darcy定律 黏性土隔水层
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C+Mo离子共注入H13钢中抗腐蚀性能的研究 被引量:2
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作者 易仲珍 张旭 +1 位作者 张通和 李永良 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期59-62,共4页
采用改进了的MEVVA源阴极对H13钢进行了C+Mo共注入,并做了X射线衍射分析、电化学测量和表面形貌分析.实验结果表明,C+Mo共注入后H13钢表面的抗腐蚀性能得到了改善,表面的致钝电流密度显著降低,点蚀电位明显正移.X射线分析表明,C+M... 采用改进了的MEVVA源阴极对H13钢进行了C+Mo共注入,并做了X射线衍射分析、电化学测量和表面形貌分析.实验结果表明,C+Mo共注入后H13钢表面的抗腐蚀性能得到了改善,表面的致钝电流密度显著降低,点蚀电位明显正移.X射线分析表明,C+Mo共注入后在H13钢表面形成了FeMo,Fe2MoC,Mo2C,γ-Mo2N,Fe7C3和Fe5C2等新相.这些新相在改善材料表面抗腐蚀性能方面起了重要作用. 展开更多
关键词 抗腐蚀性能 电化学测量 H13钢表面改性 离子共注入 MEVVA源 点蚀电位
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Y,Y+C和Y+Cr注入H13钢表面改性研究
7
作者 张通和 陈俊 +4 位作者 徐红 李静 张荟星 张孝吉 孙贵如 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1993年第4期481-487,共7页
用MEVVA源引出的强束流Y,Cr,C注入H13钢改善了注入层抗氧化、耐腐蚀和抗磨损特性,探索了表面改性的机理。实验结果表明单注入和Y+C,Y+Cr双注入均能得到表面改性的良好效果,双注入效果略好。表面改性的原因是注入样品氧化前后的结构和合... 用MEVVA源引出的强束流Y,Cr,C注入H13钢改善了注入层抗氧化、耐腐蚀和抗磨损特性,探索了表面改性的机理。实验结果表明单注入和Y+C,Y+Cr双注入均能得到表面改性的良好效果,双注入效果略好。表面改性的原因是注入样品氧化前后的结构和合金相发生了明显的变化。上述特性的改善和注入层结构变化、钇铁化物析出相的生成以及铁钇氧化物形成密切相关。这些氧化物经短时氧化(10min)即可形成。由于这些氧化物的形成使得钇的原子形成了特殊的浓度分布,这种分布在氧化过程中保持不变。最后讨论了这些氧化物和钇的特殊浓度分布对抗氧化的作用。 展开更多
关键词 离子注入 抗磨性 抗氧化
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掺铒硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究 
8
作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 张通和 程国安 顾岚岚 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期482-487,共6页
采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10%,即数密度约1021cm-3;注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77 ... 采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10%,即数密度约1021cm-3;注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77 K和室温时用441.6nm光激发有Er3+较强的1.54μm特征光发射.探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er3+的光致发光性能, 展开更多
关键词 纳米硅 离子注入 光致发光 铒掺杂
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区熔单晶硅光晶体管瞬态特性的实验研究
9
作者 梁琨 张海君 +4 位作者 周地宝 杨茹 韩德俊 张录 宁宝俊 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期376-381,共6页
现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用。本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光... 现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用。本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光晶体管的瞬态特性研究结果,采用负载电阻法和互阻放大器法分别测量响应时间对偏置电压和入射光功率的依赖关系。测量结果显示,器件的上升及下降时间明显依赖于入射光功率的变化,对偏置电压的依赖性较弱;416nW和1128nW入射光功率下大尺寸器件的响应时间分别在170μs和10μs量级,在416nW入射光功率下小尺寸器件的上升时间约为30μs,与理论计算结果具有较好的符合。 展开更多
关键词 瞬态特性 光晶体管 区熔硅 互阻放大器
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采用双等离子体制备非晶态碳膜的研究 被引量:1
10
作者 王耀辉 张旭 +3 位作者 吴先映 徐元直 张荟星 张孝吉 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期154-157,共4页
采用直流金属磁过滤阴极真空弧(FCVA)制造出Ti和乙炔(C2H2)气体的双等离子体在单晶硅(100)上制备非晶态碳膜.重点研究了乙炔气体和过滤线圈电流对非晶态碳膜的结构、形貌和机械性能的影响.研究结果表明,薄膜中主要成分是TiC,... 采用直流金属磁过滤阴极真空弧(FCVA)制造出Ti和乙炔(C2H2)气体的双等离子体在单晶硅(100)上制备非晶态碳膜.重点研究了乙炔气体和过滤线圈电流对非晶态碳膜的结构、形貌和机械性能的影响.研究结果表明,薄膜中主要成分是TiC,并以(111)作为主晶向;随着过滤线圈电流的增大,薄膜的晶粒度越来越小;薄膜表面的粗糙度逐渐减小,变得更加平整;薄膜的应力减小,可以下降到2.5GPa.薄膜的显微硬度和弹性模量随着C2H2体积流qy(C2H2)的增大而降低,硬度和弹性模量分别可以达到33.9GPa和237.6GPa.非晶态碳膜的摩擦因数在0.1~0.25之间,大大低于衬底材料单晶硅片的摩擦因数0.6.随着过滤线圈电流增大,摩擦因数减小. 展开更多
关键词 非晶态碳膜 磁过滤阴极真空弧 过滤线圈电流 乙炔的体积流量 结构和性能
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1123K燃气环境中钛铝合金的氧化特征研究
11
作者 李向阳 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期268-271,共4页
研究了金属间化合物-γTiAl基合金:Ti-48Al-2Cr-2Nb在1 123 K燃气环境中的高温氧化特征.检测了该合金在上述氧化条件下循环氧化总计1 080 ks(300 h,15次循环)的氧化增重情况,并对其氧化层的组成和结构用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微... 研究了金属间化合物-γTiAl基合金:Ti-48Al-2Cr-2Nb在1 123 K燃气环境中的高温氧化特征.检测了该合金在上述氧化条件下循环氧化总计1 080 ks(300 h,15次循环)的氧化增重情况,并对其氧化层的组成和结构用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)进行了分析和观测.研究发现:Ti-48Al-2Cr-2Nb在1 123 K燃气环境中具有优异的抗氧化能力,经历1 080 ks循环氧化后试样的氧化增重小于0.01 kg.m-2,而且其氧化动力学曲线近似符合抛物线氧化增重规律.对其氧化层结构的分析和检测表明:氧化层完整致密,无剥落现象发生.研究认为,Ti-48Al-2Cr-2Nb在1 123 K燃气环境中所表现的较强抗氧化能力主要是合金元素Cr和Nb的添加以及外在氧化条件的影响.其中大量合金元素的存在有效地促进了保护性Al2O3氧化层的形成,有利于氧影响层的稳定存在,并阻止了该合金内氧化的发生. 展开更多
关键词 Γ-TIAL基合金 高温氧化 氧化层
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铝合金微弧氧化陶瓷膜的形成过程及其特性 被引量:86
12
作者 薛文彬 邓志威 +2 位作者 来永春 汪新福 陈如意 《电镀与精饰》 CAS 1996年第5期3-6,共4页
分析了微弧氧化陶瓷膜形成过程,描述了样品表面微区弧光放电现象,并采用X射线衍射法(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了LY12铝合金微弧氧化陶瓷膜的相组成及形貌特征。结果表明,铝合金微弧氧化陶瓷膜主要由α-Al_2O_3... 分析了微弧氧化陶瓷膜形成过程,描述了样品表面微区弧光放电现象,并采用X射线衍射法(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了LY12铝合金微弧氧化陶瓷膜的相组成及形貌特征。结果表明,铝合金微弧氧化陶瓷膜主要由α-Al_2O_3、γ-Al_2O_3组成,陶瓷氧化膜具有表面疏松层、致密层两层结构。微弧氧化技术是一种非常有前途的新技术。 展开更多
关键词 铝合金 氧化 微弧氧化 陶瓷膜
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无机溶液折射率与质量浓度关系的理论计算和实验验证 被引量:7
13
作者 解延雷 朱民 +1 位作者 辛督强 张涛 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期47-49,共3页
以一个计算折射率与组分的关系式n=1+∑(ρMDM)为计算原理,对AgNO3和KI溶液的折射行为作了研究,以考察这种方法的实用性.结果表明,折射率的计算值与实验值符合得很好,最大相对误差为:Δnc(AgNO3)=0.02%,Δnc(KI)=0.05%.此方法的结果精度... 以一个计算折射率与组分的关系式n=1+∑(ρMDM)为计算原理,对AgNO3和KI溶液的折射行为作了研究,以考察这种方法的实用性.结果表明,折射率的计算值与实验值符合得很好,最大相对误差为:Δnc(AgNO3)=0.02%,Δnc(KI)=0.05%.此方法的结果精度高,应用方便,基于此原理的溶液质量浓度的折射率测量法有较好的应用前景. 展开更多
关键词 物理光学 二元溶液 折射率 质量浓度
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电子束辐照在二氧化钛上沉积银制备高性能光催化薄膜 被引量:5
14
作者 顾雪楠 叶茂 +4 位作者 胡燕 魏林 侯兴刚 刘晓光 刘安东 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期58-60,共3页
利用5MeV电子束辐照AgNO3溶液浸泡的TiO2薄膜,得到高性能的Ag/TiO2光催化结构.浸泡AgNO3溶液的最佳浓度为5×10-4mol.L-1.
关键词 二氧化钛薄膜 溶胶-凝胶法 电子束辐照 银沉积 光催化
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质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较 被引量:5
15
作者 孙旭芳 王荣 +2 位作者 刘运宏 郭增良 张新辉 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期489-491,共3页
利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐... 利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同. 展开更多
关键词 GAAS/GE太阳电池 质子辐照 电子辐照
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X光透镜应用于蛋白大分子晶体衍射 被引量:3
16
作者 陈俊 赫业军 +4 位作者 李玉德 魏富忠 王大椿 罗萍 颜一鸣 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期32-34,共3页
X光透镜能以较大的收集角收集X光 ,并以准平行光出射 .X光透镜应用于生物蛋白大分子晶体衍射 ,替代单色仪双聚焦镜 ,照射晶体样品的光强提高数倍乃至 1到 2个数量级 ,衍射强度的提高远大于 5倍 ,大大缩短了测试时间 ,分辨能力改善 0 .0 ... X光透镜能以较大的收集角收集X光 ,并以准平行光出射 .X光透镜应用于生物蛋白大分子晶体衍射 ,替代单色仪双聚焦镜 ,照射晶体样品的光强提高数倍乃至 1到 2个数量级 ,衍射强度的提高远大于 5倍 ,大大缩短了测试时间 ,分辨能力改善 0 .0 2~ 0 .0 5nm 。 展开更多
关键词 X光透镜 X光衍射 大分子晶体衍射 蛋白
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阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列及其表征 被引量:4
17
作者 廖斌 覃礼钊 +2 位作者 吴晓玲 张旭 刘安东 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期177-179,共3页
采用阳极氧化法在钛金属表面制备出致密有序的TiO2纳米管膜层.利用FESEM、XRD方法研究了不同阳极氧化时间、电解液组成以及退火对TiO2纳米管形貌的影响.讨论了TiO2纳米管的形成机制.
关键词 TIO2 纳米管 阳极氧化
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使用平行束软X光透镜的深亚微米X射线光刻 被引量:1
18
作者 颜一鸣 王大椿 +3 位作者 赫业军 杨存耿 张胜基 刘安东 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1995年第4期62-65,共4页
使用本实验室研制的整体平行束软X光透镜作为准直器和电子枪软X光源相配,作成了平行束软X光源,用此平行束软X光源进行了深亚微米X射线光刻实验.刻出了1.0μm~0.2μm的线条.文中对实验装置和光刻结果作了简要的介绍。
关键词 X射线 平行束软X光 透镜 软X射线光刻
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(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光 被引量:1
19
作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 张通和 程国安 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期538-541,共4页
采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 ... 采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 77K和室温下 ,观察到了Er3 +的 1 54 展开更多
关键词 氧化硅 离子注入 纳米硅 光致发光 半导体材料 掺杂 稀土
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5~20 MeV高能质子辐照对空间实用GaAs/Ge太阳电池性能的影响 被引量:1
20
作者 王荣 司戈丽 +2 位作者 郭增良 张新辉 翟佐绪 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期214-217,共4页
用能量为 5~ 2 0MeV ,注量为 1× 10 9~ 7× 10 13 cm- 2 的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照 ,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系 ,并对变化关系进行了能损模拟分析 .结果表明 :注量低于 1× 10 9cm- 2... 用能量为 5~ 2 0MeV ,注量为 1× 10 9~ 7× 10 13 cm- 2 的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照 ,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系 ,并对变化关系进行了能损模拟分析 .结果表明 :注量低于 1× 10 9cm- 2 的质子辐照不会引起太阳电池性能的变化 ;当注量增加为3× 10 12 cm- 2 时 ,5 ,10 ,2 0MeV质子辐照引起的太阳电池性能参数Isc的衰降变化分别是原值的80 % ,86 % ,90 % ;Voc的衰降变化分别为原值的 82 % ,85 % ,88% ;Pmax的衰降变化分别为原值的6 0 % ,6 4 % ,6 7% .当辐照注量为 5× 10 13 cm- 2 时 ,5 ,10 ,2 0MeV质子辐照引起的Pmax衰降变化分别为原值的 2 6 % ,30 % ,36 % .即随着注量的增加 ,太阳电池性能衰降增大 ;且相同注量的辐照 ,质子能量愈高 ,太阳电池性能衰降愈小 . 展开更多
关键词 5-20MeV 性能 GAAS/GE太阳电池 质子辐照 空间实用电池
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