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氧注入砷化镓的射程分布与能量淀积分布
1
作者
方福康
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1978年第2期18-24,共7页
文章用Brice的理论对O^+注入GaAs进行了计算和讨论。计算给出了氧离子注入GaAs的射程分布与能量淀积分布;计算中发现在x为小值处的能量淀积分布值偏高的原因应是多方面的;文章并从Markov过程的观点对Brice的P(E,E′,R)方程的推导进行了...
文章用Brice的理论对O^+注入GaAs进行了计算和讨论。计算给出了氧离子注入GaAs的射程分布与能量淀积分布;计算中发现在x为小值处的能量淀积分布值偏高的原因应是多方面的;文章并从Markov过程的观点对Brice的P(E,E′,R)方程的推导进行了讨论。
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关键词
射程分布
淀积
文章用
投影射程
氧离子
反冲核
靶核
砷化镓
原子密度
中间态
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职称材料
氧离子注入GaAs的研究
2
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1977年第1期34-44,共11页
本文研究了在160KeV能量下,O^+注入到n-GaAs或P-GaAs中所形成的半绝缘层的物理特性。测量了样品的电阻率、氧补偿后的载流子浓度分布及晶格损伤。在GaAs肖特基势垒场效应管(MESFET)及条形双异质结激光器的研制中,采用这种注氧隔离技术,...
本文研究了在160KeV能量下,O^+注入到n-GaAs或P-GaAs中所形成的半绝缘层的物理特性。测量了样品的电阻率、氧补偿后的载流子浓度分布及晶格损伤。在GaAs肖特基势垒场效应管(MESFET)及条形双异质结激光器的研制中,采用这种注氧隔离技术,取得了初步效果。本文认为O+注入GaAs形成半绝缘层的机制不是辐射损伤,而是O^+引入了双深能级。
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关键词
双异质结激光器
MESFET
氧离子
场效应管
肖特基势垒
载流子浓度
隔离技术
击穿电压
退火温度
初步效果
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职称材料
题名
氧注入砷化镓的射程分布与能量淀积分布
1
作者
方福康
机构
北京师大
量子力学
小组
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1978年第2期18-24,共7页
文摘
文章用Brice的理论对O^+注入GaAs进行了计算和讨论。计算给出了氧离子注入GaAs的射程分布与能量淀积分布;计算中发现在x为小值处的能量淀积分布值偏高的原因应是多方面的;文章并从Markov过程的观点对Brice的P(E,E′,R)方程的推导进行了讨论。
关键词
射程分布
淀积
文章用
投影射程
氧离子
反冲核
靶核
砷化镓
原子密度
中间态
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
氧离子注入GaAs的研究
2
机构
北京师大
物理系
北京师大 量子力学小组
河北半导体研究所
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1977年第1期34-44,共11页
文摘
本文研究了在160KeV能量下,O^+注入到n-GaAs或P-GaAs中所形成的半绝缘层的物理特性。测量了样品的电阻率、氧补偿后的载流子浓度分布及晶格损伤。在GaAs肖特基势垒场效应管(MESFET)及条形双异质结激光器的研制中,采用这种注氧隔离技术,取得了初步效果。本文认为O+注入GaAs形成半绝缘层的机制不是辐射损伤,而是O^+引入了双深能级。
关键词
双异质结激光器
MESFET
氧离子
场效应管
肖特基势垒
载流子浓度
隔离技术
击穿电压
退火温度
初步效果
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
氧注入砷化镓的射程分布与能量淀积分布
方福康
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1978
0
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职称材料
2
氧离子注入GaAs的研究
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1977
0
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