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题名大规模集成电路用高纯铜及铜合金靶材研究与应用现状
被引量：9
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作者
高岩
贺昕
刘晓
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机构
有研亿金新材料有限公司
北京市高纯金属溅射靶材工程研究中心
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第A02期111-113,121,共4页
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基金
国家科技重大专项02专项(2014ZX02501009)
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文摘
随着大规模集成电路制程向高密集度的方向发展,器件的特征尺寸不断缩小,集成度越来越高。在90nm后随着布线的宽度变窄,高纯铜及铜合金靶材的应用成为一个研究热点。本文通过多个专利及相关文献的检索,总结了高纯铜及铜合金靶材的分类,分析了高纯铜的纯度、合金元素的种类以及分布对高纯铜靶材溅射性能的影响,展望了今后大规模集成电路靶材的发展趋势。
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关键词
集成电路
互连线
高纯
铜合金靶材
溅射
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Keywords
LSI
interconnection
high purity
copper alloy target
sputtering
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分类号
TG146.1
[金属学及工艺—金属材料]
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题名挤压温度对高纯铜组织演变规律的影响
被引量：2
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作者
宝磊
王翾
乐启炽
罗俊锋
曾浩
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机构
东北大学材料电磁过程研究教育部重点实验室
有研亿金新材料有限公司
北京市高纯金属溅射靶材工程研究中心
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出处
《沈阳工业大学学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第4期402-406,共5页
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基金
国家重点研发计划项目(2017YFB0305504)。
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文摘
为了研究挤压温度对高纯铜微观组织和变形行为的影响规律,通过反向挤压方式对高纯铜进行不同挤压温度下的挤压实验并观察了其显微组织.结果表明,随着挤压温度的升高,高纯铜的晶粒尺寸增大.当挤压温度为650℃时,挤压棒材的平均晶粒尺寸为36μm;当挤压温度升至800℃时,挤压棒材的平均晶粒尺寸为51μm.随着变形量的增加,当挤压温度为650~700℃时,压余变形区的平均晶粒尺寸趋向于由60μm变为45μm;当挤压温度为750~800℃时,平均晶粒尺寸则趋向于由90μm变为75μm.800℃挤压变形后晶粒内部出现大量以Σ3特殊晶界为孪晶界的<111>60°退火孪晶.
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关键词
高纯铜
微观组织
晶粒尺寸
退火孪晶
挤压温度
特殊晶界
再结晶
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Keywords
high-purity copper
microstructure
grain size
annealing twin
extrusion temperature
special grain boundary
recrystallization
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分类号
TG376.8
[金属学及工艺—金属压力加工]
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