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固体继电器的特性与应用
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作者 林海涛 红捷 《铁道标准设计》 北大核心 1997年第2期48-48,共1页
关键词 继电器 固体继电器 特性 应用
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以双向可控硅为辅助开关的直流固态断路器关断过压钳位技术
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作者 薛聚 赖耀康 +1 位作者 陈建良 辛振 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第8期31-40,共10页
基于传统金属氧化物压敏电阻的无源过压钳位技术仅能将过压峰值限制在母线电压的两倍以上,极大降低了固态断路器中半导体开关的额定电压利用率,进而降低了固态断路器的运行效率、功率密度和成本优势。为此,在对传统过压钳位技术分析的... 基于传统金属氧化物压敏电阻的无源过压钳位技术仅能将过压峰值限制在母线电压的两倍以上,极大降低了固态断路器中半导体开关的额定电压利用率,进而降低了固态断路器的运行效率、功率密度和成本优势。为此,在对传统过压钳位技术分析的基础上,提出了基于双向可控硅的有源过压钳位技术。利用双向可控硅更易驱动、能够双向导通/阻断和在毫安级电流下自关断的特性,简化了关断过压钳位电路功率结构并设计了专用不控RC驱动电路,降低了电路硬件成本和体积,实现了较好的过压钳位效果。对过压钳位电路的工作过程、参数设计及器件选型进行了详细分析与举例说明。最后,进行了母线电压600 V下的关断过压对比实验,结果表明该方案在保证较好的过压钳位效果的同时其成本被进一步降低。 展开更多
关键词 固态断路器 过压钳位 金属氧化物压敏电阻 双向可控硅 驱动电路
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密封器件压氦和预充氦细检漏判定漏率合格的条件 被引量:7
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作者 薛大同 肖祥正 王庚林 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期735-743,共9页
密封器件氦质谱细检漏包括压氦法(即背压法)和预充氦法。对于压氦法,通常靠粗检鉴别是否有大漏孔,但候检时间不可过长,以免可能存在的大漏孔处于分子流状态,不能靠粗检鉴别。本文给出了最长候检时间表达式,以便既避免漏检又做好... 密封器件氦质谱细检漏包括压氦法(即背压法)和预充氦法。对于压氦法,通常靠粗检鉴别是否有大漏孔,但候检时间不可过长,以免可能存在的大漏孔处于分子流状态,不能靠粗检鉴别。本文给出了最长候检时间表达式,以便既避免漏检又做好被检器件表面的净化工作。预充氦法的优点是可检测的最小等效标准漏率比压氦法低好几个量级。但用户复检时,候检时间往往已很长,如果仅靠通常的压氦法复检加粗检则发挥不出预充氦法的优点。本文改进了预充氦法:提出候检时间存在两个特征点,并给出了表达式;还对压氦法复检加粗检赋于新的重要功能,从而可以针对各种情况,用不同方法和判据,判断漏率是否合格。因此,即使候检时间已很长,仍有可能充分发挥预充氦法优点,并在漏率合格时给出被检器件的等效标准漏率。 展开更多
关键词 氦质谱检漏仪 检漏 密封器件 压氦 预充氦
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密封器件压氦和预充氦细检漏过程中环境氦分压的影响 被引量:2
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作者 薛大同 王庚林 肖祥正 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期730-734,共5页
分别推导和分析了环境大气氦分压对压氦法的影响,地球干洁大气氦分压对预充氦法和预充氦密封器件压氦法复检的影响。证明对于压氦法,不需要考虑地球干洁大气氦分压的影响。但是如果候检室环境大气氦分压显著升高,对于内腔有效容积大,且... 分别推导和分析了环境大气氦分压对压氦法的影响,地球干洁大气氦分压对预充氦法和预充氦密封器件压氦法复检的影响。证明对于压氦法,不需要考虑地球干洁大气氦分压的影响。但是如果候检室环境大气氦分压显著升高,对于内腔有效容积大,且等效标准漏率小的密封器件,会加大测量漏率值,所以压氦后,被检器件应尽快离开压氦设备所在的房间。对于预充氦法,地球干洁大气氦分压会使测量漏率通过极大值后出现极小值,且当候检时间与内腔有效容积之比大于100 h/cm3时,极小值点的气流仍处于分子流状态,不能靠粗检鉴别,所以需压氦法复检加粗检,才能防止漏检。另外,地球干洁大气氦分压会使预充氦法候检时间的第一特征点变大,从而扩大了需压氦法复检加粗检的范围,但第二特征点不变,也不影响压氦法复检加粗检的结果。 展开更多
关键词 氦质谱检漏仪 检漏 密封器件 压氦 预充氦 氦分压的影响
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功率控制器结温无损伤测量技术研究与实现 被引量:1
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作者 闫军政 杨士元 +1 位作者 吴维刚 张金龙 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期74-78,共5页
固态功率控制器或固体继电器逐步向大功率方向发展,其结温测量与监控成为工程应用中的难题,针对这类具有输入输出隔离功能的器件,采用等功率结温测试法研究了基于MOSFET的功率控制器结温无损伤测量技术。利用MOSFET自身结构,通过研究寄... 固态功率控制器或固体继电器逐步向大功率方向发展,其结温测量与监控成为工程应用中的难题,针对这类具有输入输出隔离功能的器件,采用等功率结温测试法研究了基于MOSFET的功率控制器结温无损伤测量技术。利用MOSFET自身结构,通过研究寄生pn结电压随温度变化规律、器件正向功率和反向功率关系、等功率结温测试与实际结温测试结果对比,提出了适用于工程应用的结温无损伤测量方法。结果表明,采用本方法测试结温准确度在1%以内,并可有效避免器件时间差、测试时间差等问题,可实现多层结构、非气密结构等传统方法难以实现的结温测量,具有良好的工程应用价值。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 结温 无损伤 测量 等功率
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