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半导体外延掺杂剂量的直接算法
1
作者
郭世民
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期45-49,共5页
本文介绍了一种用数理统计的方法对半导体外延掺杂剂量的直接算法。实用证明使用该方法可以使外延掺杂剂量控制得更加精确,避免了估算掺杂剂量而产生的误差,对提高半导体器件的成品率具有一定的实际意义。
关键词
半导体
处延
掺杂剂量
算法
在线阅读
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职称材料
塑封小功率晶体管芯片背面金属化与无焊料焊接
被引量:
1
2
作者
张宝华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期55-58,共4页
分析了无焊料焊接工艺对芯片背面金属化的要求,以及几种典型的无焊料焊接芯片背面金属化结构及其基本工艺方法。
关键词
功率晶体管
塑封
芯片
金属化
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职称材料
题名
半导体外延掺杂剂量的直接算法
1
作者
郭世民
机构
北京市半导体器件五厂
一车间
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期45-49,共5页
文摘
本文介绍了一种用数理统计的方法对半导体外延掺杂剂量的直接算法。实用证明使用该方法可以使外延掺杂剂量控制得更加精确,避免了估算掺杂剂量而产生的误差,对提高半导体器件的成品率具有一定的实际意义。
关键词
半导体
处延
掺杂剂量
算法
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
塑封小功率晶体管芯片背面金属化与无焊料焊接
被引量:
1
2
作者
张宝华
机构
北京市半导体器件五厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期55-58,共4页
文摘
分析了无焊料焊接工艺对芯片背面金属化的要求,以及几种典型的无焊料焊接芯片背面金属化结构及其基本工艺方法。
关键词
功率晶体管
塑封
芯片
金属化
分类号
TN323.405 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
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1
半导体外延掺杂剂量的直接算法
郭世民
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991
0
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职称材料
2
塑封小功率晶体管芯片背面金属化与无焊料焊接
张宝华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994
1
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