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氨气浓度对碳纳米管生长影响的研究 被引量:7
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作者 王必本 张兵 +5 位作者 郑坤 郝伟 王国菊 王波 朱满康 严辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期100-104,共5页
利用等离子体增强化学气相沉积系统,用CH4、NH3和H2为反应气体,在沉积有100nm厚Ta过渡层和60nm厚NiFe催化剂层的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构。结果表明当氨气浓度为20%、40%和60%时,碳纳米管的平... 利用等离子体增强化学气相沉积系统,用CH4、NH3和H2为反应气体,在沉积有100nm厚Ta过渡层和60nm厚NiFe催化剂层的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构。结果表明当氨气浓度为20%、40%和60%时,碳纳米管的平均长度分别为3.88μm、4.52μm和6.79μm,而其平均直径变化不大,均在240nm左右。最后,分析讨论了氨气浓度对碳纳米管生长和结构的影响。 展开更多
关键词 氨气 浓度 碳纳米管 生长速率 化学气相沉积系统 反应气体 过渡层
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新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应 被引量:4
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作者 李果华 孙艳宁 +2 位作者 Woodall J M 严辉 Freeouf J L 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期845-847,共3页
为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池。本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50%的内量子效率,在253nm也有... 为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池。本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50%的内量子效率,在253nm也有较好的响应。有望获得高效率的应用于AMO条件的InP太阳电池。此外,实验结果还表明该设计可以应用于短波光探测器。 展开更多
关键词 磷化铟薄膜太阳电池 光谱响应 漂移机制 内量子效率
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辉光放电和压强对准直碳纳米管生长的影响 被引量:3
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作者 王必本 Soonil Lee +2 位作者 郝伟 严辉 Seungho Choi 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第10期80-82,共3页
利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研完了它们的生长和结构,结果表明辉光放电和压强对其生长和结构有极大的影响。若无辉光放电产生,碳纳米管是弯曲的... 利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研完了它们的生长和结构,结果表明辉光放电和压强对其生长和结构有极大的影响。若无辉光放电产生,碳纳米管是弯曲的,有辉光放电时,碳纳米管是准直的。当压强较大时,准直碳纳米管较容易生长,并且随着压强的减小,其平均直径减小和平均长度增大。但压强为5Pa时,准直碳纳米管却不能够生长。最后,分析和讨论了辉光放电和压强对准直碳纳米管生长和结构的影响。 展开更多
关键词 辉光放电 化学气相沉积 碳纳米管 压强
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N_2对碳纳米管生长和结构的影响 被引量:1
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作者 王国菊 王必本 +1 位作者 朱满康 郑坤 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第F09期18-20,共3页
用热丝化学气相沉积制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜和透射电子显微镜研究了它们的结构。结果表明,用CH_4和H_2为反应气体制备的碳纳米管是弯曲和中空的,它们的直径较大,生长速率较低;在反应气体中加入N_2气后,碳纳米管的平均直径减... 用热丝化学气相沉积制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜和透射电子显微镜研究了它们的结构。结果表明,用CH_4和H_2为反应气体制备的碳纳米管是弯曲和中空的,它们的直径较大,生长速率较低;在反应气体中加入N_2气后,碳纳米管的平均直径减小,生长速率增大,它们是准直的和竹节型的。分析和讨论了N_2对碳纳米管生长和结构的影响。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 碳纳米管 扫描电子显微镜 透射电子显微镜 氮气
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衬底温度对碳纳米管生长和结构的影响 被引量:2
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作者 王必本 邢涛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期117-118,128,共3页
用CH4、NH3和H2为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积在沉积有Ta缓冲层和Ni催化剂层的Si衬底上制备了准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜和透射电子显微镜研究了它们的生长和结构随温度的变化。结果表明生长的准直碳纳米管是竹节... 用CH4、NH3和H2为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积在沉积有Ta缓冲层和Ni催化剂层的Si衬底上制备了准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜和透射电子显微镜研究了它们的生长和结构随温度的变化。结果表明生长的准直碳纳米管是竹节型结构,其直径随衬底温度的降低而减小,生长速率随衬底温度的升高有一极值。从催化剂在衬底温度作用下的变化开始,分析了衬底温度对碳纳米管生长和结构的影响。 展开更多
关键词 化学气相沉积 准直碳纳米管 衬底温度
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不同过渡层和电场方向对碳纳米管或纤维生长的影响
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作者 张兵 王必本 +5 位作者 郑坤 侯碧辉 王国菊 王波 朱满康 严辉 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2003年第4期35-38,共4页
利用等离子体增强化学气相沉积系统沉积了碳纳米管或纤维,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构.为避免碳纳米管或纤维在生长过程中从衬底Si表面上脱落,先在Si表面上溅射沉积了金属过渡层Ti或Ta,然后再沉积催化剂NiFe.结果发现Ti... 利用等离子体增强化学气相沉积系统沉积了碳纳米管或纤维,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构.为避免碳纳米管或纤维在生长过程中从衬底Si表面上脱落,先在Si表面上溅射沉积了金属过渡层Ti或Ta,然后再沉积催化剂NiFe.结果发现Ti和Ta过渡层对碳纳米管或纤维的结构有很大的影响.另外,还发现衬底Si放在支架的不同位置,碳纳米管或纤维的生长方向不同,这可能是由于辉光放电产生的非均匀电场所致.对不同过渡层和电场方向对碳纳米管或纤维生长的影响进行了分析和讨论. 展开更多
关键词 过渡层 电场方向 碳纳米管 纤维生长 辉光放电 非均匀电场
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