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金属有机化合物汽相淀积技术制备布拉格反射镜确定外延厚度的方法被引量：1: 1; 作者盖红星陈建新 +5 位作者邓军廉鹏俞波李建军韩军沈光地《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期54-57,共4页; 外延膜层厚度的精确性对垂直腔面发射激光器(VCSEL)是十分重要的。应用传输矩阵方法分析了厚度偏差对半导体布拉格反射镜(DBR)反射谱的影响,并利用这种影响提出了一种金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)制备布拉格反射镜精确确定外延厚度的... 展开更多; 关键词金属有机化合物汽相淀积布拉格反射镜反射谱膜厚测定; 在线阅读下载PDF 职称材料

大功率发光二极管可靠性和寿命评价试验方法被引量：29: 2; 作者贺卫利郭伟玲 +4 位作者高伟史辰陈曦吴娟陈建新《应用光学》 CAS CSCD 2008年第4期533-536,561,共5页; 介绍了发光二极管(LED)的发展简史。提出可能影响LED可靠性的几种因素,主要有封装中的散热问题和LED本身材料缺陷。对于LED可靠性,主要方法是通过测试其寿命来分析其可靠性,一般采取加速实验的方法来测试推导LED寿命。介绍了根据加速应... 展开更多; 关键词发光二极管寿命评价试验方法加速应力数学模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究被引量：3: 3; 作者俞波李建军 +6 位作者盖红星牛南辉邢艳辉邓军韩军廉鹏沈光地《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期181-183,共3页; 对可见光半导体光电子材料Ga0. 5In0. 5P、(AlXGa1-X)0. 5In0. 5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。... 展开更多; 关键词金属有机化合物汽相淀积 ALGAINP GAINP; 在线阅读下载PDF 职称材料

蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响被引量：1: 4; 作者牛南辉王怀兵 +7 位作者刘建平刘乃鑫邢艳辉李彤张念国韩军邓军沈光地《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1914-1916,共3页; 利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明，采... 展开更多; 关键词氮化镓蓝宝石衬底斜切角度 DCXRD MOCVD; 在线阅读下载PDF 职称材料

多层Ti/Al电极结构对Ga N/AlGaN HEMT欧姆接触特性的影响被引量：1: 5; 作者于宁王红航 +5 位作者刘飞飞杜志娟王岳华宋会会朱彦旭孙捷《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期219-223,共5页; 研究了多层Ti/Al结构电极对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响。采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量,采用扫描电子显微镜对电极表面形态进行扫描。实验结果显示,在同样的退火条件下,随着Ti/Al层数的增加,比... 展开更多; 关键词高电子迁移率晶体管欧姆接触退火比接触电阻率; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaInP红光LED的GaP窗口层自组装法粗化: 6; 作者朱彦旭邓琛 +1 位作者徐晨邢艳辉《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期698-701,共4页; 利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)进行混合形成共混物,并进行微相分离和自组装,然后将共混物放置到超声装置中,利用超声波辅助,使自组装微粒直径和位置分布... 展开更多; 关键词发光二极管粗化磷化镓自组装窗口层; 在线阅读下载PDF 职称材料

蒸发速率对ITO光学常数的影响: 7; 作者李天璘朱彦旭 +2 位作者徐晨高国沈光地《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期56-59,共4页; 由于ITO具有复杂的微观结构和吸收机制,很难准确测量出它的光学常数。采用变入射角光度椭偏仪(VASE)建立了一套简单的拟合模型,成功拟合出ITO光学常数在可见光范围内随波长的变化关系。并在此基础上分析了电子束蒸发法蒸发速率对ITO薄... 展开更多; 关键词 ITO 椭偏仪电子束蒸发法蒸发速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属有机化合物汽相淀积技术制备布拉格反射镜确定外延厚度的方法被引量：1: 1; 作者盖红星陈建新邓军廉鹏俞波李建军韩军沈光地; 机构北京工业大学电控学院光电子技术实验室; 出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期54-57,共4页; 基金国家973计划(No.TG2000068302) 国家自然科学基金(No.60276033) 北京市教委(No.01kJ-014)的资助; 文摘外延膜层厚度的精确性对垂直腔面发射激光器(VCSEL)是十分重要的。应用传输矩阵方法分析了厚度偏差对半导体布拉格反射镜(DBR)反射谱的影响,并利用这种影响提出了一种金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)制备布拉格反射镜精确确定外延厚度的方法。据此,应用MOCVD生长了980 nmVCSEL外延片,其反射谱中心波长为982 nm。结果表明,应用这种方法能够实现材料厚度、MOCVD系统生长参数的定标以及为VCSEL的材料生长提供可靠的依据。; 关键词金属有机化合物汽相淀积布拉格反射镜反射谱膜厚测定; Keywords MOCVD DBR reflection spectrum thin film thickness measurement; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大功率发光二极管可靠性和寿命评价试验方法被引量：29: 2; 作者贺卫利郭伟玲高伟史辰陈曦吴娟陈建新; 机构北京工业大学电控学院光电子技术实验室; 出处《应用光学》 CAS CSCD 2008年第4期533-536,561,共5页; 基金北京市教委项目(10200650); 文摘介绍了发光二极管(LED)的发展简史。提出可能影响LED可靠性的几种因素,主要有封装中的散热问题和LED本身材料缺陷。对于LED可靠性,主要方法是通过测试其寿命来分析其可靠性,一般采取加速实验的方法来测试推导LED寿命。介绍了根据加速应力(主要分为单一加速应力和复合加速应力2种)评价LED寿命的测试方法。在不同加速试验应力条件下测试了大功率LED可靠性,并建立了LED寿命的几种数学模型。最后根据具体实例,通过选择加速应力和试验方法,给出具体推导LED寿命的数学公式。; 关键词发光二极管寿命评价试验方法加速应力数学模型; Keywords light-emitting diode （LED） testing method of lifetime evaluation accelerated stress mathematical model; 分类号 TN384 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究被引量：3: 3; 作者俞波李建军盖红星牛南辉邢艳辉邓军韩军廉鹏沈光地; 机构北京工业大学电控学院光电子技术实验室; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期181-183,共3页; 基金科技部 973计划项目(NO.G20000683-02)。; 文摘对可见光半导体光电子材料Ga0. 5In0. 5P、(AlXGa1-X)0. 5In0. 5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础。; 关键词金属有机化合物汽相淀积 ALGAINP GAINP; Keywords metallorganic chemical vapor deposition AlGaInP GaInP; 分类号 TN244 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响被引量：1: 4; 作者牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢艳辉李彤张念国韩军邓军沈光地; 机构北京工业大学电控学院光电子技术实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1914-1916,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(60506012) 北京市教委重点资助项目(KZ200510005003) 北京市人才强教计划资助项目(052002015200504); 文摘利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明，采用具有斜切角度的衬底，可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性，并且存在一个衬底最优斜切角度0．2°，此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好。; 关键词氮化镓蓝宝石衬底斜切角度 DCXRD MOCVD; Keywords GaN sapphire substrate mis-cut angle DCXRD MOCVD; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多层Ti/Al电极结构对Ga N/AlGaN HEMT欧姆接触特性的影响被引量：1: 5; 作者于宁王红航刘飞飞杜志娟王岳华宋会会朱彦旭孙捷; 机构北京工业大学电控学院光电子技术实验室电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期219-223,共5页; 基金北京市15青年拔尖项目(311000543115501) 中山市科技计划(2014A2FC305) +1 种基金国家自然科学基金(61204011) 科研基地建设(PXM2015_014204_500008)资助项目; 文摘研究了多层Ti/Al结构电极对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响。采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量,采用扫描电子显微镜对电极表面形态进行扫描。实验结果显示,在同样的退火条件下,随着Ti/Al层数的增加,比接触电阻率逐渐减小,表面形态趋于光滑;降低Ti/Al层的厚度会加剧Au向内扩散而增加比接触电阻率,但能稍微改善表面形态;Ti比例过高会影响Ti N的形成导致比接触电阻率增加,但能明显改善表面形态。; 关键词高电子迁移率晶体管欧姆接触退火比接触电阻率; Keywords high electron mobility transistor Ohmic contact annealing specific contact resistance; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaInP红光LED的GaP窗口层自组装法粗化: 6; 作者朱彦旭邓琛徐晨邢艳辉; 机构北京工业大学电控学院光电子技术实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期698-701,共4页; 基金国家自然科学基金(61107026) 北京市教委基金(KM20120005004); 文摘利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)进行混合形成共混物,并进行微相分离和自组装,然后将共混物放置到超声装置中,利用超声波辅助,使自组装微粒直径和位置分布相对均匀,形成用于刻蚀微纳结构的微掩模。最后利用湿法腐蚀,在LED的GaP窗口层上制作出纳米结构的粗化层。通过SEM、显微镜手段,优化了刻蚀条件。测量了器件的光强、光功率以及I-V曲线,结果表明,使用高分子自组装进行粗化,可以在保持电压及波长特性的条件下,提高光输出功率19.3%。; 关键词发光二极管粗化磷化镓自组装窗口层; Keywords light-emitting diode roughness GaP self-assembly window layer; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名蒸发速率对ITO光学常数的影响: 7; 作者李天璘朱彦旭徐晨高国沈光地; 机构北京工业大学电控学院光电子技术实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期56-59,共4页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03A121) 北京市人才强教计划基金资助项目(05002015200504) 北京工业大学博士启动基金资助项目(X0002013200801); 文摘由于ITO具有复杂的微观结构和吸收机制,很难准确测量出它的光学常数。采用变入射角光度椭偏仪(VASE)建立了一套简单的拟合模型,成功拟合出ITO光学常数在可见光范围内随波长的变化关系。并在此基础上分析了电子束蒸发法蒸发速率对ITO薄膜光学常数的影响。根据Hall效应测量了ITO在不同蒸发速率下的载流子浓度,分析了ITO光学常数随蒸发速率增加而增加的机理。; 关键词 ITO 椭偏仪电子束蒸发法蒸发速率; Keywords ITO spectroscopic ellipsometry e-beam evaporation evaporation rate; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	金属有机化合物汽相淀积技术制备布拉格反射镜确定外延厚度的方法	盖红星陈建新邓军廉鹏俞波李建军韩军沈光地	《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	大功率发光二极管可靠性和寿命评价试验方法	贺卫利郭伟玲高伟史辰陈曦吴娟陈建新	《应用光学》 CAS CSCD	2008	29	在线阅读下载PDF 职称材料
3	(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究	俞波李建军盖红星牛南辉邢艳辉邓军韩军廉鹏沈光地	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2005	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响	牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢艳辉李彤张念国韩军邓军沈光地	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	多层Ti/Al电极结构对Ga N/AlGaN HEMT欧姆接触特性的影响	于宁王红航刘飞飞杜志娟王岳华宋会会朱彦旭孙捷	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	AlGaInP红光LED的GaP窗口层自组装法粗化	朱彦旭邓琛徐晨邢艳辉	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	蒸发速率对ITO光学常数的影响	李天璘朱彦旭徐晨高国沈光地	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料