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低温SiGe/Si HBT的研制及性能分析
被引量：
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作者
徐晨
沈光地
+5 位作者
邹德恕
陈建新
邓军
魏欢
杜金玉
高国
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期285-286,274,共3页
用MBE(分子束外延 ,MolecularBeamEpitaxy)生长的材料研制了在低温工作的SiGe/SiHBT(异质结双极型晶体管 ,HeterojunctionBipolarTransistor) .其在液氮下的直流增益hfe(Ic/Ib)为 16 0 0 0 ,交流增益 β(ΔIc/ΔIb)为 2 6 0 0 0 ,分别...
用MBE(分子束外延 ,MolecularBeamEpitaxy)生长的材料研制了在低温工作的SiGe/SiHBT(异质结双极型晶体管 ,HeterojunctionBipolarTransistor) .其在液氮下的直流增益hfe(Ic/Ib)为 16 0 0 0 ,交流增益 β(ΔIc/ΔIb)为 2 6 0 0 0 ,分别比室温增益提高 5 1和 73倍 .测试了该HBT直流特性从室温到液氮范围内随温度的变化 ,并作了分析讨论 .
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关键词
SIGE/SI
HBT
分子束外延
异质结双极晶体管
低温电子学
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职称材料
题名
低温SiGe/Si HBT的研制及性能分析
被引量：
1
1
作者
徐晨
沈光地
邹德恕
陈建新
邓军
魏欢
杜金玉
高国
机构
北京工业大学电子工程系和北京市光电子技术实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期285-286,274,共3页
基金
国家"863"计划! (No .863 30 7 1 5 4(0 6) )
国家973项目! (No .G2 0 0 0 0 683 0 2 )
国家自然科学基金! (No .698760 0 4 )
文摘
用MBE(分子束外延 ,MolecularBeamEpitaxy)生长的材料研制了在低温工作的SiGe/SiHBT(异质结双极型晶体管 ,HeterojunctionBipolarTransistor) .其在液氮下的直流增益hfe(Ic/Ib)为 16 0 0 0 ,交流增益 β(ΔIc/ΔIb)为 2 6 0 0 0 ,分别比室温增益提高 5 1和 73倍 .测试了该HBT直流特性从室温到液氮范围内随温度的变化 ,并作了分析讨论 .
关键词
SIGE/SI
HBT
分子束外延
异质结双极晶体管
低温电子学
Keywords
Electric current control
Gain control
Low temperature properties
Low temperature testing
Semiconductor device manufacture
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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出处
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1
低温SiGe/Si HBT的研制及性能分析
徐晨
沈光地
邹德恕
陈建新
邓军
魏欢
杜金玉
高国
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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