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新型Al金属化系统微波器件EB结的可靠性研究
1
作者
郭伟玲
李志国
+1 位作者
孙英华
程尧海
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期28-32,共5页
对具有Al-Si-Pd/TiN/Ti/PtSi/Si(样品A)和Al-Si-Pd/Ti/PtSi/Si(样品B)两种新型金属化结构的微波管的EB结在不同温度、相同电流条件下进行了加速寿命试验,得到其中值寿命(MTF)...
对具有Al-Si-Pd/TiN/Ti/PtSi/Si(样品A)和Al-Si-Pd/Ti/PtSi/Si(样品B)两种新型金属化结构的微波管的EB结在不同温度、相同电流条件下进行了加速寿命试验,得到其中值寿命(MTF)相差近一倍,激活能分别为0.92和0.79eV。
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关键词
金属化系统
微波器件
可靠性
在线阅读
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职称材料
GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展
被引量:
2
2
作者
穆甫臣
李志国
+4 位作者
郭伟玲
张万荣
孙英华
程尧海
严永鑫
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期6-12,28,共8页
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退化的GaAsMES-FET的失效分析。结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,...
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退化的GaAsMES-FET的失效分析。结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,接触材料也日趋丰富,GaAsMESFET的失效分析方法也有明显改进。
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关键词
MESFET
欧姆接触
可靠性
砷化镓
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职称材料
题名
新型Al金属化系统微波器件EB结的可靠性研究
1
作者
郭伟玲
李志国
孙英华
程尧海
机构
北京工业大学电子工程系可靠性物理室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期28-32,共5页
文摘
对具有Al-Si-Pd/TiN/Ti/PtSi/Si(样品A)和Al-Si-Pd/Ti/PtSi/Si(样品B)两种新型金属化结构的微波管的EB结在不同温度、相同电流条件下进行了加速寿命试验,得到其中值寿命(MTF)相差近一倍,激活能分别为0.92和0.79eV。
关键词
金属化系统
微波器件
可靠性
分类号
TN120.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展
被引量:
2
2
作者
穆甫臣
李志国
郭伟玲
张万荣
孙英华
程尧海
严永鑫
机构
北京工业大学电子工程系可靠性物理室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期6-12,28,共8页
文摘
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退化的GaAsMES-FET的失效分析。结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,接触材料也日趋丰富,GaAsMESFET的失效分析方法也有明显改进。
关键词
MESFET
欧姆接触
可靠性
砷化镓
Keywords
GaAs MESFET Ohmic contact Reliability
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
TN305.93 [电子电信—物理电子学]
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1
新型Al金属化系统微波器件EB结的可靠性研究
郭伟玲
李志国
孙英华
程尧海
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
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职称材料
2
GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展
穆甫臣
李志国
郭伟玲
张万荣
孙英华
程尧海
严永鑫
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
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