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埋入式晶圆级封装芯片翘曲有限元仿真及参数敏感性分析
1
作者
吴道伟
李贺超
+3 位作者
李逵
张雨婷
代岩伟
秦飞
《半导体技术》
北大核心
2025年第4期399-406,共8页
作为系统级封装(SiP)的关键技术之一,芯片埋置技术在提高I/O接口数量方面发挥着重要作用。伴随加工工艺温度变化,埋置芯片产生一定程度的翘曲,导致后续铺层的破损,使产品良率降低。针对埋入式晶圆级封装芯片在加工过程中的翘曲行为进行...
作为系统级封装(SiP)的关键技术之一,芯片埋置技术在提高I/O接口数量方面发挥着重要作用。伴随加工工艺温度变化,埋置芯片产生一定程度的翘曲,导致后续铺层的破损,使产品良率降低。针对埋入式晶圆级封装芯片在加工过程中的翘曲行为进行了模拟和研究。采用均匀化等效建模进行了有限元模拟,并结合输入参数变化和正交实验分析,研究了材料的弹性模量对芯片翘曲的影响。研究结果表明,芯片粘结薄膜(DAF)和钝化层(PL)的弹性模量对埋置芯片的翘曲起主要作用,为降低埋入式晶圆级封装芯片翘曲提供了参考。
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关键词
芯片埋置
翘曲
均匀化等效
正交实验
有限元分析
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职称材料
基于SVR数据驱动模型的SiC功率器件关键互连结构热疲劳寿命预测研究
2
作者
于鹏举
代岩伟
秦飞
《电子与封装》
2024年第12期14-24,共11页
烧结纳米银的互连可靠性对于SiC模块至关重要。随着人工智能与封装可靠性领域的交叉研究不断深入,发展基于数据驱动的互连可靠性评价方法已经成为该领域研究的前沿问题之一。以典型SiC互连结构为研究对象,将热疲劳寿命作为评价指标,通...
烧结纳米银的互连可靠性对于SiC模块至关重要。随着人工智能与封装可靠性领域的交叉研究不断深入,发展基于数据驱动的互连可靠性评价方法已经成为该领域研究的前沿问题之一。以典型SiC互连结构为研究对象,将热疲劳寿命作为评价指标,通过综合研究芯片尺寸、烧结纳米银层尺寸和力学参数等关键因素,构建了基于支持向量回归(SVR)模型的烧结纳米银热疲劳寿命数据驱动预测模型,并对所提出的数据驱动模型进行综合量化考察和验证。通过研究关键互连参数的相关性矩阵,发现增加烧结银层厚度可以提高互连结构的寿命,而烧结银层弹性模量和SiC芯片厚度对互连可靠性有不利影响,该研究结果可用于指导SiC互连层的优化设计。
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关键词
封装技术
功率模块
烧结纳米银
疲劳寿命
机器学习
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职称材料
基于RVE-子模型法的多尺度封装结构分析方法
被引量：
3
3
作者
孙国立
公颜鹏
+2 位作者
侯传涛
李尧
秦飞
《强度与环境》
CSCD
2022年第5期88-93,共6页
电子封装结构具有典型的几何多尺度特征,由于大尺寸结构和小尺寸结构在同一个数值模型中,数值分析时需要划分大量单元,导致计算成本高,有时甚至无法计算。本文针对电子封装中的几何多尺度结构提出一种RVE-子模型法,对封装结构中典型的...
电子封装结构具有典型的几何多尺度特征,由于大尺寸结构和小尺寸结构在同一个数值模型中,数值分析时需要划分大量单元,导致计算成本高,有时甚至无法计算。本文针对电子封装中的几何多尺度结构提出一种RVE-子模型法,对封装结构中典型的周期性多尺度结构建立等效模型,采用直接平均理论得到RVE本构,并赋给所建立的等效模型。基于子模型理论,将重点关注位置建立精细模型,以得到关键位置的准确应力应变场。该方法不仅将宏微观尺度分离,又能保证其相互耦合关系,保证模型计算精度的同时又减小计算规模,适用于求解多尺度模型关键位置的应力应变响应。算例表明,RVE-子模型法可以高效率的分析电子封装结构中的多尺度问题。
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关键词
RVE-子模型法
多尺度
等效模型
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职称材料
题名
埋入式晶圆级封装芯片翘曲有限元仿真及参数敏感性分析
1
作者
吴道伟
李贺超
李逵
张雨婷
代岩伟
秦飞
机构
西安微
电子
技术
研究所
北京工业大学电子封装技术与可靠性研究所
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第4期399-406,共8页
基金
北京市自然科学基金-小米创新联合基金(L243030)。
文摘
作为系统级封装(SiP)的关键技术之一,芯片埋置技术在提高I/O接口数量方面发挥着重要作用。伴随加工工艺温度变化,埋置芯片产生一定程度的翘曲,导致后续铺层的破损,使产品良率降低。针对埋入式晶圆级封装芯片在加工过程中的翘曲行为进行了模拟和研究。采用均匀化等效建模进行了有限元模拟,并结合输入参数变化和正交实验分析,研究了材料的弹性模量对芯片翘曲的影响。研究结果表明,芯片粘结薄膜(DAF)和钝化层(PL)的弹性模量对埋置芯片的翘曲起主要作用,为降低埋入式晶圆级封装芯片翘曲提供了参考。
关键词
芯片埋置
翘曲
均匀化等效
正交实验
有限元分析
Keywords
chip embedded
warpage
homogenized equivalence
orthogonal experiment
finite element analysis
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于SVR数据驱动模型的SiC功率器件关键互连结构热疲劳寿命预测研究
2
作者
于鹏举
代岩伟
秦飞
机构
北京工业大学电子封装技术与可靠性研究所
出处
《电子与封装》
2024年第12期14-24,共11页
基金
国家自然科学基金(12272012)。
文摘
烧结纳米银的互连可靠性对于SiC模块至关重要。随着人工智能与封装可靠性领域的交叉研究不断深入,发展基于数据驱动的互连可靠性评价方法已经成为该领域研究的前沿问题之一。以典型SiC互连结构为研究对象,将热疲劳寿命作为评价指标,通过综合研究芯片尺寸、烧结纳米银层尺寸和力学参数等关键因素,构建了基于支持向量回归(SVR)模型的烧结纳米银热疲劳寿命数据驱动预测模型,并对所提出的数据驱动模型进行综合量化考察和验证。通过研究关键互连参数的相关性矩阵,发现增加烧结银层厚度可以提高互连结构的寿命,而烧结银层弹性模量和SiC芯片厚度对互连可靠性有不利影响,该研究结果可用于指导SiC互连层的优化设计。
关键词
封装技术
功率模块
烧结纳米银
疲劳寿命
机器学习
Keywords
packaging technology
power module
sintered nano silver
fatigue life
machine learning
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于RVE-子模型法的多尺度封装结构分析方法
被引量：
3
3
作者
孙国立
公颜鹏
侯传涛
李尧
秦飞
机构
北京工业大学电子封装技术与可靠性研究所
北京
强度环境
研究所
可靠性
与环境工程
技术
重点实验室
出处
《强度与环境》
CSCD
2022年第5期88-93,共6页
基金
国家自然科学基金(12002009)
北京市教委科研计划一般项目(KM202110005032)。
文摘
电子封装结构具有典型的几何多尺度特征,由于大尺寸结构和小尺寸结构在同一个数值模型中,数值分析时需要划分大量单元,导致计算成本高,有时甚至无法计算。本文针对电子封装中的几何多尺度结构提出一种RVE-子模型法,对封装结构中典型的周期性多尺度结构建立等效模型,采用直接平均理论得到RVE本构,并赋给所建立的等效模型。基于子模型理论,将重点关注位置建立精细模型,以得到关键位置的准确应力应变场。该方法不仅将宏微观尺度分离,又能保证其相互耦合关系,保证模型计算精度的同时又减小计算规模,适用于求解多尺度模型关键位置的应力应变响应。算例表明,RVE-子模型法可以高效率的分析电子封装结构中的多尺度问题。
关键词
RVE-子模型法
多尺度
等效模型
Keywords
RVE-Submodel method
Multiscale
Equivalent model
分类号
V443 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
埋入式晶圆级封装芯片翘曲有限元仿真及参数敏感性分析
吴道伟
李贺超
李逵
张雨婷
代岩伟
秦飞
《半导体技术》
北大核心
2025
0
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职称材料
2
基于SVR数据驱动模型的SiC功率器件关键互连结构热疲劳寿命预测研究
于鹏举
代岩伟
秦飞
《电子与封装》
2024
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于RVE-子模型法的多尺度封装结构分析方法
孙国立
公颜鹏
侯传涛
李尧
秦飞
《强度与环境》
CSCD
2022
3
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职称材料
已选择
0
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