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InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In_(0.53)Ga_(0.47)As材料光致发光特性的影响
被引量：
1
1
作者
吴波
邓军
+4 位作者
杨利鹏
田迎
韩军
李建军
史衍丽
《红外技术》
CSCD
北大核心
2014年第5期415-418,共4页
利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响。本文通过对两侧InP材...
利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响。本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理,实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高。
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关键词
INP
变掺杂
MOCVD
INGAAS
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职称材料
题名
InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In_(0.53)Ga_(0.47)As材料光致发光特性的影响
被引量：
1
1
作者
吴波
邓军
杨利鹏
田迎
韩军
李建军
史衍丽
机构
北京工业大学电子信息与控制工程控学院光电子技术省部共建教育部重点实验室
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2014年第5期415-418,共4页
基金
国家自然科学基金
编号:U1037602
文摘
利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响。本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理,实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高。
关键词
INP
变掺杂
MOCVD
INGAAS
Keywords
InP
Varied doping
MOCVD
InGaAs
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In_(0.53)Ga_(0.47)As材料光致发光特性的影响
吴波
邓军
杨利鹏
田迎
韩军
李建军
史衍丽
《红外技术》
CSCD
北大核心
2014
1
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