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AlGaN/GaN和AlGaN SBD的温度特性研究
1
作者
李菲
吕长志
+3 位作者
段毅
张小玲
李颖
张志国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期482-485,共4页
研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性。将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验比较。发现随着温度上升,AlGaN SBD的势垒高度下降,理想因子增加,其影响因素包括热电子发射、场发射、...
研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性。将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验比较。发现随着温度上升,AlGaN SBD的势垒高度下降,理想因子增加,其影响因素包括热电子发射、场发射、隧穿效应及复合电流效应等机制。而AlGaN/GaN异质结SBD由于受到压电极化场和2DEG和的影响,其势垒高度和理想因子随温度的变化趋势与AlGaN SBD相反。实验结果还显示,AlGaN/GaN异质结SBD的反向电流随着温度的上升,呈现先增大后减小的趋势。
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关键词
肖特基二极管
肖特基势垒高度
理想因子
温度
二维电子气
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职称材料
基于参数退化法评价功率肖特基二极管寿命
被引量：
4
2
作者
段毅
马卫东
+1 位作者
吕长志
李志国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期92-95,共4页
对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻RS等参数的退化情况。可以看出,在退化的过程中,SBD的IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而RS则缓慢增加。...
对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻RS等参数的退化情况。可以看出,在退化的过程中,SBD的IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而RS则缓慢增加。综合考察这些退化曲线,采用退化最为明显的IR作为失效判据。基于IR参数退化曲线,使用恒定电应力温度斜坡法(CETRM)模型,推导出该功率肖特基二极管的寿命约为4.3×107h,测试结果与实际预测相符。
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关键词
退化试验
理想因子
势垒高度
肖特基二极管
恒定电应力温度斜坡法
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职称材料
题名
AlGaN/GaN和AlGaN SBD的温度特性研究
1
作者
李菲
吕长志
段毅
张小玲
李颖
张志国
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室
首钢工
学院
机电
工程
系
中国
电子
科技集团公司第十三
研究
所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期482-485,共4页
文摘
研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性。将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验比较。发现随着温度上升,AlGaN SBD的势垒高度下降,理想因子增加,其影响因素包括热电子发射、场发射、隧穿效应及复合电流效应等机制。而AlGaN/GaN异质结SBD由于受到压电极化场和2DEG和的影响,其势垒高度和理想因子随温度的变化趋势与AlGaN SBD相反。实验结果还显示,AlGaN/GaN异质结SBD的反向电流随着温度的上升,呈现先增大后减小的趋势。
关键词
肖特基二极管
肖特基势垒高度
理想因子
温度
二维电子气
Keywords
SBD
Schottky barrier height
ideality factor
temperature
2DEG
分类号
TN311.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于参数退化法评价功率肖特基二极管寿命
被引量：
4
2
作者
段毅
马卫东
吕长志
李志国
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期92-95,共4页
文摘
对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻RS等参数的退化情况。可以看出,在退化的过程中,SBD的IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而RS则缓慢增加。综合考察这些退化曲线,采用退化最为明显的IR作为失效判据。基于IR参数退化曲线,使用恒定电应力温度斜坡法(CETRM)模型,推导出该功率肖特基二极管的寿命约为4.3×107h,测试结果与实际预测相符。
关键词
退化试验
理想因子
势垒高度
肖特基二极管
恒定电应力温度斜坡法
Keywords
degenerate test
ideal factor
barrier height
SBD
CETRM
分类号
TN312.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaN/GaN和AlGaN SBD的温度特性研究
李菲
吕长志
段毅
张小玲
李颖
张志国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
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职称材料
2
基于参数退化法评价功率肖特基二极管寿命
段毅
马卫东
吕长志
李志国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
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职称材料
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