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题名直流和脉冲工作的VDMOS可靠性试验
被引量：5
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作者
单尼娜
吕长志
马卫东
李志国
郭春生
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机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期172-175,共4页
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文摘
基于恒定电应力温度斜坡法（CETRM），对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究，考察了器件阈值电压、跨导以及导通电阻的退化情况，得出在两种工作状态下均是跨导为失效敏感参数。在直流工作状态下，VDMOS失效激活能为0．57～0．68ev，寿命为7．97×10^5—1．15×10^7h；在脉冲工作状态下，VDMOS失效激活能为0．66～0．7eV，寿命为4．3×10^5-4．6×10×10^6h。对跨导的退化机理进行了分析。
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关键词
纵向双扩散金属氧化物半导体
激活能
寿命
恒定电应力温度斜坡法
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Keywords
VDMOS
activation energy
life
CETRM
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分类号
TN312.4
[电子电信—物理电子学]
TN306
[电子电信—物理电子学]
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题名AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究
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作者
张浩
吕长志
朱修殿
徐立国
杨集
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机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性物理研究室
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2005年第11期7-9,共3页
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文摘
研究了20℃￣-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaNHEMT的直流特性。随温度降低,电子迁移率增大,而二维电子气密度基本不变,HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降,在一定温度范围内变化不明显,其原因除栅肖特基势垒高度、AlGaN/GaN导带差发生变化外,还可能与器件制备工艺和源极串联电阻有关。
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关键词
ALGAN/GAN
HEMT
低温特性
饱和漏极电流
阈值电压
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Keywords
AlGaN/GaN HEMT, Low temperature characteristic, Saturation drain current, Threshold voltage
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分类号
TN325
[电子电信—物理电子学]
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题名快速评价半导体器件失效激活能的方法
被引量：6
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作者
郭春生
谢雪松
马卫东
李志国
程尧海
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机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期122-126,共5页
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基金
国防科工委基础研究课题资助项目(Z032005A001)
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文摘
通过对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速评价半导体器件失效激活能的方法,建立了计算失效激活能的理论模型。并对硅pnp三极管3CG120进行额定功率下,170-345℃范围内的序进应力加速寿命试验,快速提取器件失效敏感参数hFE与所施加应力的关系,根据模型对器件退化过程中的失效机理进行研究、计算,从而确定其对应的失效激活能。
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关键词
激活能
加速寿命试验
快速评价
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Keywords
activation energy
accelerated life test
rapid evaluation
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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