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1．8V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源
1
作者
方穗明
王占仓
高风
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期1052-1055,共4页
通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5～1.8V电压下正常工作,功耗小于0.5 mW,输出电压为1.25V,温度系数低于1.8×10^(-5)/℃...
通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5～1.8V电压下正常工作,功耗小于0.5 mW,输出电压为1.25V,温度系数低于1.8×10^(-5)/℃,且低频下PSRR的值可以达到-110 dB.
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关键词
CMOS
带隙基准电压源
工作温度范围
电源抑制比
温度系数
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职称材料
题名
1．8V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源
1
作者
方穗明
王占仓
高风
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院北京嵌入式系统重点实验室
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期1052-1055,共4页
基金
北京市教育委员会资助项目(0030400
4040111).
文摘
通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5～1.8V电压下正常工作,功耗小于0.5 mW,输出电压为1.25V,温度系数低于1.8×10^(-5)/℃,且低频下PSRR的值可以达到-110 dB.
关键词
CMOS
带隙基准电压源
工作温度范围
电源抑制比
温度系数
Keywords
CMOS
bandgap voltage reference
temperature operating range
power supply rejection ratio
temperature coefficient
分类号
TN432.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1．8V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源
方穗明
王占仓
高风
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2007
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