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外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究被引量：4: 1; 作者李影智邢艳辉 +3 位作者韩军陈翔邓旭光徐晨《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1084-1088,共5页; 采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/... 展开更多; 关键词金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 非掺杂氮化镓(GaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 光致荧光(PL)光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响被引量：2: 2; 作者陈翔邢艳辉 +5 位作者韩军霍文娟钟林健崔明范亚明张宝顺《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期727-731,共5页; 采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品,研究了AlN缓冲层厚度对GaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明:厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散,而且还给GaN外延层提... 展开更多; 关键词 ALN缓冲层 GAN SI衬底张应力 MOCVD; 在线阅读下载PDF 职称材料

反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响被引量：2: 3; 作者郭立建韩军 +3 位作者邢艳辉王凯赵康康于保宁《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期384-389,共6页; 通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（... 展开更多; 关键词反应离子刻蚀(RIE) 碳化硅(SiC) 肖特基二极管刻蚀损伤电流-电压特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In_(0.53)Ga_(0.47)As材料光致发光特性的影响被引量：1: 4; 作者吴波邓军 +4 位作者杨利鹏田迎韩军李建军史衍丽《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第5期415-418,共4页; 利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响。本文通过对两侧InP材... 展开更多; 关键词 INP 变掺杂 MOCVD INGAAS; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响: 5; 作者钟林健邢艳辉 +5 位作者韩军陈翔朱启发范亚明邓旭光张宝顺《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期830-834,共5页; 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT),研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延(PALE)技术生长AlN... 展开更多; 关键词 AlN厚度 PALE MOCVD HEMT 电学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究被引量：4: 1; 作者李影智邢艳辉韩军陈翔邓旭光徐晨; 机构北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1084-1088,共5页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)(2008AA03Z402) 北京市自然科学基金(4102003 +3 种基金 4112006 4092007) 国家自然科学基金(61204011 61107026)资助项目; 文摘采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低。利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。; 关键词金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 非掺杂氮化镓(GaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 光致荧光(PL)光谱; Keywords metal-organic chemical vapor deposition（MOCVD） non-doped GaN double-crstal X-ray diffraction photoluminescence spectra; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响被引量：2: 2; 作者陈翔邢艳辉韩军霍文娟钟林健崔明范亚明张宝顺; 机构北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期727-731,共5页; 基金国家自然科学基金(61204011 61107026 +5 种基金 61176126 61006084) 北京市自然科学基金(4102003 4112006) 北京市教委科研计划(KM201210005004)资助项目; 文摘采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品,研究了AlN缓冲层厚度对GaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明:厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散,而且还给GaN外延层提供了一个较大的压应力,避免GaN薄膜出现裂纹。在该厚度AlN缓冲层上制备的GaN薄膜表面光亮、无裂纹,受到的张应力为0.3 GPa,(0002)和(1012)面的高分辨X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽分别为536 arcsec和594 arcsec,原子力显微镜测试得到表面粗糙度为0.2 nm。; 关键词 ALN缓冲层 GAN SI衬底张应力 MOCVD; Keywords Atomic force microscopy Buffer layers Cracks Epitaxial films Gallium nitride Metallorganic chemical vapor deposition Optical waveguides Silicon; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响被引量：2: 3; 作者郭立建韩军邢艳辉王凯赵康康于保宁; 机构北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期384-389,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61204011 11204009) +1 种基金北京市教委能力提升资助项目(PXM2014_014204_07_000018); 文摘通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（SF6和O2）流量的影响。在高的RF功率下,观察到在Si C表面形成的刻蚀损伤（凹陷坑和锥形坑）。研究表明,这些刻蚀损伤的形成和Si C材料自身的缺陷有关,而且这些刻蚀损伤的存在会导致Si C肖特基二极管正反向I-V性能发生恶化。在刻蚀损伤严重的情况下,对比正反向I-V测试结果发现,在0～50 V的绝对电压范围内,正向电流甚至远小于反向电流。; 关键词反应离子刻蚀(RIE) 碳化硅(SiC) 肖特基二极管刻蚀损伤电流-电压特性; Keywords reactive ion etching（RIE） silicon carbide（SiC） Schottky diode etching damage I-V characterization; 分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In_(0.53)Ga_(0.47)As材料光致发光特性的影响被引量：1: 4; 作者吴波邓军杨利鹏田迎韩军李建军史衍丽; 机构北京工业大学电子信息与控制工程控学院光电子技术省部共建教育部重点实验室昆明物理研究所; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第5期415-418,共4页; 基金国家自然科学基金编号:U1037602; 文摘利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响。本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理,实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高。; 关键词 INP 变掺杂 MOCVD INGAAS; Keywords InP Varied doping MOCVD InGaAs; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响: 5; 作者钟林健邢艳辉韩军陈翔朱启发范亚明邓旭光张宝顺; 机构北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期830-834,共5页; 基金国家自然科学基金(61204011 11204009 +3 种基金 61107026 61006084) 北京市自然科学基金(4142005)资助项目; 文摘利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT),研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延(PALE)技术生长AlN隔离层的时间为12 s(1 nm左右)时,HEMT材料的方块电阻最小,电子迁移率为1 500 cm2·V-1·s-1,二维电子气(2DEG)浓度为1.16×1013cm-2。AFM测试结果表明,一定厚度范围内的AlN隔离层并不会对材料的表面形貌产生重大的影响。HRXRD测试结果表明,AlGaN/AlN/GaN具有好的异质结界面。; 关键词 AlN厚度 PALE MOCVD HEMT 电学性能; Keywords AlN thickness PALE MOCVD HEMT electrical properties; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究	李影智邢艳辉韩军陈翔邓旭光徐晨	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响	陈翔邢艳辉韩军霍文娟钟林健崔明范亚明张宝顺	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响	郭立建韩军邢艳辉王凯赵康康于保宁	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In_(0.53)Ga_(0.47)As材料光致发光特性的影响	吴波邓军杨利鹏田迎韩军李建军史衍丽	《红外技术》 CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响	钟林健邢艳辉韩军陈翔朱启发范亚明邓旭光张宝顺	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料