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新型光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
被引量：
8
1
作者
宋晏蓉
郭晓萍
+5 位作者
王勇刚
陈檬
李港
于未茗
胡江海
张志刚
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期1448-1450,共3页
用量子阱技术生长的半导体材料作激光增益介质,Al GaAs/GaAs对做布喇格反射镜,并以简单的平凹腔做谐振腔,半导体激光器作泵浦源,制作出了光泵垂直外腔面发射半导体激光器.在抽运功率1.5W时,得到了中心波长1005nm、最大输出功率40mW的激...
用量子阱技术生长的半导体材料作激光增益介质,Al GaAs/GaAs对做布喇格反射镜,并以简单的平凹腔做谐振腔,半导体激光器作泵浦源,制作出了光泵垂直外腔面发射半导体激光器.在抽运功率1.5W时,得到了中心波长1005nm、最大输出功率40mW的激光,光-光转换效率2.7%.
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关键词
面发射半导体激光器
光泵浦
量子阱
增益芯片
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职称材料
题名
新型光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
被引量：
8
1
作者
宋晏蓉
郭晓萍
王勇刚
陈檬
李港
于未茗
胡江海
张志刚
机构
北京工业大学
应用数理
学院
光学
国家
重点学科
北京工业大学激光工程学院光学国家重点学科
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期1448-1450,共3页
基金
北京市优秀人才培养专项经费
北京工业大学博士启动经费资助
文摘
用量子阱技术生长的半导体材料作激光增益介质,Al GaAs/GaAs对做布喇格反射镜,并以简单的平凹腔做谐振腔,半导体激光器作泵浦源,制作出了光泵垂直外腔面发射半导体激光器.在抽运功率1.5W时,得到了中心波长1005nm、最大输出功率40mW的激光,光-光转换效率2.7%.
关键词
面发射半导体激光器
光泵浦
量子阱
增益芯片
Keywords
Vertical external cavity surface emitting laser
Optically pumped
Quantum well
Gain chip
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
宋晏蓉
郭晓萍
王勇刚
陈檬
李港
于未茗
胡江海
张志刚
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
8
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