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MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响
被引量：
2
1
作者
韩军
赵佳豪
+7 位作者
邢艳辉
史峰峰
杨涛涛
赵杰
王凯
李焘
邓旭光
张宝顺
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期1285-1290,共6页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延Ga N薄膜,对高温Al N(HT-Al N)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7~16.6 k Pa)条件下对Ga N薄膜特性的影响进行了研究。研究结果表明Ga N外延层的表面形貌、结构和光学性质对HT-Al ...
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延Ga N薄膜,对高温Al N(HT-Al N)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7~16.6 k Pa)条件下对Ga N薄膜特性的影响进行了研究。研究结果表明Ga N外延层的表面形貌、结构和光学性质对HT-Al N缓冲层的生长压力有很强的的依赖关系。增加HT-Al N缓冲层的生长压力,Ga N薄膜的光学和形貌特性均有明显改善,当HT-Al N缓冲层的生长压力为13.3 k Pa时,得到无裂纹的Ga N薄膜,其(002)和(102)面的X射线衍射峰值半高宽分别为735 arcsec和778 arcsec,由拉曼光谱计算得到的张应力为0.437 GPa,原子力显微镜(AFM)观测到表面粗糙度为1.57 nm。
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关键词
高温AlN缓冲层
氮化镓
金属有机化学气相沉积
X射线衍射
拉曼光谱
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职称材料
题名
MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响
被引量：
2
1
作者
韩军
赵佳豪
邢艳辉
史峰峰
杨涛涛
赵杰
王凯
李焘
邓旭光
张宝顺
机构
北京工业大学微电子学院光电技术教育部重点实验室
中国科
学院
苏州纳米
技术
与纳米仿生研究所纳米器件与应用
重点
实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期1285-1290,共6页
基金
国家自然科学基金(61204011
11204009
+2 种基金
61574011)
北京市自然科学基金(4142005)
北京市教委科研基金(PXM2017_014204_500034)资助项目~~
文摘
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延Ga N薄膜,对高温Al N(HT-Al N)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7~16.6 k Pa)条件下对Ga N薄膜特性的影响进行了研究。研究结果表明Ga N外延层的表面形貌、结构和光学性质对HT-Al N缓冲层的生长压力有很强的的依赖关系。增加HT-Al N缓冲层的生长压力,Ga N薄膜的光学和形貌特性均有明显改善,当HT-Al N缓冲层的生长压力为13.3 k Pa时,得到无裂纹的Ga N薄膜,其(002)和(102)面的X射线衍射峰值半高宽分别为735 arcsec和778 arcsec,由拉曼光谱计算得到的张应力为0.437 GPa,原子力显微镜(AFM)观测到表面粗糙度为1.57 nm。
关键词
高温AlN缓冲层
氮化镓
金属有机化学气相沉积
X射线衍射
拉曼光谱
Keywords
HT-AlN buffer
GaN
MOCVD
X-ray diffraction
Raman spectroscopy
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响
韩军
赵佳豪
邢艳辉
史峰峰
杨涛涛
赵杰
王凯
李焘
邓旭光
张宝顺
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
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