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基于InSe/MoTe_(2)异质结构的超灵敏宽光谱光电探测器: 1; 作者邢艳辉贺雯馨 +8 位作者韩梓硕关宝璐马海鑫马晓辉韩军时文华张宝顺吕伟明曾中明《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期314-321,共8页; 基于光栅效应的二维材料垂直结构可实现高灵敏度和宽光谱光探测器。本文报告了一种基于硒化铟(InSe)/二碲化钼(MoTe_(2))垂直异质结构的高灵敏度光电探测器,该探测器在365~965 nm波长范围内具有出色的宽光谱探测能力。顶层的InSe用作调... 展开更多; 关键词二维材料宽带光电探测器光栅效应超灵敏; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于窄带物联网的智能水表设计被引量：17: 2; 作者黄伟彭晓宏 +2 位作者张明明侯立刚耿淑琴《现代电子技术》北大核心 2019年第14期169-172,176,共5页; 为了实现将智能水表连入家庭物联网,克服传统水表易腐蚀、无法及时上传水表工作信息给用户的问题,设计基于NB_IoT的智能水表。该智能水表主要由电源管理电路、阀门开关自动控制电路、数据采集电路、电池电量检测电路、NB_IoT模块驱动电... 展开更多; 关键词智能水表 NB_IoT 家庭物联网电源管理电路数据采集电路信息上传; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响被引量：2: 3; 作者韩军赵佳豪 +7 位作者邢艳辉史峰峰杨涛涛赵杰王凯李焘邓旭光张宝顺《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1285-1290,共6页; 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延Ga N薄膜,对高温Al N(HT-Al N)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7~16.6 k Pa)条件下对Ga N薄膜特性的影响进行了研究。研究结果表明Ga N外延层的表面形貌、结构和光学性质对HT-Al ... 展开更多; 关键词高温AlN缓冲层氮化镓金属有机化学气相沉积 X射线衍射拉曼光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SnS_(2)/InSe异质结的高性能宽带光电探测器: 4; 作者王冰辉邢艳辉 +8 位作者贺雯馨关宝璐韩军董晟园李嘉豪方佩景韩梓硕张宝顺曾中明《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期659-665,共7页; 我们报道了一种基于SnS_(2)/InSe垂直异质结的宽带光电探测器,其光谱范围为365-965 nm。其中,InSe作为光吸收层,有效扩展了光谱范围,SnS_(2)作为传输层,与InSe形成异质结,促进了电子-空穴对的分离,增强了光响应。该光电探测器在365 nm... 展开更多; 关键词二维材料异质结宽带光电探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于InSe/MoTe_(2)异质结构的超灵敏宽光谱光电探测器: 1; 作者邢艳辉贺雯馨韩梓硕关宝璐马海鑫马晓辉韩军时文华张宝顺吕伟明曾中明; 机构北京工业大学微电子学院光电子技术教育部重点实验室长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期314-321,共8页; 基金 the National Natural Science Foundation of China(60908012,61575008,61775007,61874145,62074011,62134008) National Key Research and Development Program of China(2018YFA0209000,2021YFC2203400,2021YFA1200804) +1 种基金 Beijing Nova Program(Z201100006820096)。; 文摘基于光栅效应的二维材料垂直结构可实现高灵敏度和宽光谱光探测器。本文报告了一种基于硒化铟(InSe)/二碲化钼(MoTe_(2))垂直异质结构的高灵敏度光电探测器,该探测器在365~965 nm波长范围内具有出色的宽光谱探测能力。顶层的InSe用作调节沟道电流的光栅层,MoTe_(2)则用作传输层。通过结合两种材料的优势,该光电探测器的响应时间为21.6 ms,比探测率在365 nm光照下可以达到1.05×10^(13)Jones,在965 nm光照下也可达到109 Jones数量级。外量子效率可达1.03×10^(5)%,显示出强大的光电转换能力。; 关键词二维材料宽带光电探测器光栅效应超灵敏; Keywords two-dimensional material broadband photodetectors photogating effect ultrasensitive; 分类号 TN214 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于窄带物联网的智能水表设计被引量：17: 2; 作者黄伟彭晓宏张明明侯立刚耿淑琴; 机构北京工业大学微电子学院; 出处《现代电子技术》北大核心 2019年第14期169-172,176,共5页; 基金国家自然科学基金青年项目(61604008) 北京市自然科学基金面上项目(4172010)~~; 文摘为了实现将智能水表连入家庭物联网,克服传统水表易腐蚀、无法及时上传水表工作信息给用户的问题,设计基于NB_IoT的智能水表。该智能水表主要由电源管理电路、阀门开关自动控制电路、数据采集电路、电池电量检测电路、NB_IoT模块驱动电路五部分组成。智能水表采用超低功耗单片机STM2L073作为核心处理器,正常情况下水表每30 min会上传一次水用量和电池电量信息给用户端,当出现余额不足或电池电路电量不足情况时,会自动关闭阀门并上传警告帧给用户,提示用户充值或更换电池,当用户交费后水表会自动打开阀门。智能水表不与客户端通信时,单片机软件将NB_IoT模块设置为休眠模式,从而很大程度降低了系统的功耗,延长了电池使用时间。; 关键词智能水表 NB_IoT 家庭物联网电源管理电路数据采集电路信息上传; Keywords intelligent water meter NB_IoT family IoT power management circuit data acquisition circuit information uploading; 分类号 TN915.34 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响被引量：2: 3; 作者韩军赵佳豪邢艳辉史峰峰杨涛涛赵杰王凯李焘邓旭光张宝顺; 机构北京工业大学微电子学院光电技术教育部重点实验室中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1285-1290,共6页; 基金国家自然科学基金(61204011 11204009 +2 种基金 61574011) 北京市自然科学基金(4142005) 北京市教委科研基金(PXM2017_014204_500034)资助项目~~; 文摘采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延Ga N薄膜,对高温Al N(HT-Al N)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7~16.6 k Pa)条件下对Ga N薄膜特性的影响进行了研究。研究结果表明Ga N外延层的表面形貌、结构和光学性质对HT-Al N缓冲层的生长压力有很强的的依赖关系。增加HT-Al N缓冲层的生长压力,Ga N薄膜的光学和形貌特性均有明显改善,当HT-Al N缓冲层的生长压力为13.3 k Pa时,得到无裂纹的Ga N薄膜,其(002)和(102)面的X射线衍射峰值半高宽分别为735 arcsec和778 arcsec,由拉曼光谱计算得到的张应力为0.437 GPa,原子力显微镜(AFM)观测到表面粗糙度为1.57 nm。; 关键词高温AlN缓冲层氮化镓金属有机化学气相沉积 X射线衍射拉曼光谱; Keywords HT-AlN buffer GaN MOCVD X-ray diffraction Raman spectroscopy; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SnS_(2)/InSe异质结的高性能宽带光电探测器: 4; 作者王冰辉邢艳辉贺雯馨关宝璐韩军董晟园李嘉豪方佩景韩梓硕张宝顺曾中明; 机构北京工业大学微电子学院光电子技术教育部重点实验室中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期659-665,共7页; 基金 supported by the National Natural Science Foundation of China(61574011,60908012,61575008,61775007,61731019,61874145,62074011,62134008) the Beijing Natural Science Foundation(4182015,4172011,4202010) +1 种基金 Beijing Nova Program(Z201100006820096) International Student related expenses-Department of Information(040000513303).; 文摘我们报道了一种基于SnS_(2)/InSe垂直异质结的宽带光电探测器,其光谱范围为365-965 nm。其中,InSe作为光吸收层,有效扩展了光谱范围,SnS_(2)作为传输层,与InSe形成异质结,促进了电子-空穴对的分离,增强了光响应。该光电探测器在365 nm下具有813 A/W的响应度。并且,在965nm光照下它仍然具有371 A/W的高响应度,1.3×10^(5)%的外量子效率,3.17×10^(12)Jones的比探测率,以及27 ms的响应时间。该研究为高响应宽带光电探测器提供了一种新的方法。; 关键词二维材料异质结宽带光电探测器; Keywords two-dimensional material heterojunction Broadband photodetectors; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于InSe/MoTe_(2)异质结构的超灵敏宽光谱光电探测器	邢艳辉贺雯馨韩梓硕关宝璐马海鑫马晓辉韩军时文华张宝顺吕伟明曾中明	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种基于窄带物联网的智能水表设计	黄伟彭晓宏张明明侯立刚耿淑琴	《现代电子技术》北大核心	2019	17	在线阅读下载PDF 职称材料
3	MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响	韩军赵佳豪邢艳辉史峰峰杨涛涛赵杰王凯李焘邓旭光张宝顺	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于SnS_(2)/InSe异质结的高性能宽带光电探测器	王冰辉邢艳辉贺雯馨关宝璐韩军董晟园李嘉豪方佩景韩梓硕张宝顺曾中明	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料