一种新颖的低温硅片直接键合技术 被引量：1

1

作者 徐晨 霍文晓 +3 位作者 杨道虹 赵慧 赵林林 沈光地 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期471-472,共2页

提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度.

关键词 微机电系统(MEMS) 低温硅片直接键合 等离子体 CF4

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新型GaAs/GaAlAs非对称量子阱红外光电导探测器

2

作者 史衍丽 邓军 +2 位作者 杜金玉 沈光地 尹洁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期269-272,共4页

提出一种新型 Ga As/ Ga Al As子带间光吸收的红外光电导探测机理 ,利用 MOCVD系统进行器件材料的生长 ,研制了 2 0 0μm× 2 0 0μm的台面形式单管 ,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象 ,对器件的性... 提出一种新型 Ga As/ Ga Al As子带间光吸收的红外光电导探测机理 ,利用 MOCVD系统进行器件材料的生长 ,研制了 2 0 0μm× 2 0 0μm的台面形式单管 ,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象 ,对器件的性能测试结果表明 ,器件的光电流响应和信噪比随着阱数增加而增加 ,器件噪声比常规 Ga As/ Ga Al 展开更多

关键词 GAALAS 非对称量子阱 红外探测器 砷化镓

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InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀 被引量：6

3

作者 陈永远 邓军 +2 位作者 史衍丽 苗霈 杨利鹏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第2期433-437,共5页

分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 s... 分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 sccm时,刻蚀速率为100 nm/min,且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明,SiCl4/Ar作为刻蚀气体时,Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响,但Ar的流量越大,刻蚀的均匀性越好;用Cl2/Ar作为刻蚀气体时,刻蚀速率也是100 nm/min,但Ar流量对刻蚀速率有影响:当Ar流量小于3 sccm时,刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。 展开更多

关键词 ICP刻蚀 InAs GASB 二类超晶格 SiCl4 AR CL2 AR

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温度对GaN基LED光学性能的影响 被引量：4

4

作者 付三丽 杨维明 +2 位作者 黄恒一 郭伟玲 陈建新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期836-839,共4页

摘要：选择两个不同厂家生产的1WGaN基LED芯片分为两组，一组为未经处理的蓝光芯片，另一组实验样品为涂敷相同荧光粉的白光芯片，两组实验样品均使用透明硅胶封装。对LED进行5～75℃范围内变温光学特性测试，设置的测试电流是350mA。... 摘要：选择两个不同厂家生产的1WGaN基LED芯片分为两组，一组为未经处理的蓝光芯片，另一组实验样品为涂敷相同荧光粉的白光芯片，两组实验样品均使用透明硅胶封装。对LED进行5～75℃范围内变温光学特性测试，设置的测试电流是350mA。测试结果表明：随着温度升高，蓝光LED主波长不受温度影响，白光LED的相关色温升高；蓝光LED光通量在一定温度范围内先小幅度升高，再小幅下降，而白光LED光通量呈单调下降趋势；蓝光和白光LED的峰值波长均发生红移，发光效率降低，并分析了温度影响LED光学性能的物理机理。 展开更多

关键词 温度 发光二极管(LED) 色温 光通量 峰值波长

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f_T为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管 被引量：1

5

作者 邹德恕 陈建新 +5 位作者 高国 沈光地 杜金玉 王东凤 张时明 袁颍 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第4期55-59,共5页

叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要因素之一。

关键词 硅锗合金 异质结构 双台面结构 双极晶体管 硅

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高分子自组装掩膜的制备 被引量：1

6

作者 邓琛 徐晨 +5 位作者 徐丽华 邹德恕 蒋文静 戴天明 李晓波 沈光地 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期151-154,共4页

利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,采用溶液共混和旋转涂膜的方法制得聚苯乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯(PS/PMMA)高分子共混物薄膜,对薄膜经过再加工得到具有纳米微孔的PMMA薄膜,研究了对溶液进行超声处理的时间、PS/PMMA共混物溶液浓... 利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,采用溶液共混和旋转涂膜的方法制得聚苯乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯(PS/PMMA)高分子共混物薄膜,对薄膜经过再加工得到具有纳米微孔的PMMA薄膜,研究了对溶液进行超声处理的时间、PS/PMMA共混物溶液浓度、旋涂转速和试片表面对掩膜形貌的影响。以此PMMA薄膜为掩膜对GaP表面进行湿法腐蚀,得到一种蜂窝状的表面微结构,它能使发光二极管(LED)的光功率平均提高18%。 展开更多

关键词 高分子 自组装 微结构 发光二极管

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金硅共晶键合在微机械Golay-cell红外探测器中的应用 被引量：1

7

作者 赵林林 徐晨 +3 位作者 杨道虹 霍文晓 赵慧 沈光地 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期419-421,共3页

利用硅微机械加工技术制备微机械Golay-cell红外探测器硅可动敏感薄膜,探测器气室由带薄膜结构硅片与带孔结构硅片键合密闭形成,气室中敏感气体吸收红外辐射而膨胀,使硅膜产生形变,借助硅膜电极板与金属电极板形成的平行板电容反映该形... 利用硅微机械加工技术制备微机械Golay-cell红外探测器硅可动敏感薄膜,探测器气室由带薄膜结构硅片与带孔结构硅片键合密闭形成,气室中敏感气体吸收红外辐射而膨胀,使硅膜产生形变,借助硅膜电极板与金属电极板形成的平行板电容反映该形变变化量.运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si实现对探测器的金/硅共晶键合封装,形成气室,制备出探测器样品并初步得到响应.该键合方法能够进行选择区域键合,实验证明键合强度达到体硅强度. 展开更多

关键词 微机电系统 红外探测器 金/硅 共晶键合

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一种适用于薄膜结构的静电键合方法

8

作者 赵慧 徐晨 +3 位作者 霍文晓 赵林林 沈光地 邹德恕 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期430-431,共2页

针对带弹性敏感薄膜结构的微机械器件的硅/玻璃静电键合,介绍了一种有效的方法--局部电场屏蔽法,在键合过程中屏蔽弹性敏感薄膜所在位置的电场,使薄膜结构不受静电力的影响,从根本上解决了薄膜受静电吸引力而产生形变,与玻璃贴合甚至破... 针对带弹性敏感薄膜结构的微机械器件的硅/玻璃静电键合,介绍了一种有效的方法--局部电场屏蔽法,在键合过程中屏蔽弹性敏感薄膜所在位置的电场,使薄膜结构不受静电力的影响,从根本上解决了薄膜受静电吸引力而产生形变,与玻璃贴合甚至破裂的问题,大大提高了成品率. 展开更多

关键词 MEMS 静电键合 敏感薄膜 局部电场屏蔽

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980nm　InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源

9

作者 徐遵图 沈光地 +5 位作者 徐俊英 杨国文 张敬明 肖建伟 何晓曦 陈良惠 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第4期48-54,共7页

利用分子束外延技术研制出了高质量ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱材料及量子阱激光器，在室温和１０Ｋ温度下，应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为３２ｍｅＶ和２．４ｍｅＶ，宽接触激光器的阈值电流密度低达１４０Ａ／ｃｍ￣２... 利用分子束外延技术研制出了高质量ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱材料及量子阱激光器，在室温和１０Ｋ温度下，应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为３２ｍｅＶ和２．４ｍｅＶ，宽接触激光器的阈值电流密度低达１４０Ａ／ｃｍ￣２。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为１５ｍＡ和０．８Ｗ／Ａ，线性输出功率大于１２０ｍｗ，基横模输出功率可达１００ｍＷ。ＩｎＧａＡｓ应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合，其组合件出纤光功率典型值为４０ｍＷ，最大值可达６０ｍＷ。显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在４０ｍＷ下，中心发射波长在９７７ｎｍ，成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器泵浦源。 展开更多

关键词 应变层 量子阱 半导体激光器 泵浦源 光纤放大器

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GRIN光纤传输特性及其在透镜光纤耦合系统中的应用研究

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作者 于海鹰 徐建高 +1 位作者 邹德恕 沈光地 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期69-73,76,共6页

论述了GRIN光纤传输特性与自聚焦原理,分析了LD与光纤的耦合特性,介绍了微透镜光纤的结构、高效耦合原理与加工工艺以及技术指标。提出采用GRIN与普通光纤级联,进一步提高耦合效率和失调容差的新思路。

关键词 自聚焦光纤 透镜光纤 微透镜 光耦合模式

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新型8～14μm　GaAs／GaAlAs红外探测器数值模拟和分析 被引量：1

11

作者 李群 杜春霞 +3 位作者 邓军 孔锐 沈光地 尹洁 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第4期7-12,共6页

简要介绍了红外探测器的历史和现状。在提出的一种新型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器的构想及已有工作的基础上，建立了一个物理模型，并进行了模拟计算，着重分析了各个器件参数对器件性能的影响，为今后设计器件打下了理论基础，... 简要介绍了红外探测器的历史和现状。在提出的一种新型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器的构想及已有工作的基础上，建立了一个物理模型，并进行了模拟计算，着重分析了各个器件参数对器件性能的影响，为今后设计器件打下了理论基础，在此基础上特别指出了该构想的一个新用途：外加偏压调制波长红外探测器。 展开更多

关键词 红外探测器 数值模拟 砷化镓 GAALAS

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In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/GaAs组分x和y间约束关系及应用

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作者 王建峰 牛南辉 +4 位作者 盖红星 李冰 韩军 徐遵图 沈光地 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期46-49,共4页

计算出与 GaAs 衬底相匹配的In GaxAsyP1-y 组分 x 和 y 的约束关系,并加以验证;用约束关系 1-x简化带隙与组分x 和 y 函数关系,使之变为单变量y的函数,并给出晶格常数、带隙与组分关系的三维图,并长出材料加以证实。

关键词 约束关系 单变量 三维图 验证 匹配 简化 函数关系 带隙 晶格常数

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SiGe／Si　HBT的直流特性分析

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作者 张时明 邹德恕 +9 位作者 陈建新 高国 杜金玉 韩金茹 董欣 袁颍 王东凤 沈光地 倪卫新 汉森 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第4期20-24,共5页

应用＂掺杂工程＂和＂带隙工程＂各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ。其主要直流参数为：室温共发射极最大电流增益... 应用＂掺杂工程＂和＂带隙工程＂各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ。其主要直流参数为：室温共发射极最大电流增益βｍａｘ（３００Ｋ）可达３００，低温βｍａｘ（７７Ｋ）可达８０００，厄利电压３００Ｖ，漏电流在ｎＡ量级，均为国际先进水平。同时，给出了ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的室温（大注入，小注入），低温（大注入，小注入）的输出特性曲线，进行了对比分析，详细讨论了影响室温β，低温β及其它直流参数的主要因素。 展开更多

关键词 异质结构 硅锗合金 掺杂工程 硅 直流特性

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一种新型GaAs／GaAlAs红外探测器的研究

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作者 杜春霞 邓军 +4 位作者 李群 孔锐 王东凤 沈光地 尹洁 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第4期1-6,共6页

首次应用一种新的物理构想和工作机制设计了新型的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器，并进行了理论计算、器件研制和测试分析。结果表明，这种新型探测器与常规ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ量子阱红外探测器相比，具有一些新的特点。理论计... 首次应用一种新的物理构想和工作机制设计了新型的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器，并进行了理论计算、器件研制和测试分析。结果表明，这种新型探测器与常规ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ量子阱红外探测器相比，具有一些新的特点。理论计算和实验结果得到了很好的一致性。给出了这种新型器件电流输运的计算方法；得到较低的暗电流，较宽的光吸收谱（５～１０μｍ）；得到了新型器件的红外辐射下的光电流响应；初步给出了新型器件工作点的选取方法；模拟计算表明，增加周期个数，将会得到更大的光电流响应。 展开更多

关键词 红外探测器 低暗电流 砷化镓 GAALAS 量子阱

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微腔半导体激光器的激射机制、瞬态响应及其在光纤通信中计算机模拟

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作者 赵红东 沈光地 +2 位作者 张存善 林世鸣 王守武 《北京工业大学学报》 CSCD 1996年第4期41-47,共7页

通过速率方程分析微腔激光器稳态、瞬态特性，发现在增强自发发射因子的微腔激光器，加速了载流子的积累，促进了激光输出，随着注入电流的增加．光增益作用增强，激光器由自发发射向振荡放大机制转化；在阶跃电流调制下，增大自发发射... 通过速率方程分析微腔激光器稳态、瞬态特性，发现在增强自发发射因子的微腔激光器，加速了载流子的积累，促进了激光输出，随着注入电流的增加．光增益作用增强，激光器由自发发射向振荡放大机制转化；在阶跃电流调制下，增大自发发射因子可以减弱或消除张弛振荡，提高响应速率，在脉码调制下，眼图张开面积随自发发射因子增大而变大，有利于高速光互联；最后模拟了微腔激光器作为光源的光纤通信系统，给出１０Ｇｂｉｔ／ｓ传输６０ｋｍ的接受眼图。 展开更多

关键词 光纤通信 半导体激光器 激躲机制 瞬态响应

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