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高压LED阵列电学特性的优化方法的研究被引量：1: 1; 作者王红航杜志娟 +5 位作者刘飞飞于宁朱彦旭王岳华宋会会曹伟伟《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2016年第8期81-83,91,共4页; 高压LED制备工艺中,优化电极参数是获得均匀分布电流,改善电流输运特性,提高器件出光效率的主要方法之一。改进不同隔离层制备工艺参数与电极参数,抽样检测样品,对结果分析发现,Cr/Au电极厚度分别达到500 nm/300 nm后,总体提高了高压LE... 展开更多; 关键词氮化镓电极参数高压LED 电流输运特性光输出功率电学特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响被引量：1: 2; 作者朱彦旭范玉宇 +2 位作者曹伟伟邓叶刘建朋《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1362-1366,共5页; 在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响。通过随机抽取... 展开更多; 关键词氮化镓高压LED 电流输运; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN基微腔传感器悬空隔膜的力电转换的ANSYS研究: 3; 作者朱彦旭杜志娟 +4 位作者刘飞飞于宁王岳华宋会会王红航《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期791-795,共5页; 为了深入研究氮化镓薄膜的压电效应和机械特性,基于气体直接吸收红外辐射的原理,将基于氮化镓悬空隔膜的充气微腔红外传感器项目作为背景,以氮化镓/铝镓氮薄膜作为敏感单元,在材料力学以及压电效应方面,采用有限元分析软件ANSYS 14.0进... 展开更多; 关键词薄膜输出电压 ANSYS 14. 0 机械应力压电效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

C掺杂GaAs外延层光学特性分析: 4; 作者邢艳辉李建军 +3 位作者邓军韩军盖红星沈光地《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期222-224,共3页; 对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs 外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩, PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小。; 关键词光电子学 GaAs掺杂光荧光谱 X射线衍射; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅-玻璃静电键合中的电流-时间特性分析被引量：2: 5; 作者董欣吴畯苗 +5 位作者邹德恕史衍丽邓军杜金玉高国沈光地《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第3期48-50,53,共4页; 在微传感器和微机械结构的静电键合实验中 ,当加电压到键合片对上时 ,外电路的电流迅速上升到一定值后 ,不是逐渐减小 ,而是较缓慢的继续上升 ,或在某一值停留一段时间再逐渐减小到最小值。通过对实验现象的分析 ,认为键合的电流 -时间... 展开更多; 关键词硅-玻璃静电键合电流-时间特性微机械微传感器; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型双波长激光器热学特性研究被引量：1: 6; 作者裘利平郭伟玲 +3 位作者刘莹崔碧峰张蕾沈光地《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期493-495,共3页; 制备了一种新型双波长和单波长隧道再生半导体激光器,测试了两种激光器在25-105℃温度范围内的P-I特性曲线,对比分析了两种激光器输出光功率、阈值电流、斜率效率随温度的变化。测试结果表明,新型双波长隧道再生激光器有高输出功率、高... 展开更多; 关键词半导体激光器双波长隧道结热特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压LED阵列电学特性的优化方法的研究被引量：1: 1; 作者王红航杜志娟刘飞飞于宁朱彦旭王岳华宋会会曹伟伟; 机构电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室北京工业大学北京光电子技术实验室; 出处《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2016年第8期81-83,91,共4页; 基金国家支撑计划项目(2011BAE01B14) 北京市教委基金项目(KM201210005004) +3 种基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室开放基金(412S0601); 文摘高压LED制备工艺中,优化电极参数是获得均匀分布电流,改善电流输运特性,提高器件出光效率的主要方法之一。改进不同隔离层制备工艺参数与电极参数,抽样检测样品,对结果分析发现,Cr/Au电极厚度分别达到500 nm/300 nm后,总体提高了高压LED的电流输运特性,减少了高压LED漏电现象,增强了高压LED的电学稳定性,改善了金属电极厚度对高压LED的影响。通过二步法制备隔离层,改变LED工艺参数及隔离层倾角,制备出正向电压约12 V的串联高压LED。; 关键词氮化镓电极参数高压LED 电流输运特性光输出功率电学特性; Keywords Ga N parameters of electrode high-vlotage LED current transport properties optical output power optical properties; 分类号 O472 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响被引量：1: 2; 作者朱彦旭范玉宇曹伟伟邓叶刘建朋; 机构北京工业大学北京光电子技术实验室中国联通北京分公司网管中心网络分析调度中心; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1362-1366,共5页; 基金国家自然科学基金(61107026) 北京市教委基金(KM201210005004)资助项目; 文摘在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响。通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测,对比了不同工艺过程,得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因。并通过优选ICP刻蚀工艺,使高压LED电流输运特性得以改善,制备出~12 V的四串联高压LED阵列器件。; 关键词氮化镓高压LED 电流输运; Keywords GaN high-vlotage LED current transport properties; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN基微腔传感器悬空隔膜的力电转换的ANSYS研究: 3; 作者朱彦旭杜志娟刘飞飞于宁王岳华宋会会王红航; 机构北京工业大学北京光电子技术实验室电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期791-795,共5页; 基金国家科技支撑计划资助项目(2011BAE01B14) 北京市15青年拔尖基金资助项目(311000543115501) +1 种基金科研基地建设基金资助项目(PXM2014-014204-500008); 文摘为了深入研究氮化镓薄膜的压电效应和机械特性,基于气体直接吸收红外辐射的原理,将基于氮化镓悬空隔膜的充气微腔红外传感器项目作为背景,以氮化镓/铝镓氮薄膜作为敏感单元,在材料力学以及压电效应方面,采用有限元分析软件ANSYS 14.0进行了理论分析和验证,取得了薄膜形状、厚度和面积等尺寸与压电薄膜输出电压以及薄膜灵敏度的逻辑关系数据,验证了薄膜力-电信号转换机制可行性。结果表明,GaN薄膜材料具有良好的压电特性以及线性度,有助于对探测器输出信号进行准确的预测,并进行温度补偿,突出GaN材料在应用中的优势。此研究对设计性能良好、灵敏度高的微腔红外传感器是有帮助的。; 关键词薄膜输出电压 ANSYS 14. 0 机械应力压电效应; Keywords thin films output voltage ANSYS 14. 0 mechanical force piezoelectic effect; 分类号 O484.4 [理学—固体物理] TP212.14 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名C掺杂GaAs外延层光学特性分析: 4; 作者邢艳辉李建军邓军韩军盖红星沈光地; 机构北京工业大学北京光电子技术实验室; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期222-224,共3页; 基金国防科技预研基金(51456020203QT0101) 国家自然科学基金(60077004) 国家973(G20000683-02)资助项目; 文摘对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs 外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩, PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小。; 关键词光电子学 GaAs掺杂光荧光谱 X射线衍射; Keywords optelectronics GaAs doping PL spectra DC XRD; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅-玻璃静电键合中的电流-时间特性分析被引量：2: 5; 作者董欣吴畯苗邹德恕史衍丽邓军杜金玉高国沈光地; 机构北京工业大学北京光电子技术实验室; 出处《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第3期48-50,53,共4页; 基金国家自然科学基金资助 !(699760 0 4) 北京自然科学基金 !(4982 0 0 5 ); 文摘在微传感器和微机械结构的静电键合实验中 ,当加电压到键合片对上时 ,外电路的电流迅速上升到一定值后 ,不是逐渐减小 ,而是较缓慢的继续上升 ,或在某一值停留一段时间再逐渐减小到最小值。通过对实验现象的分析 ,认为键合的电流 -时间特性主要是下述两个过程的综合反映 ,键合过程中接触电阻的减小引起的电流增大和空间电荷区形成引起的电流减小。; 关键词硅-玻璃静电键合电流-时间特性微机械微传感器; Keywords anodic bonding current-time characteristic micro-mechanical structures; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型双波长激光器热学特性研究被引量：1: 6; 作者裘利平郭伟玲刘莹崔碧峰张蕾沈光地; 机构北京工业大学北京光电子技术实验室; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期493-495,共3页; 基金国家"863"项目(No.SQ2007AA03Z431230)资助; 文摘制备了一种新型双波长和单波长隧道再生半导体激光器,测试了两种激光器在25-105℃温度范围内的P-I特性曲线,对比分析了两种激光器输出光功率、阈值电流、斜率效率随温度的变化。测试结果表明,新型双波长隧道再生激光器有高输出功率、高斜率效率以及双激射波长等优点;高掺杂隧道结的引入以及双有源区的器件结构导致其热特性略差于单波长半导体激光器。; 关键词半导体激光器双波长隧道结热特性; Keywords semiconductor lasers dual-wavelength tunnel junction thermal characteristics; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高压LED阵列电学特性的优化方法的研究	王红航杜志娟刘飞飞于宁朱彦旭王岳华宋会会曹伟伟	《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响	朱彦旭范玉宇曹伟伟邓叶刘建朋	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	GaN基微腔传感器悬空隔膜的力电转换的ANSYS研究	朱彦旭杜志娟刘飞飞于宁王岳华宋会会王红航	《激光技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	C掺杂GaAs外延层光学特性分析	邢艳辉李建军邓军韩军盖红星沈光地	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	硅-玻璃静电键合中的电流-时间特性分析	董欣吴畯苗邹德恕史衍丽邓军杜金玉高国沈光地	《传感器技术》 CSCD 北大核心	2001	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	新型双波长激光器热学特性研究	裘利平郭伟玲刘莹崔碧峰张蕾沈光地	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料