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用热反射热成像技术测量封装GaN/AlGaN HEMT芯片热阻
被引量：
1
1
作者
翟玉卫
张亚民
+3 位作者
刘岩
韩志国
丁晨
吴爱华
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第11期921-925,共5页
为解决封装GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的芯片热阻难以测量的问题,提出了采用热反射热成像测温装置测量芯片热阻的方法。采用365 nm波长紫外发光二极管(LED)作为测温装置的光源测量芯片沟道区域GaN材料的温度,以近似峰值结温;采...
为解决封装GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的芯片热阻难以测量的问题,提出了采用热反射热成像测温装置测量芯片热阻的方法。采用365 nm波长紫外发光二极管(LED)作为测温装置的光源测量芯片沟道区域GaN材料的温度,以近似峰值结温;采用530 nm波长可见光LED作为光源测量芯片底面金属的温度。测温过程中,采用图像配准技术和自动重聚焦技术调整由于热膨胀引起的位置偏移和离焦。对芯片底面金属测温结果进行了误差分析。最后,在4个加热功率下测量了芯片热阻,测量结果显示芯片热阻与总热阻之比超过52%。
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关键词
GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
热反射
沟道
结温
热阻
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职称材料
题名
用热反射热成像技术测量封装GaN/AlGaN HEMT芯片热阻
被引量：
1
1
作者
翟玉卫
张亚民
刘岩
韩志国
丁晨
吴爱华
机构
中国电子科技集团公司第十三
研究
所
北京工业大学信息学部新型半导体器件及可靠性研究室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第11期921-925,共5页
文摘
为解决封装GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的芯片热阻难以测量的问题,提出了采用热反射热成像测温装置测量芯片热阻的方法。采用365 nm波长紫外发光二极管(LED)作为测温装置的光源测量芯片沟道区域GaN材料的温度,以近似峰值结温;采用530 nm波长可见光LED作为光源测量芯片底面金属的温度。测温过程中,采用图像配准技术和自动重聚焦技术调整由于热膨胀引起的位置偏移和离焦。对芯片底面金属测温结果进行了误差分析。最后,在4个加热功率下测量了芯片热阻,测量结果显示芯片热阻与总热阻之比超过52%。
关键词
GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
热反射
沟道
结温
热阻
Keywords
GaN/AlGaN high electron mobility transistor(HEMT)
thermoreflectance
channel
junction temperature
thermal resistance
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用热反射热成像技术测量封装GaN/AlGaN HEMT芯片热阻
翟玉卫
张亚民
刘岩
韩志国
丁晨
吴爱华
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
1
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