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用于短波红外探测器的微透镜阵列制作 被引量:4
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作者 冯献飞 邓军 +2 位作者 刘明 李超慧 邹德恕 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期633-637,共5页
采用光刻胶热熔法制作具有特定尺寸的微透镜,制作的微透镜能将微透镜阵列技术应用于短波1μm?3μm红外探测器中,有效地提高探测器件的光电性能。采用AZ P4620厚光刻胶,利用紫外光刻技术,对透镜制作中的前烘、曝光和显影、坚膜、热熔等... 采用光刻胶热熔法制作具有特定尺寸的微透镜,制作的微透镜能将微透镜阵列技术应用于短波1μm?3μm红外探测器中,有效地提高探测器件的光电性能。采用AZ P4620厚光刻胶,利用紫外光刻技术,对透镜制作中的前烘、曝光和显影、坚膜、热熔等工艺进行了深入细致的实验研究,确定了最优的工艺参数,实现了球冠直径在(5.5±0.5)μm,曲率半径3μm的微透镜,且透镜有很好的均匀性和一致性,满足近红外探测器件的要求。 展开更多
关键词 微透镜阵列 光刻胶热熔法 前烘 热熔
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界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响 被引量:1
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作者 韩军 赵佳豪 +6 位作者 赵杰 邢艳辉 曹旭 付凯 宋亮 邓旭光 张宝顺 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期915-921,共7页
研究不同界面处理对AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N2和NH3等离子体对器件界面预处理,实验结果表明,N2等离子体预处理能够减小器件的电流崩塌,通过对N2等离子体预处理的时间优化... 研究不同界面处理对AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N2和NH3等离子体对器件界面预处理,实验结果表明,N2等离子体预处理能够减小器件的电流崩塌,通过对N2等离子体预处理的时间优化,发现预处理时间10min能够较好地提高器件的动态特性,30min时动态性能下降。进一步引入AlN作为栅介质插入层并经过高温热退火后能够有效提高器件的动态性能,将器件的阈值回滞从411mV减小至111mV,动态测试表明,在900V关态应力下,器件的电流崩塌因子从42.04减小至4.76。 展开更多
关键词 电流崩塌 AlN栅介质插入层 界面处理 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
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高灵敏度空间点目标探测系统设计 被引量:7
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作者 刘明 邓军 +1 位作者 冯献飞 钱峰松 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期115-122,共8页
本文面向空间点目标探测,设计了基于高灵敏度CMOS传感器的空间点目标探测系统。首先对CMOS传感器图像进行降噪,提高传感器的探测灵敏度;其次,采用DSP+FPGA嵌入式架构,设计了基于星图匹配信息构建的点目标探测算法,并详细介绍了算法原理... 本文面向空间点目标探测,设计了基于高灵敏度CMOS传感器的空间点目标探测系统。首先对CMOS传感器图像进行降噪,提高传感器的探测灵敏度;其次,采用DSP+FPGA嵌入式架构,设计了基于星图匹配信息构建的点目标探测算法,并详细介绍了算法原理和步骤。最后,采用电子星图模拟器对该探测系统进行测试。结果表明:该嵌入式系统具备1 024×1 024@20p格式视频的实时处理能力,可以探测6等星。当信噪比大于6,视轴指向误差小于1°时,对于不同运动速度、不同尺寸点目标均能准确探测,识别正确率接近100%。综合而言,该空间点目标探测方法的计算精度高、适应性强、可靠性高,能够应用于空间点目标的有效探测。 展开更多
关键词 CMOS传感器 点目标探测 星图匹配 嵌入式系统
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一维光子晶体纳米梁腔结构参量对带隙特性的影响 被引量:1
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作者 祝欣 刘克 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期26-34,共9页
采用解析表达式的方法对一种一维光子晶体结构模型进行理论分析,通过三维时域有限差分数值计算仿真孔洞型一维光子晶体各结构参量对其带隙特性的影响.仿真结果表明孔洞周期和半径、InGaAsP波导宽度、下包层折射率以及填充系数等参量的... 采用解析表达式的方法对一种一维光子晶体结构模型进行理论分析,通过三维时域有限差分数值计算仿真孔洞型一维光子晶体各结构参量对其带隙特性的影响.仿真结果表明孔洞周期和半径、InGaAsP波导宽度、下包层折射率以及填充系数等参量的变化都会对其带隙带宽和中心频率产生较大影响.设计具有特定谐振波长的一维光子晶体纳米梁腔实例,得到的谐振波长为1 561.7nm、品质因子达104量级.带隙特性的研究对于由一维光子晶体构成的光子集成器件如激光器、调制器等具有重要的指导意义. 展开更多
关键词 集成光学 一维光子晶体 时域有限差分 带隙 谐振腔
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