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用于短波红外探测器的微透镜阵列制作
被引量:
4
1
作者
冯献飞
邓军
+2 位作者
刘明
李超慧
邹德恕
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期633-637,共5页
采用光刻胶热熔法制作具有特定尺寸的微透镜,制作的微透镜能将微透镜阵列技术应用于短波1μm?3μm红外探测器中,有效地提高探测器件的光电性能。采用AZ P4620厚光刻胶,利用紫外光刻技术,对透镜制作中的前烘、曝光和显影、坚膜、热熔等...
采用光刻胶热熔法制作具有特定尺寸的微透镜,制作的微透镜能将微透镜阵列技术应用于短波1μm?3μm红外探测器中,有效地提高探测器件的光电性能。采用AZ P4620厚光刻胶,利用紫外光刻技术,对透镜制作中的前烘、曝光和显影、坚膜、热熔等工艺进行了深入细致的实验研究,确定了最优的工艺参数,实现了球冠直径在(5.5±0.5)μm,曲率半径3μm的微透镜,且透镜有很好的均匀性和一致性,满足近红外探测器件的要求。
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关键词
微透镜阵列
光刻胶热熔法
前烘
热熔
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职称材料
界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响
被引量:
1
2
作者
韩军
赵佳豪
+6 位作者
赵杰
邢艳辉
曹旭
付凯
宋亮
邓旭光
张宝顺
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第7期915-921,共7页
研究不同界面处理对AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N2和NH3等离子体对器件界面预处理,实验结果表明,N2等离子体预处理能够减小器件的电流崩塌,通过对N2等离子体预处理的时间优化...
研究不同界面处理对AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N2和NH3等离子体对器件界面预处理,实验结果表明,N2等离子体预处理能够减小器件的电流崩塌,通过对N2等离子体预处理的时间优化,发现预处理时间10min能够较好地提高器件的动态特性,30min时动态性能下降。进一步引入AlN作为栅介质插入层并经过高温热退火后能够有效提高器件的动态性能,将器件的阈值回滞从411mV减小至111mV,动态测试表明,在900V关态应力下,器件的电流崩塌因子从42.04减小至4.76。
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关键词
电流崩塌
AlN栅介质插入层
界面处理
ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
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职称材料
高灵敏度空间点目标探测系统设计
被引量:
7
3
作者
刘明
邓军
+1 位作者
冯献飞
钱峰松
《中国光学》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期115-122,共8页
本文面向空间点目标探测,设计了基于高灵敏度CMOS传感器的空间点目标探测系统。首先对CMOS传感器图像进行降噪,提高传感器的探测灵敏度;其次,采用DSP+FPGA嵌入式架构,设计了基于星图匹配信息构建的点目标探测算法,并详细介绍了算法原理...
本文面向空间点目标探测,设计了基于高灵敏度CMOS传感器的空间点目标探测系统。首先对CMOS传感器图像进行降噪,提高传感器的探测灵敏度;其次,采用DSP+FPGA嵌入式架构,设计了基于星图匹配信息构建的点目标探测算法,并详细介绍了算法原理和步骤。最后,采用电子星图模拟器对该探测系统进行测试。结果表明:该嵌入式系统具备1 024×1 024@20p格式视频的实时处理能力,可以探测6等星。当信噪比大于6,视轴指向误差小于1°时,对于不同运动速度、不同尺寸点目标均能准确探测,识别正确率接近100%。综合而言,该空间点目标探测方法的计算精度高、适应性强、可靠性高,能够应用于空间点目标的有效探测。
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关键词
CMOS传感器
点目标探测
星图匹配
嵌入式系统
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职称材料
一维光子晶体纳米梁腔结构参量对带隙特性的影响
被引量:
1
4
作者
祝欣
刘克
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期26-34,共9页
采用解析表达式的方法对一种一维光子晶体结构模型进行理论分析,通过三维时域有限差分数值计算仿真孔洞型一维光子晶体各结构参量对其带隙特性的影响.仿真结果表明孔洞周期和半径、InGaAsP波导宽度、下包层折射率以及填充系数等参量的...
采用解析表达式的方法对一种一维光子晶体结构模型进行理论分析,通过三维时域有限差分数值计算仿真孔洞型一维光子晶体各结构参量对其带隙特性的影响.仿真结果表明孔洞周期和半径、InGaAsP波导宽度、下包层折射率以及填充系数等参量的变化都会对其带隙带宽和中心频率产生较大影响.设计具有特定谐振波长的一维光子晶体纳米梁腔实例,得到的谐振波长为1 561.7nm、品质因子达104量级.带隙特性的研究对于由一维光子晶体构成的光子集成器件如激光器、调制器等具有重要的指导意义.
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关键词
集成光学
一维光子晶体
时域有限差分
带隙
谐振腔
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职称材料
题名
用于短波红外探测器的微透镜阵列制作
被引量:
4
1
作者
冯献飞
邓军
刘明
李超慧
邹德恕
机构
北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室
出处
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期633-637,共5页
基金
2017年光电子技术教育部重点实验室基金(PXM2017_014204_500034)的经费支持
文摘
采用光刻胶热熔法制作具有特定尺寸的微透镜,制作的微透镜能将微透镜阵列技术应用于短波1μm?3μm红外探测器中,有效地提高探测器件的光电性能。采用AZ P4620厚光刻胶,利用紫外光刻技术,对透镜制作中的前烘、曝光和显影、坚膜、热熔等工艺进行了深入细致的实验研究,确定了最优的工艺参数,实现了球冠直径在(5.5±0.5)μm,曲率半径3μm的微透镜,且透镜有很好的均匀性和一致性,满足近红外探测器件的要求。
关键词
微透镜阵列
光刻胶热熔法
前烘
热熔
Keywords
microlens array
melting photoresist
pre-baking
hot melt
分类号
TH741.8 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响
被引量:
1
2
作者
韩军
赵佳豪
赵杰
邢艳辉
曹旭
付凯
宋亮
邓旭光
张宝顺
机构
北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室
中国科学院苏州纳米
技术
与纳米仿生研究所纳米器件与应用
重点
实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第7期915-921,共7页
基金
国家自然科学基金(61204011,11204009,61574011)
北京市自然科学基金(4142005,4182014)
北京市教委科学研究基金(PXM 2018_014204_500020)资助项目~~
文摘
研究不同界面处理对AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N2和NH3等离子体对器件界面预处理,实验结果表明,N2等离子体预处理能够减小器件的电流崩塌,通过对N2等离子体预处理的时间优化,发现预处理时间10min能够较好地提高器件的动态特性,30min时动态性能下降。进一步引入AlN作为栅介质插入层并经过高温热退火后能够有效提高器件的动态性能,将器件的阈值回滞从411mV减小至111mV,动态测试表明,在900V关态应力下,器件的电流崩塌因子从42.04减小至4.76。
关键词
电流崩塌
AlN栅介质插入层
界面处理
ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
Keywords
current collapse
AlN gate dielectric insertion layer
interface treatment
AlGaN/GaN high electron mobility transistors
分类号
TN386.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高灵敏度空间点目标探测系统设计
被引量:
7
3
作者
刘明
邓军
冯献飞
钱峰松
机构
北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室
出处
《中国光学》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期115-122,共8页
基金
2017年创新服务能力建设-科研基地建设-重点实验室-光电子技术教育部重点实验室(No.PXM2017_014204_500034)~~
文摘
本文面向空间点目标探测,设计了基于高灵敏度CMOS传感器的空间点目标探测系统。首先对CMOS传感器图像进行降噪,提高传感器的探测灵敏度;其次,采用DSP+FPGA嵌入式架构,设计了基于星图匹配信息构建的点目标探测算法,并详细介绍了算法原理和步骤。最后,采用电子星图模拟器对该探测系统进行测试。结果表明:该嵌入式系统具备1 024×1 024@20p格式视频的实时处理能力,可以探测6等星。当信噪比大于6,视轴指向误差小于1°时,对于不同运动速度、不同尺寸点目标均能准确探测,识别正确率接近100%。综合而言,该空间点目标探测方法的计算精度高、适应性强、可靠性高,能够应用于空间点目标的有效探测。
关键词
CMOS传感器
点目标探测
星图匹配
嵌入式系统
Keywords
CMOS sensor
point target detection
star map matching
embedded system
分类号
TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TH691.9 [机械工程—机械制造及自动化]
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职称材料
题名
一维光子晶体纳米梁腔结构参量对带隙特性的影响
被引量:
1
4
作者
祝欣
刘克
机构
北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室
Department of Electrical and Computer Engineering
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期26-34,共9页
基金
国家自然科学基金(Nos.61377059、61775007),北京市自然科学基金(N0.4142004),2017年科技创新服务能力建设科研基地建设一重点实验室一光电子技术教育部重点实验室(市级)项目(No.PXM2017-014204-500034)资助
文摘
采用解析表达式的方法对一种一维光子晶体结构模型进行理论分析,通过三维时域有限差分数值计算仿真孔洞型一维光子晶体各结构参量对其带隙特性的影响.仿真结果表明孔洞周期和半径、InGaAsP波导宽度、下包层折射率以及填充系数等参量的变化都会对其带隙带宽和中心频率产生较大影响.设计具有特定谐振波长的一维光子晶体纳米梁腔实例,得到的谐振波长为1 561.7nm、品质因子达104量级.带隙特性的研究对于由一维光子晶体构成的光子集成器件如激光器、调制器等具有重要的指导意义.
关键词
集成光学
一维光子晶体
时域有限差分
带隙
谐振腔
Keywords
Integrated photonic
One-dimensional photonic crystal
Time domain finite difference
Photonic bandgap
Resonant cavity
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于短波红外探测器的微透镜阵列制作
冯献飞
邓军
刘明
李超慧
邹德恕
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2017
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响
韩军
赵佳豪
赵杰
邢艳辉
曹旭
付凯
宋亮
邓旭光
张宝顺
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
高灵敏度空间点目标探测系统设计
刘明
邓军
冯献飞
钱峰松
《中国光学》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
一维光子晶体纳米梁腔结构参量对带隙特性的影响
祝欣
刘克
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
在线阅读
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职称材料
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