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碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述被引量：1: 1; 作者郭钰刘春俊 +5 位作者张新河沈鹏远张博娄艳芳彭同华杨建《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第2期210-217,共8页; 碳化硅(SiC)外延质量会直接影响器件的性能和使用寿命,在SiC器件应用中起到关键作用。SiC外延质量一方面受衬底质量的影响,例如衬底的堆垛层错(SF)会贯穿到外延层中形成条状层错(BSF),螺位错(TSD)会贯穿到外延层中形成坑点或Frank型层错... 展开更多; 关键词碳化硅同质外延外延生长缺陷位错小坑; 在线阅读下载PDF 职称材料

影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究被引量：5: 2; 作者郭钰彭同华 +4 位作者刘春俊袁文霞蔡振立张贺王波《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期759-765,共7页; 选用二氧化硅抛光液抛光4H导电SiC晶片表面,探究影响SiC晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量。实验结果表明,SiC表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作用的结果。保持压力不变并增加氢氧根离子或双氧水的含量,SiC表面... 展开更多; 关键词碳化硅化学机械抛光 PH值压力双氧水; 在线阅读下载PDF 职称材料

8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征被引量：6: 3; 作者娄艳芳巩拓谌 +4 位作者张文郭钰彭同华杨建刘春俊《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2131-2136,共6页; 使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、... 展开更多; 关键词 8英寸SiC单晶衬底物理气相传输法 X射线摇摆曲线微管密度翘曲度和弯曲度位错密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

4H-SiC晶体中的层错研究被引量：4: 4; 作者赵宁刘春俊 +1 位作者王波彭同华《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期540-544,共5页; 采用物理气相传输法(PVT法)在4英寸(1英寸=25.4 mm)偏<11ˉ20>方向4°的4H-SiC籽晶的C面生长4H-SiC晶体。用熔融氢氧化钾腐蚀4H-SiC晶体,并利用光学显微镜研究了晶体中的堆垛层错缺陷的形貌特征和生长过程中氮掺杂对4H-SiC晶... 展开更多; 关键词 SIC 基平面位错堆垛层错氮掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

4H-SiC外延层中堆垛层错与衬底缺陷的关联性研究被引量：1: 5; 作者郭钰彭同华 +2 位作者刘春俊杨占伟蔡振立《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期748-754,共7页; 本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错(SF)的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-Tencor CS920的光致发光(PL)通道和形貌通道的特点,将SF分为五类。其中I类SF在PL通道图中显示为梯形,在形貌图中不显示;II类SF在PL通... 展开更多; 关键词碳化硅同质外延位错堆垛层错; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述被引量：1: 1; 作者郭钰刘春俊张新河沈鹏远张博娄艳芳彭同华杨建; 机构北京天科合达半导体股份有限公司深圳市重投天科半导体有限公司; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第2期210-217,共8页; 基金北京市科协卓越工程师培养计划。; 文摘碳化硅(SiC)外延质量会直接影响器件的性能和使用寿命,在SiC器件应用中起到关键作用。SiC外延质量一方面受衬底质量的影响,例如衬底的堆垛层错(SF)会贯穿到外延层中形成条状层错(BSF),螺位错(TSD)会贯穿到外延层中形成坑点或Frank型层错(Frank SF)等。另一方面受到外延工艺的影响,如在外延过程中衬底的基平面位错(BPD)受应力等条件作用会滑移形成Σ形基平面位错(Σ-BPD),衬底的TSD或刃位错(TED)会衍生为腐蚀坑(Pits),以及新产生SF和硅滴等。因此,获得高质量的SiC外延晶片需要从优选SiC衬底和优化外延工艺两方面入手。本文对外延生长过程中晶体缺陷如何转化并影响器件性能进行了系统分析和综述,并基于北京天科合达半导体股份有限公司量产的高质量6英寸SiC衬底,探讨了常见缺陷,如BPD、层错、硅滴和Pits等的形成机理及其控制技术,并对Σ-BPD的产生机理和消除方法进行研究,最终获得了片内厚度和浓度均匀性良好、缺陷密度低的外延产品,完成了650和1 200 V外延片产品的开发和产业化工作。; 关键词碳化硅同质外延外延生长缺陷位错小坑; Keywords SiC homo-epitaxial epitaxial growth defect dislocation pit; 分类号 O78 [理学—晶体学] O484 [理学—固体物理] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究被引量：5: 2; 作者郭钰彭同华刘春俊袁文霞蔡振立张贺王波; 机构北京天科合达半导体股份有限公司新疆天富能源股份有限公司新疆天科合达蓝光半导体有限公司北京科技大学; 出处《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期759-765,共7页; 基金国家科技部高技术研究发展计划"863计划"(2014AA041402) 北京市科技新星计划项目(Z141103001814088) 新疆兵团重点领域创新团队计划; 文摘选用二氧化硅抛光液抛光4H导电SiC晶片表面,探究影响SiC晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量。实验结果表明,SiC表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作用的结果。保持压力不变并增加氢氧根离子或双氧水的含量,SiC表面去除速率先增加后保持不变。在更大的压力下增加氢氧根离子的含量,SiC表面的抛光去除速率进一步增加。通过优化的抛光参数,SiC表面的抛光去除速率达到142 nm/h。进一步研究结果表明,保持化学机械抛光过程中氧化作用与机械作用相匹配,是获得高抛光效率和良好的表面质量的关键。表面缺陷检测仪(Candela)和原子力显微镜(AFM)的测试结果表明,SiC抛光片表面无划痕,粗糙度达到0.06 nm。外延后总缺陷密度小于1个/cm2,粗糙度达到0.16 nm。; 关键词碳化硅化学机械抛光 PH值压力双氧水; Keywords silicon carbide chemical mechanical polishing pH value pressure H2O2; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学] O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征被引量：6: 3; 作者娄艳芳巩拓谌张文郭钰彭同华杨建刘春俊; 机构北京天科合达半导体股份有限公司; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2131-2136,共6页; 基金国家重点研发计划(2021YFB3601100)。; 文摘使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备,对8英寸衬底的晶型、结晶质量、微管、电阻率、应力、面型、位错等进行了详细表征。拉曼光谱表明8英寸SiC衬底100%比例面积为单一4H晶型;衬底(004)面的5点X射线摇摆曲线半峰全宽分布在10.44″~11.52″;平均微管密度为0.04 cm^(-2);平均电阻率为0.020 3Ω·cm。使用偏光应力仪对8英寸SiC衬底内部应力进行检测表明整片应力分布均匀,且未发现应力集中的区域;翘曲度(Warp)为17.318μm,弯曲度(Bow)为-3.773μm。全自动位错密度检测仪对高温熔融KOH刻蚀后的8英寸衬底进行全片扫描,平均总位错密度为3 293 cm^(-2),其中螺型位错(TSD)密度为81 cm^(-2),刃型位错(TED)密度为3 074 cm^(-2),基平面位错(BPD)密度为138 cm^(-2)。结果表明8英寸导电型4H-SiC衬底质量优良,同比行业标准达到行业先进水平。; 关键词 8英寸SiC单晶衬底物理气相传输法 X射线摇摆曲线微管密度翘曲度和弯曲度位错密度; Keywords 8-inch SiC single crystal substrate physical vapor transport mehtod X-ray rocking curve micropipe density warp and bow dislocation density; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名4H-SiC晶体中的层错研究被引量：4: 4; 作者赵宁刘春俊王波彭同华; 机构北京天科合达半导体股份有限公司新疆天科合达蓝光半导体有限公司; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期540-544,共5页; 基金国家高技术研究发展计划(2014AA041402) 北京市科技新星计划(Z141103001814088) 新疆兵团重点领域创新团队~~; 文摘采用物理气相传输法(PVT法)在4英寸(1英寸=25.4 mm)偏<11ˉ20>方向4°的4H-SiC籽晶的C面生长4H-SiC晶体。用熔融氢氧化钾腐蚀4H-SiC晶体,并利用光学显微镜研究了晶体中的堆垛层错缺陷的形貌特征和生长过程中氮掺杂对4H-SiC晶体中堆垛层错缺陷的影响。结果显示,4H-SiC晶片表面的基平面位错缺陷的连线对应于晶体中的堆垛层错,并且该连线的方向平行于<1ˉ100>方向。相对于非故意氮掺杂生长的4H-SiC晶体,氮掺杂生长的4H-SiC晶体中堆垛层错显著偏多。然而,在氮掺杂生长的4H-SiC晶体的小面区域,虽然氮浓度高于其他非小面区域,但是该小面区域并没有堆垛层错缺陷存在,推测这主要是由于4H-SiC晶体小面区域特有的晶体生长习性导致的。; 关键词 SIC 基平面位错堆垛层错氮掺杂; Keywords SiC basal plane dislocation stacking faults nitrogen-doped; 分类号 TN34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名4H-SiC外延层中堆垛层错与衬底缺陷的关联性研究被引量：1: 5; 作者郭钰彭同华刘春俊杨占伟蔡振立; 机构北京天科合达半导体股份有限公司新疆天富能源股份有限公司; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期748-754,共7页; 基金北京市科技计划(D171100004517001) 北京市科技新星计划(Z171100001117068) 国家重点研发计划(2016YFB0400400)~~; 文摘本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错(SF)的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-Tencor CS920的光致发光(PL)通道和形貌通道的特点,将SF分为五类。其中I类SF在PL通道图中显示为梯形,在形貌图中不显示;II类SF在PL通道图中显示为三角形,且与I类SF重合,在形貌图中显示为胡萝卜形貌。III-V类SF在PL通道图中均显示为三角形,在形貌图中分别显示为胡萝卜、无对应图像或三角形。研究结果表明,I类SF起源于衬底的基平面位错(BPD)连线,该连线平行于<1100>方向,在生长过程中沿着<112ˉ0>方向移动,形成基平面SF。II类和大部分的III-IV类SF起源于衬底的BPD,其中一个BPD在外延过程中首先转化为刃位错(TED),并在外延过程中延<0001>轴传播,其余BPD或由TED分解形成的不全位错(PDs)在(0001)面内传播形成三角形基平面SF。其余的III-V类SF起源于衬底的TED或其它。II-III类SF在形貌通道中显示为胡萝卜,而IV类SF不显示,主要区别在于外延过程中是否有垂直于(0001)面的棱镜面SF与表面相交。上述研究说明减少衬底的BPD,对减少外延层中的SF尤为重要。; 关键词碳化硅同质外延位错堆垛层错; Keywords SiC homoepitaxial dislocation stacking fault; 分类号 O77 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述	郭钰刘春俊张新河沈鹏远张博娄艳芳彭同华杨建	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究	郭钰彭同华刘春俊袁文霞蔡振立张贺王波	《人工晶体学报》 CSCD 北大核心	2017	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征	娄艳芳巩拓谌张文郭钰彭同华杨建刘春俊	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2022	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	4H-SiC晶体中的层错研究	赵宁刘春俊王波彭同华	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2018	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	4H-SiC外延层中堆垛层错与衬底缺陷的关联性研究	郭钰彭同华刘春俊杨占伟蔡振立	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料