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用聚焦离子束气体辅助刻蚀在LiNbO_3上制备亚微米圆孔点阵
被引量：
1
1
作者
徐雪峰
颜莎
+3 位作者
王克明
王雪林
薛建明
王宇钢
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期937-940,共4页
使用聚焦粒子束(FIB)在LiNbO3上刻蚀用于光子晶体的亚微米圆孔二维点阵,研究了刻蚀束流、刻蚀时间和填充率等刻蚀参数对刻蚀结果造成的影响。为获得更好的刻蚀效果,还采用了FIB的气体辅助刻蚀方法(gas-assisted etching,GAE)。研究发现...
使用聚焦粒子束(FIB)在LiNbO3上刻蚀用于光子晶体的亚微米圆孔二维点阵,研究了刻蚀束流、刻蚀时间和填充率等刻蚀参数对刻蚀结果造成的影响。为获得更好的刻蚀效果,还采用了FIB的气体辅助刻蚀方法(gas-assisted etching,GAE)。研究发现,与直接刻蚀结果相比,GAE减小了反沉积效应,得到了更好的孔形。禁带模拟计算表明,与常规FIB刻蚀出的锥形圆孔相比,使用XeF2气体辅助刻蚀得到的这种侧壁更陡直的圆孔阵列构成的光子晶体禁带更趋近于理想光子晶体的禁带。
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关键词
聚焦离子束
铌酸锂
气体辅助刻蚀
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职称材料
题名
用聚焦离子束气体辅助刻蚀在LiNbO_3上制备亚微米圆孔点阵
被引量：
1
1
作者
徐雪峰
颜莎
王克明
王雪林
薛建明
王宇钢
机构
北京大学蘑离子物理研究所
山东
大学
物理
学院
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期937-940,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(10735070/A0504)
文摘
使用聚焦粒子束(FIB)在LiNbO3上刻蚀用于光子晶体的亚微米圆孔二维点阵,研究了刻蚀束流、刻蚀时间和填充率等刻蚀参数对刻蚀结果造成的影响。为获得更好的刻蚀效果,还采用了FIB的气体辅助刻蚀方法(gas-assisted etching,GAE)。研究发现,与直接刻蚀结果相比,GAE减小了反沉积效应,得到了更好的孔形。禁带模拟计算表明,与常规FIB刻蚀出的锥形圆孔相比,使用XeF2气体辅助刻蚀得到的这种侧壁更陡直的圆孔阵列构成的光子晶体禁带更趋近于理想光子晶体的禁带。
关键词
聚焦离子束
铌酸锂
气体辅助刻蚀
Keywords
focused ion beam
lithium niobate
gas-assisted etching
分类号
O614.111 [理学—无机化学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用聚焦离子束气体辅助刻蚀在LiNbO_3上制备亚微米圆孔点阵
徐雪峰
颜莎
王克明
王雪林
薛建明
王宇钢
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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