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聚甲基丙烯酸烷基磺酸酯的抗凝血性能及其膜的扫描电镜观察被引量：2: 1; 作者陈慧英孙丹虹 +4 位作者许炳智张国立冯新德朱宜陈淑华《中国生物医学工程学报》 CAS 1982年第1期1-6,65-66,共8页; 报告了甲基丙烯酸己磺酸酯的合成实验步骤。经复钙时间及肝素耐量实验等证明,此聚合物有较好的抗凝血性能,且其抗凝血性和磺酸基与主链的距离有关,而与分子量(从1.3×10~5到14.9×10~5)的关系不大。聚甲基丙烯酸己磺酸钠可形成... 展开更多; 关键词甲基丙烯酸磺酸钠活性炭马丁烯酸吸附剂抗凝血性能大分子化合物聚合物扫描电镜观察; 在线阅读下载PDF 职称材料

高分辨率电镜球差系数离焦量和分辨率的测定: 2; 作者陈文雄张存 +2 位作者徐军王启明汪裕苹《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期514-514,共1页; 高分辨率电镜球差系数离焦量和分辨率的测定陈文雄，张存，徐军，王启明，汪裕苹（北京大学电镜室，北京１００８７１）在一幅弱位相体的电子显微像中包含了物镜的球差系数、像散、离焦量和分辨率等重要信息。这些量在正空间中很难测量... 展开更多; 关键词电子显微镜 HREM 球差系数离焦量分辨率; 在线阅读下载PDF 职称材料

河南榴辉岩的绿辉石结构电镜研究: 3; 作者王启明《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期481-481,共1页; 河南榴辉岩的绿辉石结构电镜研究王启明（北京大学电镜室，北京１００８７１）绿辉石是具有复杂结构和复杂成份的辉石矿物，为榴辉岩的主要矿物，其成分大至由５０％透辉石分子和５０％硬玉分子组成（Ｄｉ＿（５０）Ｊｄ＿（５０）），... 展开更多; 关键词矿物分析榴辉岩绿辉石电子显微镜; 在线阅读下载PDF 职称材料

高J_c超导材料磁通分布的电镜研究: 4; 作者张存珪张惠珍 +3 位作者盖秀贞童莉泰陈海英王桂芝《电子显微学报》 CAS CSCD 1991年第3期255-259,共5页; 在减压降温液氮温区(约64K),采用磁缀饰法(即高分辨Bitter图法),分别在熔融织构生长(MTG)的YBa_2Cu_3O_7超导体和射频溅射制备的单晶外延YBa_2Cu_3O_7薄膜上用KYKY-1000 B SEM观察到超导体的磁通分布图,属无序非晶态结构。在MTG超导体... 展开更多; 关键词超导材料磁通分布电子显微镜; 在线阅读下载PDF 职称材料

脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响: 5; 作者桑立雯秦志新 +6 位作者方浩代涛杨志坚沈波张国义张小平俞大鹏《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期154-157,共4页; 在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面... 展开更多; 关键词化合物半导体位错透射电镜蓝宝石氮化铝; 在线阅读下载PDF 职称材料

钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构: 6; 作者张小平潘国宏 +4 位作者孙允希王勤堂雷晓钧孙玉秀田芳《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期461-462,共2页; 关键词钴铬垂直磁化膜显微形貌磁畴结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅衬底上外延CVD金刚石膜界面原子排列直接观察: 7; 作者尤力平高巧君《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期489-489,共1页; 硅衬底上外延ＣＶＤ金刚石膜界面原子排列直接观察尤力平＊高巧君（＊北京大学电镜室，北京大学物理系，北京１００８７１）ＣＶＤ金刚石膜作为新型功能材料以其独特的优异性能引起材料工作者极大的兴趣。近年来，异质外延ＣＶＤ金刚石... 展开更多; 关键词金刚石膜硅衬底界石异质外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

蚀变普通角闪石微结构研究: 8; 作者王启明《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期105-105,T003,共2页; 澳大利亚驼峰山岩体中普通角冈石的高分辨电子显微象，显示了一系列水热蚀变产生的云辉闪石系的显微结构。这些结构体在角闪石晶体中沿（010）方向生长，无序分布，链体的宽度各不一致，最常见的链体宽度是3，4，5，6链体，更宽的链体... 展开更多; 关键词角闪石微结构普通角闪石蚀变; 在线阅读下载PDF 职称材料

榍石的变形双晶的HREM分析: 9; 作者陈晶《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期492-492,共1页; 榍石的变形双晶的ＨＲＥＭ分析陈晶（北京大学电镜室，北京１００８７１）作者应用北京大学电镜室Ｈ－９０００高分辨电子显微镜，详细地观测分析了榍石的变形双晶，并结合图像处理及电算技术分析确定其变形双晶面为（３１１）。榍石作... 展开更多; 关键词变形双晶榍石 HREM 电镜; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名聚甲基丙烯酸烷基磺酸酯的抗凝血性能及其膜的扫描电镜观察被引量：2: 1; 作者陈慧英孙丹虹许炳智张国立冯新德朱宜陈淑华; 机构北京大学化学系北京大学电镜室; 出处《中国生物医学工程学报》 CAS 1982年第1期1-6,65-66,共8页; 文摘报告了甲基丙烯酸己磺酸酯的合成实验步骤。经复钙时间及肝素耐量实验等证明,此聚合物有较好的抗凝血性能,且其抗凝血性和磺酸基与主链的距离有关,而与分子量(从1.3×10~5到14.9×10~5)的关系不大。聚甲基丙烯酸己磺酸钠可形成一定韧性的膜,用扫描电镜进行了观察。; 关键词甲基丙烯酸磺酸钠活性炭马丁烯酸吸附剂抗凝血性能大分子化合物聚合物扫描电镜观察; 分类号 O63 [理学—高分子化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高分辨率电镜球差系数离焦量和分辨率的测定: 2; 作者陈文雄张存徐军王启明汪裕苹; 机构北京大学电镜室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期514-514,共1页; 文摘高分辨率电镜球差系数离焦量和分辨率的测定陈文雄，张存，徐军，王启明，汪裕苹（北京大学电镜室，北京１００８７１）在一幅弱位相体的电子显微像中包含了物镜的球差系数、像散、离焦量和分辨率等重要信息。这些量在正空间中很难测量，但在频率空间中可以比较容易地测定...; 关键词电子显微镜 HREM 球差系数离焦量分辨率; 分类号 TN16 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名河南榴辉岩的绿辉石结构电镜研究: 3; 作者王启明; 机构北京大学电镜室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期481-481,共1页; 文摘河南榴辉岩的绿辉石结构电镜研究王启明（北京大学电镜室，北京１００８７１）绿辉石是具有复杂结构和复杂成份的辉石矿物，为榴辉岩的主要矿物，其成分大至由５０％透辉石分子和５０％硬玉分子组成（Ｄｉ＿（５０）Ｊｄ＿（５０）），有时还含有少量锥辉石分子（Ａｃ）。...; 关键词矿物分析榴辉岩绿辉石电子显微镜; 分类号 P578.954 [天文地球—矿物学] P575.2 [天文地球—矿物学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高J_c超导材料磁通分布的电镜研究: 4; 作者张存珪张惠珍盖秀贞童莉泰陈海英王桂芝; 机构北京大学电镜室北京大学物理系; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1991年第3期255-259,共5页; 文摘在减压降温液氮温区(约64K),采用磁缀饰法(即高分辨Bitter图法),分别在熔融织构生长(MTG)的YBa_2Cu_3O_7超导体和射频溅射制备的单晶外延YBa_2Cu_3O_7薄膜上用KYKY-1000 B SEM观察到超导体的磁通分布图,属无序非晶态结构。在MTG超导体中得到清晰的孪晶界、层界和晶体缺陷对磁通的钉扎图象。最强的钉扎中心出现在尺寸较大的Y_2BaCuO_5(211)第二相粒子周围。; 关键词超导材料磁通分布电子显微镜; 分类号 TM260.145 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响: 5; 作者桑立雯秦志新方浩代涛杨志坚沈波张国义张小平俞大鹏; 机构北京大学介观物理和人工微结构国家重点实验室宽禁带半导体研究中心北京大学电镜室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期154-157,共4页; 基金国家自然科学基金(60876041 60577030 60776041); 文摘在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面之上的位错通过形成位错环互相湮灭或者直接终断于界面,使得在外延层中大量减少。研究表明,位错环的形成是由于在外延层的生长过程中侧向生长速率增加导致位错在镜像力的作用下互相吸引造成的。而位错在界面处的终断则被认为是由于界面上下应变发生变化引起的。; 关键词化合物半导体位错透射电镜蓝宝石氮化铝; Keywords compound semiconductor material dislocations TEM sapphire AlN; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构: 6; 作者张小平潘国宏孙允希王勤堂雷晓钧孙玉秀田芳; 机构北京大学电镜室北京大学物理系北京大学化学系北京大学微电子所中科院化学研究所青年纳米科技实验室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期461-462,共2页; 关键词钴铬垂直磁化膜显微形貌磁畴结构; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅衬底上外延CVD金刚石膜界面原子排列直接观察: 7; 作者尤力平高巧君; 机构北京大学电镜室北京大学物理系; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期489-489,共1页; 文摘硅衬底上外延ＣＶＤ金刚石膜界面原子排列直接观察尤力平＊高巧君（＊北京大学电镜室，北京大学物理系，北京１００８７１）ＣＶＤ金刚石膜作为新型功能材料以其独特的优异性能引起材料工作者极大的兴趣。近年来，异质外延ＣＶＤ金刚石单晶是国内外研究的热点之一，这是因...; 关键词金刚石膜硅衬底界石异质外延; 分类号 TN304.18 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名蚀变普通角闪石微结构研究: 8; 作者王启明; 机构北京大学电镜室; 出处《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期105-105,T003,共2页; 文摘澳大利亚驼峰山岩体中普通角冈石的高分辨电子显微象，显示了一系列水热蚀变产生的云辉闪石系的显微结构。这些结构体在角闪石晶体中沿（010）方向生长，无序分布，链体的宽度各不一致，最常见的链体宽度是3，4，5，6链体，更宽的链体结构比较少见。大量观测结果表明，这些云辉闪石结构体多产生在角闪石颗粒边缘、晶体破裂面和解理面周围。不同宽度链体之间可以发生相互置换，置换可以是协调式的，也可以是非协调式的。协调式置换即当链结构体置换时，没有位错或其他形式的破裂产生。非协调式置换为链结构体转换时伴随着角闪石晶格的错裂。错裂是分位错形式，主要沿角闪石的三个方向：1／4[010]，1／2[100]和1／2[100]＋1／4[010]，而错裂面的延伸是平行角闪石的解理面。非协调式置换的错裂产生更为宽阔的通道，促进蚀变反应进行具有更重要的意义。; 关键词角闪石微结构普通角闪石蚀变; Keywords hornblende HRTEM pyribole microfault; 分类号 P578.955 [天文地球—矿物学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名榍石的变形双晶的HREM分析: 9; 作者陈晶; 机构北京大学电镜室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期492-492,共1页; 文摘榍石的变形双晶的ＨＲＥＭ分析陈晶（北京大学电镜室，北京１００８７１）作者应用北京大学电镜室Ｈ－９０００高分辨电子显微镜，详细地观测分析了榍石的变形双晶，并结合图像处理及电算技术分析确定其变形双晶面为（３１１）。榍石作为副矿物广泛存在于自然界的岩浆岩和...; 关键词变形双晶榍石 HREM 电镜; 分类号 P575.2 [天文地球—矿物学] P578.949 [天文地球—矿物学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	聚甲基丙烯酸烷基磺酸酯的抗凝血性能及其膜的扫描电镜观察	陈慧英孙丹虹许炳智张国立冯新德朱宜陈淑华	《中国生物医学工程学报》 CAS	1982	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高分辨率电镜球差系数离焦量和分辨率的测定	陈文雄张存徐军王启明汪裕苹	《电子显微学报》 CAS CSCD	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	河南榴辉岩的绿辉石结构电镜研究	王启明	《电子显微学报》 CAS CSCD	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高J_c超导材料磁通分布的电镜研究	张存珪张惠珍盖秀贞童莉泰陈海英王桂芝	《电子显微学报》 CAS CSCD	1991	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响	桑立雯秦志新方浩代涛杨志坚沈波张国义张小平俞大鹏	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构	张小平潘国宏孙允希王勤堂雷晓钧孙玉秀田芳	《电子显微学报》 CAS CSCD	2000	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	硅衬底上外延CVD金刚石膜界面原子排列直接观察	尤力平高巧君	《电子显微学报》 CAS CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	蚀变普通角闪石微结构研究	王启明	《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	榍石的变形双晶的HREM分析	陈晶	《电子显微学报》 CAS CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料