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InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究被引量：5: 1; 作者章蓓王若鹏 +4 位作者丁晓民杨志坚戴伦崔晓明王舒民《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期253-256,共4页; 利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子阱微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用，反映了微盘的微腔特征．; 关键词微盘激光器半导体激光器量子阱异质结铟镓磷; 在线阅读下载PDF 职称材料

带有周期性微结构的InGaAlP量子阱发光二极管被引量：1: 2; 作者王大军章蓓 +3 位作者栾峰杨涛徐万劲马骁宇《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期87-90,共4页; 在分析和研究圆盘型光学模式的基础上,本文提出并研制成功一种带有周期性环形沟槽结构的新型Ｉｎ－ＧａＡｌＰ量子阱发光二极管．这种ＬＥＤ的制备工艺简单易行,效果明显结果证实,与同样面积方形台面普通ＬＥＤ相比,这种ＬＥＤ的出光强... 展开更多; 关键词发光二极管 InGaAlP量子阱红光发光二极管出光效率回音壁模式.; 在线阅读下载PDF 职称材料

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