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脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB_2薄膜的研究
被引量：
1
1
作者
任国利
张撷秋
+2 位作者
聂瑞娟
王守证
王福仁
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期710-714,共5页
采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成MgB混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(MT)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影...
采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成MgB混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(MT)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。在沉积温度为200℃,退火时间5min时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度退火温度曲线。在退火温度为670℃、720℃时,得到了最高的临界转变温度Tc=33K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有c轴取向。同时比较了在200℃下沉积,在670℃下分别退火不同时间的薄膜的超导性质。还比较了分别在不同温度下沉积,然后在670℃下退火5min的薄膜的超导性质。结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质。
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关键词
MGB2
超导薄膜
脉冲激光沉积
原位后退火
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职称材料
题名
脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB_2薄膜的研究
被引量：
1
1
作者
任国利
张撷秋
聂瑞娟
王守证
王福仁
机构
北京大学物理系及介观物理国家重点实验室
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期710-714,共5页
基金
教育部重点资助项目(02002)
文摘
采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成MgB混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(MT)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。在沉积温度为200℃,退火时间5min时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度退火温度曲线。在退火温度为670℃、720℃时,得到了最高的临界转变温度Tc=33K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有c轴取向。同时比较了在200℃下沉积,在670℃下分别退火不同时间的薄膜的超导性质。还比较了分别在不同温度下沉积,然后在670℃下退火5min的薄膜的超导性质。结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质。
关键词
MGB2
超导薄膜
脉冲激光沉积
原位后退火
Keywords
MgB2
superconducting thin films
pulsed laser deposition
In Situ annealing
分类号
O511 [理学—低温物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB_2薄膜的研究
任国利
张撷秋
聂瑞娟
王守证
王福仁
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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