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题名氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质
被引量：2
- 1
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作者
陈志忠
秦志新
沈波
朱建民
郑有炓
张国义
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机构
北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室
北京大学物理系
介观物理与人工微结构国家重点实验室
南京大学物理系
固体微结构国家重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期124-128,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 9876 0 0 2 )
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文摘
用透射电子显微镜 (TEM) ,X射线衍射(XRD)和光荧光谱 (PL)等测量手段研究了GaN薄膜的微结构和光学性质。样品是用光辐射加热MOCVD在蓝宝石衬底上制备的。随着衬底氮化时间的增加 ,扩展缺陷的密度显著增加。在位错密度增加一个数量级时 ,XRD摇摆曲线半宽度 (FWHM)由 1 1″增加到 1 5″,PL谱的黄光发射从几乎可忽略增加到带边发射强度的 1 0 0倍。结合生长条件 。
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关键词
氮化镓
氮化蓝宝石衬底
GAN薄膜
微结构
光学性质
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Keywords
GaN
microstructure
optical property
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分类号
O484
[理学—固体物理]
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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题名GaN基白光LED的研制与特性
被引量：9
- 2
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作者
唐英杰
王宇方
杨志坚
张国义
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机构
北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期91-94,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(69876002)
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文摘
本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管(W-LED).在室温、正向电流20mA时,W-LED轴向亮度为170mcd,显色指数(CRI)达到82,色温(CCT)为7448K,CIE色坐标是(0.296,0.316),接近纯白色(0.33,0.33).随着注入电流的增强,测量并探讨了白光LED的发射光谱与发光强度的变化.
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关键词
发光二极管
白光转换
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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题名X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜
被引量：3
- 3
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作者
周劲
杨志坚
唐英杰
张国义
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机构
北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期79-82,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(69876002)
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文摘
氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度.Ф扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构.计算出螺位错密度为:2.93×109cm-2和刃位错密度为:5.25×1010cm-2.
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关键词
GAN
氢化物汽相外延
X射线分析
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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题名InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱
- 4
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作者
陈志忠
秦志新
杨志坚
童玉珍
丁晓民
张国义
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机构
北京大学物理系
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期38-42,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(69876002)
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文摘
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.
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关键词
INGAN
InN分凝
InN量子点
光致发光
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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题名MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究
- 5
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作者
秦志新
陈志忠
童玉珍
陆曙
张国义
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机构
北京大学物理系
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期43-47,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(69876002)
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文摘
利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～2.6396%.根据XRD理论,计算出InN和InGaN的理论衍射强度.InN含量在所有样品中均小于3%,这表明样品的相分离度比较低.还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关.
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关键词
INGAN
InN分凝
MOCVD
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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