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锗硅表面结构和动态过程的STM研究: 1; 作者盖峥杨威生《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第2期104-112,共9页; 本文综述了我们利用扫描隧道显微镜和低能电子衍射对锗硅表面结构和动态过程进行的系统化和比较性的研究。研究结果除了具有重要的基础意义外 ,对半导体异质外延生长衬底选择以及量子线和量子点自组织生长模板的选择都有指导意义。; 关键词 STM 锗硅表面结构动态过程半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

STM在纳米科技中的应用几例被引量：3: 2; 作者盖峥于洪滨 +1 位作者何谊杨威生《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第6期693-696,共4页; 本文简述了我们用超高真空ＳＴＭ在介观物理和纳米科技前沿领域做的一些探索和结果。; 关键词扫描隧道显微镜 STM 纳米科技电子显微镜; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用近场光谱研究GaN蓝光二极管的杂质发光被引量：1: 3; 作者凌勇周赫田 +3 位作者朱星黄贵松党小忠张国义《电子显微学报》 CAS CSCD 1999年第1期43-47,共5页; 运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压ＭＯＣＶＤ方法外延生长的ＧａＮ蓝光二极管的杂质发光光谱。研究结果表明近场光谱为研究样品表面微观发光机理中提供了一个有力的手段，它能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱信息。本... 展开更多; 关键词 SNOM 氮化镓蓝光二极管杂质发光近场光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料