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氨化Ga_2O_3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线
被引量：
2
1
作者
李琰
王朋伟
+3 位作者
孙杨慧
高靖云
赵清
俞大鹏
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期91-96,共6页
在管式炉中用化学气相沉积(CVD)法在高温下用金做催化剂,首次通过氨化Ga2O3和金属Ga粒组成的混合镓源制备出高质量的GaN纳米线。运用SEM,TEM,XRD以及Raman,PL等表征手段分析了氮化镓纳米线的形貌、结构以及发光性质。最后着重探讨了通...
在管式炉中用化学气相沉积(CVD)法在高温下用金做催化剂,首次通过氨化Ga2O3和金属Ga粒组成的混合镓源制备出高质量的GaN纳米线。运用SEM,TEM,XRD以及Raman,PL等表征手段分析了氮化镓纳米线的形貌、结构以及发光性质。最后着重探讨了通过改变镓源的构成、氨化温度以及镓源和生长衬底间的距离等生长条件,研究了其对氮化镓形貌的影响,藉以提高在管式炉中生长GaN的可控性及可重复性,为制备大量GaN纳米线提供了依据。
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关键词
化学气相沉积法
氮化镓
纳米线
生长条件
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职称材料
题名
氨化Ga_2O_3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线
被引量：
2
1
作者
李琰
王朋伟
孙杨慧
高靖云
赵清
俞大鹏
机构
北京大学物理学院介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期91-96,共6页
基金
国家重大基础研究项目(973)(No.2009CB623703)
文摘
在管式炉中用化学气相沉积(CVD)法在高温下用金做催化剂,首次通过氨化Ga2O3和金属Ga粒组成的混合镓源制备出高质量的GaN纳米线。运用SEM,TEM,XRD以及Raman,PL等表征手段分析了氮化镓纳米线的形貌、结构以及发光性质。最后着重探讨了通过改变镓源的构成、氨化温度以及镓源和生长衬底间的距离等生长条件,研究了其对氮化镓形貌的影响,藉以提高在管式炉中生长GaN的可控性及可重复性,为制备大量GaN纳米线提供了依据。
关键词
化学气相沉积法
氮化镓
纳米线
生长条件
Keywords
CVD
GaN
nanowires
synthesis
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
氨化Ga_2O_3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线
李琰
王朋伟
孙杨慧
高靖云
赵清
俞大鹏
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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