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侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文) 被引量：1: 1; 作者杨志坚胡晓东 +12 位作者章蓓陆敏陆羽潘尧波张振声任谦徐军李忠辉陈志忠秦志新于彤军童玉珍张国义《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期72-76,共5页; 在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生... 展开更多; 关键词氮化镓侧向外延生长金属有机化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

以ZnS为源用化学气相沉积法在硅衬底上生长ZnO纳米颗粒被引量：2: 2; 作者李宇杰石鹏博 +4 位作者段然张伯蕊乔永平秦国刚黄兰《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期176-180,共5页; 首次以ZnS为源 ,采用化学气相沉积法在抛光的Si单晶片衬底上生长晶态的ZnO纳米颗粒 ,其形貌、尺寸和密度都与气体流量、衬底温度、生长时间以及有无催化剂等生长条件密切相关 .在没有Au催化的条件下 ,ZnO颗粒呈圆形颗粒 ,直径多在 30 2... 展开更多; 关键词化学气相沉积法硫化锌光致发光凝聚态物理氧化锌纳米颗粒; 在线阅读下载PDF 职称材料

高亮度InGaN基白光LED特性研究被引量：10: 3; 作者李忠辉丁晓民 +2 位作者杨志坚于彤军张国义《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期390-392,共3页; 利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 ... 展开更多; 关键词光源、InGaN、YAG、白光LED; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米硅/氧化硅体系光致发光机制被引量：15: 4; 作者秦国刚《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期165-173,共9页; 实际研究的多孔硅几乎都是氧化程度不同的氧化多孔硅,它与另一大类硅基发光材料纳米硅镶嵌氧化硅有相似的结构和发光特徵.两者都是由大量为氧化硅所包裹的纳米硅组成,可统称为纳米硅/氧化硅体系.它是当前研究最多并被普遍认为很有希望... 展开更多; 关键词纳米硅氧化硅体系光致发光发光机制半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

氨化Ga_2O_3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线被引量：2: 5; 作者李琰王朋伟 +3 位作者孙杨慧高靖云赵清俞大鹏《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期91-96,共6页; 在管式炉中用化学气相沉积(CVD)法在高温下用金做催化剂,首次通过氨化Ga2O3和金属Ga粒组成的混合镓源制备出高质量的GaN纳米线。运用SEM,TEM,XRD以及Raman,PL等表征手段分析了氮化镓纳米线的形貌、结构以及发光性质。最后着重探讨了通... 展开更多; 关键词化学气相沉积法氮化镓纳米线生长条件; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米YBCO颗粒的团聚的TEM研究: 6; 作者潘华勇徐晓琳 +1 位作者郭建栋俞大鹏《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期615-616,共2页; 关键词团聚 TEM 纳米超导颗粒 YBaCuO7-x 电子显微镜高温超导带材; 在线阅读下载PDF 职称材料

单量子点的发光与应用被引量：2: 7; 作者李函聪陈浠庆 +2 位作者杨静南史书姝许秀来《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期1251-1272,共22页; 由于量子限制效应,自组装半导体单量子点具有类似于原子的分立能级,可实现高不可分辨、高亮度和高纯度的单光子发射,其多种激子态能够产生不同偏振模式的光子。而光学微纳结构是调控量子点发光性质的有效手段,当单个量子点与光学微腔发... 展开更多; 关键词自组装半导体量子点激子自旋光学微腔光波导; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文) 被引量：1: 1; 作者杨志坚胡晓东章蓓陆敏陆羽潘尧波张振声任谦徐军李忠辉陈志忠秦志新于彤军童玉珍张国义; 机构北京大学物理学院介观物理国家重点实验室宽禁带半导体研究中心; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期72-76,共5页; 基金国家自然科学基金(60276010) 国家"863"计划项目(2001AA313060,2001AA313110,2001AA313140)资助项目~~; 文摘在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在 240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度 )减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到 108 cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。; 关键词氮化镓侧向外延生长金属有机化学气相沉积; Keywords GaN ELO MOCVD; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名以ZnS为源用化学气相沉积法在硅衬底上生长ZnO纳米颗粒被引量：2: 2; 作者李宇杰石鹏博段然张伯蕊乔永平秦国刚黄兰; 机构北京大学物理学院介观物理国家重点实验室北京大学化学学院; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期176-180,共5页; 基金国家自然科学基金重点项目 ( 90 2 0 10 3 7); 文摘首次以ZnS为源 ,采用化学气相沉积法在抛光的Si单晶片衬底上生长晶态的ZnO纳米颗粒 ,其形貌、尺寸和密度都与气体流量、衬底温度、生长时间以及有无催化剂等生长条件密切相关 .在没有Au催化的条件下 ,ZnO颗粒呈圆形颗粒 ,直径多在 30 2 0 0nm之间 ,密度为 10 4— 10 9cm-2 ;有Au催化的条件下 ,ZnO纳米颗粒呈六边形 ,平均尺寸明显变小 ,在 10 10 0cm之间 ,而密度显著提高 ,为 10 8— 10 10 cm-2 .所制备的纳米ZnO颗粒在 4 97nm和; 关键词化学气相沉积法硫化锌光致发光凝聚态物理氧化锌纳米颗粒; Keywords solid state physics ZnO nano-particles CVD Si substrates photoluminescence; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程] O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高亮度InGaN基白光LED特性研究被引量：10: 3; 作者李忠辉丁晓民杨志坚于彤军张国义; 机构北京大学物理学院介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期390-392,共3页; 基金国家"8 63"计划招标项目 (批准号 2 0 0 1AA3 13 14 0 ) ~~; 文摘利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 3cd ,正向电压小于 3 5V ,色度坐标为 (0 2 8,0 34) ,显色指数约为 70 .; 关键词光源、InGaN、YAG、白光LED; Keywords light source InGaN YAG white LEDs.; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米硅/氧化硅体系光致发光机制被引量：15: 4; 作者秦国刚; 机构北京大学物理学院介观物理国家重点实验室北京; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期165-173,共9页; 基金国家自然科学基金项目(90201037); 文摘实际研究的多孔硅几乎都是氧化程度不同的氧化多孔硅,它与另一大类硅基发光材料纳米硅镶嵌氧化硅有相似的结构和发光特徵.两者都是由大量为氧化硅所包裹的纳米硅组成,可统称为纳米硅/氧化硅体系.它是当前研究最多并被普遍认为很有希望的硅基发光材料体系.本文主要讨论纳米硅/氧化硅体系光致发光的机制,文中扼要介绍了我自己所在的研究小组近十几年来的一些相关研究工作.; 关键词纳米硅氧化硅体系光致发光发光机制半导体; Keywords Annealing Nanostructured materials Oxides Particles (particulate matter) Photoluminescence Porous silicon Quantum theory; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氨化Ga_2O_3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线被引量：2: 5; 作者李琰王朋伟孙杨慧高靖云赵清俞大鹏; 机构北京大学物理学院介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期91-96,共6页; 基金国家重大基础研究项目(973)(No.2009CB623703); 文摘在管式炉中用化学气相沉积(CVD)法在高温下用金做催化剂,首次通过氨化Ga2O3和金属Ga粒组成的混合镓源制备出高质量的GaN纳米线。运用SEM,TEM,XRD以及Raman,PL等表征手段分析了氮化镓纳米线的形貌、结构以及发光性质。最后着重探讨了通过改变镓源的构成、氨化温度以及镓源和生长衬底间的距离等生长条件,研究了其对氮化镓形貌的影响,藉以提高在管式炉中生长GaN的可控性及可重复性,为制备大量GaN纳米线提供了依据。; 关键词化学气相沉积法氮化镓纳米线生长条件; Keywords CVD GaN nanowires synthesis; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米YBCO颗粒的团聚的TEM研究: 6; 作者潘华勇徐晓琳郭建栋俞大鹏; 机构北京大学物理学院电子显微镜实验室北京大学物理学院介观物理国家重点实验室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期615-616,共2页; 基金国家自然科学基金资助项目(No .10 0 0 40 0 1) 北京大学测试基金中国博士后基金资助; 关键词团聚 TEM 纳米超导颗粒 YBaCuO7-x 电子显微镜高温超导带材; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程] TM26 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单量子点的发光与应用被引量：2: 7; 作者李函聪陈浠庆杨静南史书姝许秀来; 机构北京大学物理学院介观物理国家重点实验室北京量子信息科学研究院中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家研究中心; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期1251-1272,共22页; 基金国家重点研发计划(2021YFA1400700) 国家自然科学基金(62025507,11934019,92250301,11721404,12204020)。; 文摘由于量子限制效应,自组装半导体单量子点具有类似于原子的分立能级,可实现高不可分辨、高亮度和高纯度的单光子发射,其多种激子态能够产生不同偏振模式的光子。而光学微纳结构是调控量子点发光性质的有效手段,当单个量子点与光学微腔发生弱耦合时,Purcell效应将大大提高量子点作为单光子源或纠缠光子对源的性能。同时,量子点与光学微腔的强耦合系统可以作为量子光学网络中的量子节点,以及用于研究单光子水平的光学非线性效应。利用量子点与光学波导的耦合可实现固态量子比特和飞行光子比特的相干转换,以及高效的信息处理与传输,由此构建可靠的片上光学网络。此外,单量子点还具有可操控的自旋态,可作为量子比特的载体。考虑到量子点器件的制备过程易与成熟的半导体技术相结合,基于量子点的器件设计具有良好的可扩展性和集成化潜力。; 关键词自组装半导体量子点激子自旋光学微腔光波导; Keywords self-assembled semiconductor quantum dots excitons spins optical microcavities optical waveguides; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)	杨志坚胡晓东章蓓陆敏陆羽潘尧波张振声任谦徐军李忠辉陈志忠秦志新于彤军童玉珍张国义	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	以ZnS为源用化学气相沉积法在硅衬底上生长ZnO纳米颗粒	李宇杰石鹏博段然张伯蕊乔永平秦国刚黄兰	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2004	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高亮度InGaN基白光LED特性研究	李忠辉丁晓民杨志坚于彤军张国义	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2002	10	在线阅读下载PDF 职称材料
4	纳米硅/氧化硅体系光致发光机制	秦国刚	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2005	15	在线阅读下载PDF 职称材料
5	氨化Ga_2O_3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线	李琰王朋伟孙杨慧高靖云赵清俞大鹏	《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	纳米YBCO颗粒的团聚的TEM研究	潘华勇徐晓琳郭建栋俞大鹏	《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	单量子点的发光与应用	李函聪陈浠庆杨静南史书姝许秀来	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料