基于金属狭缝结构的表面等离激元全光调控 被引量：4

1

作者 陈建军 李智 龚旗煌 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期428-432,共5页

表面等离激元是束缚在金属-介质交界面上的一种电磁波模式,可突破衍射极限,被认为是下一代集成光子回路最有希望的信息载体。就几种表面等离激元金属狭缝结构的原理和应用做了简单概述。利用法布里-珀罗谐振腔、法诺共振、多模干涉等光... 表面等离激元是束缚在金属-介质交界面上的一种电磁波模式,可突破衍射极限,被认为是下一代集成光子回路最有希望的信息载体。就几种表面等离激元金属狭缝结构的原理和应用做了简单概述。利用法布里-珀罗谐振腔、法诺共振、多模干涉等光学效应,这些金属狭缝结构可对表面等离激元的传输行为进行有效地调控。在理论和实验上,利用金属狭缝结构实现了亚波长表面等离激元单向激发器、亚微米宽带单向激发器、亚微米分束器、超紧凑纳米聚焦器件和亚微米全光开关等纳米光子器件。这些纳米光子器件在纳米集成光学中具有重要应用。 展开更多

关键词 纤维与波导光学 表面等离激元 单向激发器 分束器 纳米聚焦 全光开关

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纳米压印制备的光子晶体结构对AlGaN基材料深紫外出光效率的提高 被引量：3

2

作者 蔡钧安 秦志新 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期998-1002,共5页

通过利用阳极氧化铝的方法制备高度有序的光子晶体结构作为纳米压印模板,将大面积光子晶体图案转移到了样品表面,解决了国际上小尺寸光子晶体制备困难的问题。采用纳米压印的方法在AlGaN基样品表面上制备了290 nm的周期光子晶体结构,并... 通过利用阳极氧化铝的方法制备高度有序的光子晶体结构作为纳米压印模板,将大面积光子晶体图案转移到了样品表面,解决了国际上小尺寸光子晶体制备困难的问题。采用纳米压印的方法在AlGaN基样品表面上制备了290 nm的周期光子晶体结构,并将表面具有光子晶体结构的AlGaN基样品正面出光强度提高121%。偏振特性的实验结果表明六角排列的孔状光子晶体将原来朝向样品侧面传播的TE偏振光偏折转向正面,从而增加光抽取效率,改变出光偏振度。指出远场角分辨图案的变化归因于光子晶体对出光的衍射和Bragg散射效果。实验中采用的创新性工艺可以用来制备具有高出光效率的深紫外发光二极管。 展开更多

关键词 出光效率 深紫外光 阳极氧化铝 光子晶体 偏振特性

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具有空间结构的强激光场与原子相互作用 研究的新进展(特邀) 被引量：2

3

作者 方一奇 刘运全 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期131-144,共14页

随着超快超强激光技术的发展,强激光场光与物质相互作用的研究得到了广泛的关注。与此同时,光场调控技术在经典光学领域中的快速发展为光学操控提供了一个新的自由度。近年来,这两个不同领域之间的结合——具有空间结构的强激光场与物... 随着超快超强激光技术的发展,强激光场光与物质相互作用的研究得到了广泛的关注。与此同时,光场调控技术在经典光学领域中的快速发展为光学操控提供了一个新的自由度。近年来,这两个不同领域之间的结合——具有空间结构的强激光场与物质相互作用,成为了强场物理前沿研究的热点之一。光电离和高次谐波是传统强场科学中两个十分基本又非常重要的物理过程。本文总结和综述了涡旋强激光场对光电离过程的影响和控制方面的研究进展,以及利用涡旋光束或者柱矢量光束驱动气体高次谐波产生等方面的最新工作,最后展望了具有空间结构强激光场与物质相互作用物理和光场调控研究的发展方向。 展开更多

关键词 超快光学 涡旋光束 矢量光束 高次谐波 强场电离

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绿色单峰发光聚(9,9-二烯丙基芴)的合成及其发光机制 被引量：12

4

作者 肖立新 胡双元 +3 位作者 孔胜 陈志坚 曲波 龚旗煌 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第4期977-982,共6页

为了得到绿色单峰发光的聚合物材料,我们设计并合成了9位取代的二烯丙基芴单体,在NiCl2的催化下,合成了可溶的聚芴衍生物,聚(9,9-二烯丙基芴)(PAF).较短的烯丙基链既可以增加聚芴的溶解度,双键的存在又有利于聚芴发生分子间聚集而得到... 为了得到绿色单峰发光的聚合物材料,我们设计并合成了9位取代的二烯丙基芴单体,在NiCl2的催化下,合成了可溶的聚芴衍生物,聚(9,9-二烯丙基芴)(PAF).较短的烯丙基链既可以增加聚芴的溶解度,双键的存在又有利于聚芴发生分子间聚集而得到绿光发射的有机电致发光器件(OLED).PAF在溶液和薄膜状态下的荧光峰分别位于403和456 nm的蓝光区域,而其器件ITO/PEDOT:PSS/PAF/LiF/Al(其中,ITO为氧化铟锡,PEDOT为聚(3,4-乙撑二氧噻吩),PSS为聚苯乙烯磺酸盐)的电致发光峰却红移至绿光区域(532 nm),得到绿色单峰发光.紫外吸收光谱、荧光发射光谱、红外光谱以及原子力显微镜(AFM)图像的结果证明,造成PAF电致发绿光的机制为聚合物分子间聚集. 展开更多

关键词 聚合物 二烯丙基芴 绿色发光 分子间聚集 有机电致发光器件

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氧化银纳米粒子的制备及其动态受激荧光 被引量：8

5

作者 张西尧 潘新宇 +5 位作者 张琦锋 许北雪 蒋红兵 刘春玲 龚旗煌 吴锦雷 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期203-207,共5页

采用真空蒸发沉积法和辉光放电氧化法,制备了粒径在5～30nm之间的可控、空间分布均匀、高纯度的氧化银纳米薄膜,使薄膜成岛状生长和避免光照是制备过程中的两个关键问题.用XPS分析了Ag3d和O1s轨道的结合能,计算了银和氧的原子比,证明其... 采用真空蒸发沉积法和辉光放电氧化法,制备了粒径在5～30nm之间的可控、空间分布均匀、高纯度的氧化银纳米薄膜,使薄膜成岛状生长和避免光照是制备过程中的两个关键问题.用XPS分析了Ag3d和O1s轨道的结合能,计算了银和氧的原子比,证明其成分为Ag2O,用XRD确定了氧化银纳米薄膜最强的衍射峰分别对应Ag2O的(111)、(110)、(200)、(211)晶面族.研究了这种薄膜在可见光波段的光吸收,计算得氧化银的禁带宽度为2.8eV.在蓝光持续照射几分钟激活后,观察到了其中纳米粒子在蓝光激发下发黄光和绿光,在绿光激发下发红光的现象,这种光致发光具有动态“闪烁”的特点.提出了氧化银光分解引入缺陷能级(如Ag3O,Ag+2O和Ag+3O)新的理论模型并对此现象进行定性的解释. 展开更多

关键词 氧化银 薄膜 纳米粒子 荧光

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GaN基外延膜的激光剥离和InGaNLD外延膜的解理 被引量：3

6

作者 黎子兰 胡晓东 +3 位作者 章蓓 陈科 聂瑞娟 张国义 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期29-32,共4页

利用波长为 2 4 8nm的KrF准分子激光器进行了蓝宝石衬底GaN外延层剥离。对极薄的MOCVD生长的单层GaN外延膜 (3μm)和InGaNLD外延膜 (5 μm)实现了大面积剥离。对剥离蓝宝石衬底背面抛光和未抛光外延片的不同特点作了比较 ,激光剥离所需... 利用波长为 2 4 8nm的KrF准分子激光器进行了蓝宝石衬底GaN外延层剥离。对极薄的MOCVD生长的单层GaN外延膜 (3μm)和InGaNLD外延膜 (5 μm)实现了大面积剥离。对剥离蓝宝石衬底背面抛光和未抛光外延片的不同特点作了比较 ,激光剥离所需的能量密度阈值分别约为 2 0 0mJ/cm2 和 30 0mJ/cm2 ,优化结果表明 ,能量密度分别在 4 0 0mJ/cm2 和 6 0 0mJ/cm2 可实现稳定的剥离。同时对剥离后的InGaN多量子阱LD结构薄膜进行了解理 ,SEM观察显示获得的InGaNLD腔面平整光滑。 展开更多

关键词 剥离 GAN INGAN LD 解理

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近场光学显微技术的进展及其应用 被引量：2

7

作者 方哲宇 刘丹 +2 位作者 王笑 黄姗 朱星 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第1期77-86,共10页

近场光学显微技术突破传统光学衍射极限获得了纳米尺度的空间分辨率,并在近场光存储、半导体材料、生命科学等交叉学科领域发挥了巨大的作用。本文综述了近场光学显微技术的发展现状,讨论了基于近场光学原理的超分辨近场结构在现代光刻... 近场光学显微技术突破传统光学衍射极限获得了纳米尺度的空间分辨率,并在近场光存储、半导体材料、生命科学等交叉学科领域发挥了巨大的作用。本文综述了近场光学显微技术的发展现状,讨论了基于近场光学原理的超分辨近场结构在现代光刻技术上的应用、表面等离激元的共振增强作用和束流作用在近场光学领域的进展以及表面增强拉曼散射机理的研究,并介绍了近场光学显微技术在单分子检测和细胞探测等其它生命科学领域的一些发展。 展开更多

关键词 扫描近场光学显微术 超高分辨近场结构 表面等离激元 表面增强拉曼散射 表面等离子晶体 全内反射 荧光显微术

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大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 被引量：2

8

作者 王新强 黎大兵 +2 位作者 刘斌 孙钱 张进成 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1305-1309,共5页

高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界... 高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界广泛高度重视。本文对大失配、强极化氮化物半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律进行了研究,旨在攻克蓝光发光效率限制瓶颈,突破高Al和高In氮化物材料制备难题,实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构,制备多波段、高效率发光器件和高频率、高耐压电子器件,实现颠覆性的技术创新和应用,带动电子材料产业转型升级。 展开更多

关键词 氮化镓 大失配 强极化 生长动力学 载流子调控

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飞秒强激光场下的分子动力学研究

9

作者 吴成印 吴志峰 +2 位作者 梁青青 徐楠 龚旗煌 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期123-123,共1页

飞秒激光通常伴随着极短的脉冲宽度和极强的脉冲强度，前者使人类能够在飞秒的时间尺度内实时观察分子的动力学过程，揭示化学反应的本质。而后者则可以极大地改变分子的行为，使分子发生取向、电离、解离和库仑爆炸等。飞秒激光正由过... 飞秒激光通常伴随着极短的脉冲宽度和极强的脉冲强度，前者使人类能够在飞秒的时间尺度内实时观察分子的动力学过程，揭示化学反应的本质。而后者则可以极大地改变分子的行为，使分子发生取向、电离、解离和库仑爆炸等。飞秒激光正由过去的测量工具向现在的控制工具转变，利用飞秒激光控制分子的上述行为，是目前研究热点之一。要想实现对分子上述过程的有效控制，首先必须对这些过程进行深刻的了解。 展开更多

关键词 飞秒强激光场 分子动力学 激光控制 飞秒激光 测量工具 动力学过程 脉冲强度 脉冲宽度

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超快速有机光子晶体光开关

10

作者 胡小永 江萍 +1 位作者 杨宏 龚旗煌 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期126-127,共2页

光子晶体光开关是一种重要的集成光子器件，它基于光子带隙特性来实现对光的传输过程进行“开”“关”控制作用，在超快速信息处理和光通讯等领域都具有非常重要的应用前景。聚苯乙烯是一种非线性有机共轭聚合物，其三阶非线性光学效应... 光子晶体光开关是一种重要的集成光子器件，它基于光子带隙特性来实现对光的传输过程进行“开”“关”控制作用，在超快速信息处理和光通讯等领域都具有非常重要的应用前景。聚苯乙烯是一种非线性有机共轭聚合物，其三阶非线性光学效应来源于共轭π电子的离域极化，因而具有较大的三阶非线性系数和飞秒量级的超快速时间响应。聚苯乙烯在400nm附近有一个线性吸收区。我们采用Spin-coating方法在石英基片上制备厚度为300nm的聚苯乙烯薄膜，利用聚焦离子束刻蚀技术来制备二维正方晶格聚苯乙烯光子晶体，晶格常数330nm，空气孔半径130nm，光子晶体中间有一宽度为450nm的线缺陷。 展开更多

关键词 光子晶体 超快速 光开关 三阶非线性光学效应 聚苯乙烯薄膜 共轭聚合物 聚焦离子束 光子器件

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GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量

11

作者 金春来 胡晓东 +2 位作者 王琦 张振生 章蓓 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期284-286,共3页

采用变条长方法实验测量了GaN基短波长激光器样品的放大自发发射谱,确定了样品的光增益和光损失系数,并发现了样品中存在着严重的光增益饱和的现象。证实了变条长方法对于研究GaN基短波长激光器性能的可行性。进一步比较了两种不同结构... 采用变条长方法实验测量了GaN基短波长激光器样品的放大自发发射谱,确定了样品的光增益和光损失系数,并发现了样品中存在着严重的光增益饱和的现象。证实了变条长方法对于研究GaN基短波长激光器性能的可行性。进一步比较了两种不同结构的激光器样品在增益和增益饱和方面的性能差别,同时指出样品外延时生成的裂纹,可能是造成这一差别的原因。 展开更多

关键词 放大的自发发射谱 变条长方法 光损耗 光增益 增益饱和

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蓝宝石衬底上GaN/Al_xGa_(1-x)N超晶格插入层对Al_xGa_(1-x)N外延薄膜应变及缺陷密度的影响 被引量：8

12

作者 周绪荣 秦志新 +6 位作者 鲁麟 沈波 桑立雯 岑龙斌 张国义 俞大鹏 张小平 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期701-706,共6页

室温300 K下,由于AlxGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到AlN的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料。高质量高铝组分AlxGa1-xN材料生长的一大困难就是AlxGa1-xN与常用的蓝宝石衬底之间大的晶格... 室温300 K下,由于AlxGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到AlN的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料。高质量高铝组分AlxGa1-xN材料生长的一大困难就是AlxGa1-xN与常用的蓝宝石衬底之间大的晶格失配和热失配。因而采用MOCVD在GaN/蓝宝石上生长的AlxGa1-xN薄膜由于受张应力作用非常容易发生龟裂。GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层技术是释放应力和减少AlxGa1-xN薄膜中缺陷的有效方法。研究了GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对GaN/蓝宝石上AlxGa1-xN外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响。通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,AlxGa1-xN外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得到。AlxGa1-xN外延薄膜的缺陷密度通过测量X射线衍射得到。对于具有相同阱垒厚度的超晶格,例如4 nm/4 nm,5 nm/5 nm,8 nm/8 nm的GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格,研究发现随着超晶格周期厚度的增加AlxGa1-xN外延薄膜缺陷密度降低,AlxGa1-xN外延薄膜处于张应变状态,且5 nm/5 nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层AlxGa1-xN外延薄膜的张应变最小。在保持5 nm阱宽不变的情况下,将垒宽增大到8 nm,即十个周期的5 nm/8 nm GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层使AlxGa1-xN外延层应变状态由张应变变为压应变。由X射线衍射结果计算了AlxGa1-xN外延薄膜的刃型位错和螺型位错密度,结果表明超晶格插入层对螺型位错和刃型位错都有一定的抑制效果。透射电镜图像表明超晶格插入层使位错发生合并、转向或是使位错终止,且5 nm/8 nm GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层导致AlxGa1-xN外延薄膜中的刃型位错倾斜30°左右,释放一部分压应变。 展开更多

关键词 AxlGa1-xN 超晶格 应变 线位错密度

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GaN基p-i-n型雪崩探测器的制备与表征(英文) 被引量：2

13

作者 李广如 秦志新 +2 位作者 桑立雯 沈波 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期262-265,共4页

制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器。器件在-5 V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA。响应增益-偏压曲线显示,可重复的雪崩增益起始于80 V附近,在85 V左右增益达到最大为120,表明所制备的器件具有较好的质量。C-V测... 制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器。器件在-5 V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA。响应增益-偏压曲线显示,可重复的雪崩增益起始于80 V附近,在85 V左右增益达到最大为120,表明所制备的器件具有较好的质量。C-V测量用来确定载流子的分布和耗尽信息,结果显示,p型层在15 V左右达到耗尽,对应的空穴载流子浓度在1.9×1017 cm-1左右,相对低的载流子浓度降低了电场限制,使探测器的工作电压相对偏高。在不同偏压下测量的光谱响应曲线显示出明显的Franz-Keldysh效应。 展开更多

关键词 紫外探测器 雪崩 碰撞电离

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基于Pb和LiF复合阴极的高对比度有机电致发光器件 被引量：2

14

作者 丛杨 陈志坚 龚旗煌 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1051-1053,共3页

通过氟化锂和铅共蒸,做成金属-绝缘体复合阴极,降低了阴极反射率,进而实现了高对比度有机电致发光器件(OLED)。对该高对比度器件的光学反射特性和电学特性进行了研究,并与传统的金属铝/氟化锂阴极器件进行了比较。该铅-氟化锂复合阴极... 通过氟化锂和铅共蒸,做成金属-绝缘体复合阴极,降低了阴极反射率,进而实现了高对比度有机电致发光器件(OLED)。对该高对比度器件的光学反射特性和电学特性进行了研究,并与传统的金属铝/氟化锂阴极器件进行了比较。该铅-氟化锂复合阴极的反射率只有18%,比相同厚度铝阴极的反射率降低了大约5倍,另外,该高对比度器件的电致发光特性与传统器件大致相当。 展开更多

关键词 有机电致发光 金属-绝缘体复合薄膜 高对比度

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Mg掺杂的Al_xGa_(1-x)N/GaN超晶格紫外峰的性质 被引量：1

15

作者 于涛 李睿 +4 位作者 杨子文 张晓敏 张延召 陈伟华 胡晓东 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期792-796,共5页

观测了不同Mg含量的AlxGa1-xN/GaN超晶格(SLs)样品在不同退火温度和激发强度下的光致发光(PL)光谱。结合霍尔测量,分析了其紫外发射(UVL)峰的起源及相关影响因素。实验发现:同一样品在N2气氛中高温退火,UVL峰强随退火温度的升高,先增至... 观测了不同Mg含量的AlxGa1-xN/GaN超晶格(SLs)样品在不同退火温度和激发强度下的光致发光(PL)光谱。结合霍尔测量,分析了其紫外发射(UVL)峰的起源及相关影响因素。实验发现:同一样品在N2气氛中高温退火,UVL峰强随退火温度的升高,先增至饱和继而急剧下降,峰位红移;而在相同退火条件下,随着掺杂Mg的流量增加,样品空穴浓度下降,峰强减弱,峰位红移。结果表明:UVL峰是来自于易热分解的浅施主(VNH)与浅受主(MgGa)之间的跃迁,并受到深施主(MgGaVN)与浅受主(MgGa)自补偿效应的影响。实验上随着PL光谱激发强度的增强,UVL峰位约有260meV的蓝移,结合超晶格极化场下的能带模型分析,认为这是极化效应导致的锯齿状能带中,VNH与MgGa之间跃迁方式的改变引起的现象。 展开更多

关键词 超晶格 缺陷发光 紫外峰 极化效应

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二维过渡金属硫族化合物中的缺陷和相关载流子动力学的研究进展 被引量：5

16

作者 王云坤 李耀龙 高宇南 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期18-42,共25页

原子级厚度的单层或者少层二维过渡金属硫族化合物因其独特的物理特性而被寄希望成为下一代光电子器件的重要组成部分。然而,二维材料的缺陷在很大程度上影响着材料的性质。一方面,缺陷的存在降低了材料的荧光量子效率、载流子迁移率等... 原子级厚度的单层或者少层二维过渡金属硫族化合物因其独特的物理特性而被寄希望成为下一代光电子器件的重要组成部分。然而,二维材料的缺陷在很大程度上影响着材料的性质。一方面,缺陷的存在降低了材料的荧光量子效率、载流子迁移率等重要参数,影响了器件的性能。另一方面,合理地调控和利用缺陷催生了单光子源等新的应用,因此,表征、理解、处理和调控二维材料中的缺陷至关重要。本文综述了二维过渡金属硫族化合物中的缺陷以及缺陷相关的载流子动力学研究进展,旨在梳理二维材料中的缺陷及其超快动力学与材料性能之间的关系,为二维过渡金属硫族化合物材料特性和高性能光电子器件的相关研究提供支持。 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 缺陷 载流子动力学

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拓扑绝缘体薄膜在超快光器件中的应用(特邀) 被引量：1

17

作者 廖琨 李辰童 +1 位作者 胡小永 龚旗煌 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期145-165,共21页

随着超快光学的发展和对以Bi2Te3为代表的拓扑绝缘体材料研究的深入,近几年,将拓扑绝缘体薄膜应用于超快光器件的研究方向发展迅速并发表了一系列研究成果,本文综述了近年来基于拓扑绝缘体材料的超快激光及光器件的研究。从材料结构及... 随着超快光学的发展和对以Bi2Te3为代表的拓扑绝缘体材料研究的深入,近几年,将拓扑绝缘体薄膜应用于超快光器件的研究方向发展迅速并发表了一系列研究成果,本文综述了近年来基于拓扑绝缘体材料的超快激光及光器件的研究。从材料结构及制备方法出发,介绍了其独特的光学及光电特性,总结了其在超快激光及光器件中的应用研究进展,回顾和讨论了这一领域的成就和挑战,并对将拓扑绝缘体薄膜材料应用于超快光器件的进一步研究进行了展望。 展开更多

关键词 拓扑绝缘体材料 Bi2Te3薄膜 宽频强非线性效应 饱和吸收体 超快光器件

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光场调控在相干拉曼散射光谱与成像中的应用(特邀) 被引量：2

18

作者 李润丰 董大山 施可彬 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期141-152,共12页

相干拉曼散射以其无标记、高灵敏、化学特异性等优势,被广泛应用于生物、医学、物理和化学的光谱与成像应用。通过对光场各项参数的调控,从时域、频域、相位、偏振等特性入手,可以解决光谱与成像应用中的实际问题。本文以光场调控原理... 相干拉曼散射以其无标记、高灵敏、化学特异性等优势,被广泛应用于生物、医学、物理和化学的光谱与成像应用。通过对光场各项参数的调控,从时域、频域、相位、偏振等特性入手,可以解决光谱与成像应用中的实际问题。本文以光场调控原理为主线,综述了相干拉曼散射光谱与成像应用的研究进展。 展开更多

关键词 相干拉曼散射 相干反斯托克斯拉曼散射 受激拉曼散射 光场调控

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钉扎在高温超导体反常霍尔效应中的作用

19

作者 贺丽 胡翔 +3 位作者 徐晓林 郭建栋 李传义 尹道乐 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期953-957,共5页

研究了钉扎在高温超导体反常霍尔效应中的作用。将从Ginzburg-Landau(GL)理论出发推导出的扩展幂律方程应用到高温超导体霍尔效应中,并详细考虑钉扎效应,得到了霍尔电阻在低温低场端分别关于温度和磁场的两个标度律,不同高温超导体的实... 研究了钉扎在高温超导体反常霍尔效应中的作用。将从Ginzburg-Landau(GL)理论出发推导出的扩展幂律方程应用到高温超导体霍尔效应中,并详细考虑钉扎效应,得到了霍尔电阻在低温低场端分别关于温度和磁场的两个标度律,不同高温超导体的实验数据可以很好地标度在一起。同时,基于含时GL理论的结果并考虑钉扎效应,给出了一组描述存在一次或多次霍尔反号的高温超导体的霍尔电导方程。 展开更多

关键词 钉扎 高温超导体 反常霍尔效应 标度律 霍尔电导方程

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In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响

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作者 张延召 秦志新 +9 位作者 桑立雯 许正昱 于涛 杨子文 沈波 张国义 赵岚 张向锋 成彩晶 孙维国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期91-95,共5页

Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMI... Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。 展开更多

关键词 p-AlxGa1-xN In气氛 激活能 深紫外LED

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