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GaN发光二极管的负电容现象
被引量：
4
1
作者
沈君
王存达
+5 位作者
杨志坚
秦志新
童玉珍
张国义
李月霞
李国华
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期338-341,共4页
采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性 ,由此可以同时测量结电容和串联电阻 ,并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下 ,GaN二极管的结电容具有负值 ,并且测试频率越低 ...
采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性 ,由此可以同时测量结电容和串联电阻 ,并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下 ,GaN二极管的结电容具有负值 ,并且测试频率越低 ,正向偏压越大 ,负电容现象越显著。这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子
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关键词
GAN
发光二极管
负电容
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职称材料
题名
GaN发光二极管的负电容现象
被引量：
4
1
作者
沈君
王存达
杨志坚
秦志新
童玉珍
张国义
李月霞
李国华
机构
天津
大学
应用
物理学
系
中国科学院半导体研究所半导体超晶格
国家
重点
实验室
北京大学物理学系人工微结构与介观物理国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期338-341,共4页
基金
北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室资助
中科院半导体超晶格国家重点实验室的支持
国家自然科学基金资助(69789601,69876002)
文摘
采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性 ,由此可以同时测量结电容和串联电阻 ,并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下 ,GaN二极管的结电容具有负值 ,并且测试频率越低 ,正向偏压越大 ,负电容现象越显著。这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子
关键词
GAN
发光二极管
负电容
Keywords
GaN
LED
negative capacitance
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN发光二极管的负电容现象
沈君
王存达
杨志坚
秦志新
童玉珍
张国义
李月霞
李国华
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
4
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