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采用Sn中介层的覆Al薄膜硅片键合技术研究 被引量:1
1
作者 朱智源 于民 +4 位作者 胡安琪 王少南 缪旻 陈兢 金玉丰 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期741-744,共4页
研究采用Sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于Al-Al直接热压键合,该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100 mm硅片,溅射一层500 nm厚度的Al层后,在N2气氛下进行450°C,30分钟退火,采用Ar等离子体清洗后... 研究采用Sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于Al-Al直接热压键合,该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100 mm硅片,溅射一层500 nm厚度的Al层后,在N2气氛下进行450°C,30分钟退火,采用Ar等离子体清洗后,溅射一层500 nm厚度的Sn层。将硅片金属面紧贴在一起放入键合机中键合,在真空中进行。键合时间为3分钟条件下,得到平均剪切强度为9.9 MPa,随着键合时间增加,剪切强度显著降低。 展开更多
关键词 圆片级键合 低温 低压 剪切强度
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聚焦离子束致形变微纳加工研究进展 被引量:3
2
作者 毛逸飞 吴文刚 徐军 《电子显微学报》 CAS CSCD 2016年第4期369-378,共10页
聚焦离子束技术(focused ion beam,FIB)由于其高精度刻蚀、定点加工、实时成像等优势,常用于精密加工、TEM制样等领域。其工作机理通常为:刻蚀、淀积与成像。而基于FIB新的加工手段正在被探索和研究,其中就包括两种聚焦离子束致形变技术... 聚焦离子束技术(focused ion beam,FIB)由于其高精度刻蚀、定点加工、实时成像等优势,常用于精密加工、TEM制样等领域。其工作机理通常为:刻蚀、淀积与成像。而基于FIB新的加工手段正在被探索和研究,其中就包括两种聚焦离子束致形变技术,分别为聚焦离子束应力引入致形变技术(FIB-stress induced deformation,FIBSID)和聚焦离子束物质再分布致形变技术(FIB-material-redistribution induced deformation,FIB-MRD)。前者通过控制FIB辐照时离子注入与溅射之间的竞争关系实现悬臂梁的多角度弯曲,后者利用粒子与物质作用时的瑞利不稳定性构建纳米结构,在一定意义上扩充了聚焦离子束的应用范围。运用上述方法可以加工三维微纳螺旋,悬浮光滑纳米弦以及大规模阵列化纳米网孔等多样化微/纳功能构件,在微流控系统,太赫兹通信,光学天线等领域具有很强的应用前景。 展开更多
关键词 聚焦离子束应力引入致形变 聚焦离子束物质再分布致形变 微/纳功能结构加工
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基于FIB-SID技术的三维金属无源电感制备与测试 被引量:1
3
作者 毛逸飞 王志强 +2 位作者 赵路睿 吴文刚 徐军 《中国材料进展》 CAS CSCD 2013年第12期742-745,751,共5页
重点研究了聚焦离子束的相关原理和应用。利用聚焦离子束应力引入致形变(Focused Ion Beam Stress-Introduced Deformation,FIB-SID)技术与常规微加工工艺相结合,制备微型金属无源螺旋电感的设计方法和工艺流程,并对其电学性能进行初步... 重点研究了聚焦离子束的相关原理和应用。利用聚焦离子束应力引入致形变(Focused Ion Beam Stress-Introduced Deformation,FIB-SID)技术与常规微加工工艺相结合,制备微型金属无源螺旋电感的设计方法和工艺流程,并对其电学性能进行初步高频测试。首先在SOI(Silicon-on-Insulator)基片上通过光刻、溅射以及各项同性刻蚀等常规工艺制得悬浮的金属悬臂梁,再利用FIB刻蚀原理进行应力引入,通过控制注入离子剂量、FIB应力引入的次数、FIB扫描的间距等试验参数制得不同尺寸结构的三维螺旋金属无源电感。后,采用安捷伦网络分析仪与微波探针台,使用GSG结构及相应的去嵌方法,对微型金属螺线管电感进行了高频测试。得出了三维螺旋微纳电感的电感值、品质因子、电压驻波比、回波损耗随频率变化关系。 展开更多
关键词 FIB—SID 微型金属无源螺旋电感 高频测试
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一种基于MEMS芯片的新型地面大气电场传感器 被引量:14
4
作者 杨鹏飞 陈博 +3 位作者 闻小龙 彭春荣 夏善红 郝一龙 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第6期1536-1540,共5页
该文基于MEMS电场敏感芯片,研制出了一种新型的地面大气电场传感器,解决了现有场磨式电场仪易磨损、功耗大、故障率高等问题。敏感芯片采用SOIMUMPS加工工艺制备,其芯片面积仅为5.5 mm×5.5 mm。该文提出了传感器敏感芯片的弱信号... 该文基于MEMS电场敏感芯片,研制出了一种新型的地面大气电场传感器,解决了现有场磨式电场仪易磨损、功耗大、故障率高等问题。敏感芯片采用SOIMUMPS加工工艺制备,其芯片面积仅为5.5 mm×5.5 mm。该文提出了传感器敏感芯片的弱信号检测方法,设计出了满足环境适应性的传感器整体结构方案,并建立了传感器的灵敏度分析模型。对电场传感器进行测试,测量范围为-50 k V/m^50 k V/m,总不确定度为0.67%,分辨力达到10 V/m,功耗仅为0.62 W。外场试验结果表明,MEMS地面大气电场传感器在晴天和雷暴天的电场探测结果,与Campbell公司场磨式电场仪探测结果都有较好的一致性,说明该传感器能满足预测雷暴要求,实现雷电监测和预警功能。 展开更多
关键词 微机电系统 电场传感器 MEMS地面大气电场传感器
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基于环形肖特基二极管的MEMS陀螺仪接口ASIC电路温度特性分析与设计 被引量:3
5
作者 沈广冲 鲁文高 +3 位作者 刘明星 李小亮 张雅聪 陈中建 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期299-303,共5页
完成了采用环形二极管结构的MEMS陀螺仪接口ASIC电路设计并且理论分析了环形肖特基二极管的温度特性对电路输出的影响。MEMS陀螺仪系统采用高频载波调制方案,在陀螺仪可动质量块施加1MHz载波,将陀螺仪振动信号调制到载波附近。环形肖特... 完成了采用环形二极管结构的MEMS陀螺仪接口ASIC电路设计并且理论分析了环形肖特基二极管的温度特性对电路输出的影响。MEMS陀螺仪系统采用高频载波调制方案,在陀螺仪可动质量块施加1MHz载波,将陀螺仪振动信号调制到载波附近。环形肖特基二极管作为调制解调器,解调陀螺仪输出已调信号得到陀螺仪振动信号。这种方案可以有效放大陀螺仪输出信号。理论和仿真结果表明,肖特基二极管阈值电压随温度的变化会改变电路增益,引入一个正温度系数。采用负温度系数反馈电阻,从而降低电路总的温度系数。ASIC电路基于0.18μm CMOS工艺实现。 展开更多
关键词 MEMS陀螺仪 环形肖特基二极管 温度特性
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一种基于体硅工艺的微机械可调节椭圆低通滤波器 被引量:2
6
作者 缪旻 卜景鹏 赵立葳 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期486-489,共4页
提出了一种椭圆低通可调滤波器的调谐方法,即通过调节第一传输零点(FTZ)来改变3dB截止频率Tc。解析计算表明,小范围内改变FTZ既可调节Tc和滚降速率,又能保证通带和阻带的特性基本不变。作者提出FTZ的移动可由串联谐振支路处容性MEMS开... 提出了一种椭圆低通可调滤波器的调谐方法,即通过调节第一传输零点(FTZ)来改变3dB截止频率Tc。解析计算表明,小范围内改变FTZ既可调节Tc和滚降速率,又能保证通带和阻带的特性基本不变。作者提出FTZ的移动可由串联谐振支路处容性MEMS开关的分布加载来实现,并基于微扰法求出器件中心谐振频率及特性的变化规律。本文相应设计了Tc为16GHz的7阶步进式滤波器。高频有限元全波仿真表明,每加载一个MEMS开关,Tc改变约1.5GHz,损耗特性则几乎不变。这证明了理论分析方法有较高的准确性,而且器件设计具有数字化调节能力和较出色的微波性能。这种方法也可用于高通和带通滤波器。论文还介绍了器件的体硅微加工流程及MEMS开关的初步加工结果。 展开更多
关键词 射频微机电系统 可调谐滤波器 椭圆低通滤波器 第一传输零点 频率移动 体硅微机械加工工艺
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硅微机械扭转微镜的研究进展
7
作者 栗大超 吴文刚 +3 位作者 闫桂珍 傅星 郝一龙 胡小唐 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期27-32,共6页
硅微机械扭转微镜在国防和民用领域都有着重要的应用.根据致动机理的不同,从压电驱动方式、电磁驱动方式、电热驱动方式和静电驱动方式等方面系统地阐述了硅微机械扭转微镜的研究现状与发展方向,同时重点讨论了硅微机械扭转微镜在医疗... 硅微机械扭转微镜在国防和民用领域都有着重要的应用.根据致动机理的不同,从压电驱动方式、电磁驱动方式、电热驱动方式和静电驱动方式等方面系统地阐述了硅微机械扭转微镜的研究现状与发展方向,同时重点讨论了硅微机械扭转微镜在医疗成像和生物技术等领域中的具体应用. 展开更多
关键词 MEMS 扭转微镜 压电驱动 电磁驱动 电热驱动 静电驱动
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微机械折叠波导慢波结构冷测特性的研究 被引量:4
8
作者 朱正鹏 缪旻 +2 位作者 瞿波 金玉丰 冯进军 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1757-1760,共4页
在太赫兹频段,折叠波导行波管因其重要的应用价值已成为一个研究热点.介绍了折叠波导结构和折叠波导行波管,优化设计了一种560GHz行波管器件的结构尺寸,并分别用理论解析方法和软件模拟工具研究了折叠波导慢波结构的冷测特性.文章还对... 在太赫兹频段,折叠波导行波管因其重要的应用价值已成为一个研究热点.介绍了折叠波导结构和折叠波导行波管,优化设计了一种560GHz行波管器件的结构尺寸,并分别用理论解析方法和软件模拟工具研究了折叠波导慢波结构的冷测特性.文章还对该类折叠波导慢波结构的微加工技术进行了初步的探讨,提出了基于ICP体硅深刻蚀、无电镀铜等组合工艺方案. 展开更多
关键词 太赫兹 真空电子技术 有限积分方法 微机电系统
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基于低温共烧陶瓷的微机械差分电容式加速度计的研究(英文) 被引量:3
9
作者 张义川 缪旻 +4 位作者 方孺牛 唐小平 卢会湘 严英占 金玉丰 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期467-473,共7页
低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现电子设备小型化、高密度集成化的主流封装/组装集成技术,可适用于耐高温、耐受恶劣环境下的特性要求。报道了以LTCC为结构材料设计、制作的一种MEMS差分电容式加速度计。该器件的敏感质量、4根悬臂梁结构... 低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现电子设备小型化、高密度集成化的主流封装/组装集成技术,可适用于耐高温、耐受恶劣环境下的特性要求。报道了以LTCC为结构材料设计、制作的一种MEMS差分电容式加速度计。该器件的敏感质量、4根悬臂梁结构都内嵌于LTCC多层基板,质量块和上下盖板之间通过印刷电极组成差分电容对;高精度电容检测芯片表贴于LTCC基板表面,将差分电容信号转化为电压信号。论文讨论了微机械LTCC加速度计的设计与制备、检测电路和性能测试。LTCC的高密度多层布线减小了互连线的长度和相关耦合寄生电容;基于集成芯片的检测电路解决了分立式检测电路的引起噪声大、电路复杂等问题。测试结果表明:该加速度计结构灵敏度较高,小载荷情况下表现出良好的线性关系,灵敏度约为30.3 m V/gn。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 加速度计 微机械加工 三维集成 微系统
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一种集成SAR-ADC的电容式MEMS陀螺仪高精度模拟接口电路(英文) 被引量:2
10
作者 方然 鲁文高 +5 位作者 陶婷婷 沈广冲 胡俊嵘 陈中建 张雅聪 于敦山 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期734-740,共7页
提出一种为MEMS振动陀螺仪设计的驱动和检测接口电路。第一步采用通用级和TIA得到低噪声C/V转换,同时集成采样率1.25MS/s的14位SAR.ADCs,将驱动和感应模式的信号转换到数字域。采用这种策略,模拟电路的复杂性被降低,数字域的信... 提出一种为MEMS振动陀螺仪设计的驱动和检测接口电路。第一步采用通用级和TIA得到低噪声C/V转换,同时集成采样率1.25MS/s的14位SAR.ADCs,将驱动和感应模式的信号转换到数字域。采用这种策略,模拟电路的复杂性被降低,数字域的信号可以更精确操作。此接口适用于共振频率为3~15kHz的MEMS陀螺仪。此电路在0.18μm CMOS工艺流片。实验结果显示,在3.5kHz频率下,输出电容的噪声密度为0.03aF/√Hz。 展开更多
关键词 电容接口电路 MEMS陀螺仪 SAR—ADC
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微尺寸叠氮化铅驱动飞片重要结构参数与飞片速度和能量的关系 被引量:7
11
作者 贺翔 严楠 +4 位作者 曾祥涛 解瑞珍 鲍丙亮 张良 吴伟明 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期1363-1371,共9页
为获得微尺寸叠氮化铅驱动飞片的重要结构参数与飞片速度和能量的关系,进行微装药驱动飞片的仿真研究。根据叠氮化铅的爆速与密度关系,拟合出基于γ律方程的叠氮化铅Jones-Wilkins-Lee状态方程参数;利用有限元分析软件AUTODYN建立叠氮... 为获得微尺寸叠氮化铅驱动飞片的重要结构参数与飞片速度和能量的关系,进行微装药驱动飞片的仿真研究。根据叠氮化铅的爆速与密度关系,拟合出基于γ律方程的叠氮化铅Jones-Wilkins-Lee状态方程参数;利用有限元分析软件AUTODYN建立叠氮化铅驱动飞片的仿真模型,并使用光子多普勒测速系统测得飞片速度-位移关系曲线,仿真与试验曲线的一致性好。使用建立的仿真模型分析装药直径、装药高度、加速膛孔径、飞片厚度与飞片速度和能量的关系。结果表明:随着装药直径和高度的增加,飞片速度、能量增长速率减小,装药直径变化对飞片速度、能量的影响更显著;随着飞片厚度增大,飞片速度呈指数下降,飞片能量先增后减,存在着使飞片能量最大的飞片厚度;加速膛孔径小于装药直径时,飞片速度、能量略有下降;加速膛孔径大于装药直径时,飞片速度、能量急剧下降。 展开更多
关键词 叠氮化铅 Jones-Wilkins-Lee状态方程 装药直径 装药高度 飞片厚度 加速膛孔径 飞片速度 飞片能量
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基于硅-玻璃键合工艺的微惯性器件的材料热失配应力表征 被引量:3
12
作者 刘梦霞 秦强 +2 位作者 董显山 崔健 赵前程 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期1715-1724,共10页
基于硅-玻璃键合工艺实现敏感结构和衬底相接是微惯性器件的主流工艺方案之一。硅和玻璃热膨胀系数不同,在惯性器件环境工作温度发生变化时,硅玻璃接触表面会产生热应力,该应力严重影响器件的性能。为了测量异质材料间的热失配应力以及... 基于硅-玻璃键合工艺实现敏感结构和衬底相接是微惯性器件的主流工艺方案之一。硅和玻璃热膨胀系数不同,在惯性器件环境工作温度发生变化时,硅玻璃接触表面会产生热应力,该应力严重影响器件的性能。为了测量异质材料间的热失配应力以及键合锚点尺寸对应力的影响,本文提出了一种以悬臂梁作为测试结构的锚点形变测量和数据处理方法,用于表征器件的工艺热失配应力。根据仿真结果将锚点设计成切块形式以减小最大应力和结构形变。测试结果表明,对于边长为600,400和200μm的锚点,悬臂梁相对锚点的平均离面位移分别为0.43,0.30和0.20 nm/℃;结果具有良好的重复性。该结果说明锚点热形变与锚点的大小直接相关,这对MEMS惯性结构以及工艺设计改进具有重要的意义。 展开更多
关键词 微惯性器件 热失配应力 悬臂梁 测量方法 离面位移
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小尺寸SCB裸桥与涂LTNR时的电爆发火特性 被引量:1
13
作者 樊志伟 严楠 +4 位作者 贺翔 张良 李朝振 张威 李宋 《兵器装备工程学报》 CAS 北大核心 2020年第9期29-35,共7页
为了研究小尺寸半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)裸桥和涂斯蒂芬酸铅(Lead Styphnate,LTNR)时的电爆发火特性,在22μF电容放电条件下,对小尺寸磷掺杂单晶硅SCB裸桥与涂LTNR时的电爆、后期放电(Late Time Discharge,LTD)过程的能量及... 为了研究小尺寸半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)裸桥和涂斯蒂芬酸铅(Lead Styphnate,LTNR)时的电爆发火特性,在22μF电容放电条件下,对小尺寸磷掺杂单晶硅SCB裸桥与涂LTNR时的电爆、后期放电(Late Time Discharge,LTD)过程的能量及时间数据进行了测试和对比分析。结果表明:裸桥和涂药SCB在8 V、12 V、16 V、20 V和24 V电压下电爆能量的平均值十分接近,裸桥和涂药SCB电爆能量值与电压大小无关。随着电压的提高,裸桥和涂药SCB的LTD能量及时间按照指数规律上升,发火之后的掺杂单晶硅层汽化的面积会不断扩大。裸桥和涂药SCB所有电爆发火样品的电爆能量平均值分别为34.29μJ和34.27μJ,LTNR涂药在电爆过程中吸收能量较少,对电爆能量的影响很小。 展开更多
关键词 半导体桥 电爆 斯蒂芬酸铅 发火能量 发火时间
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金刚石薄膜场发射特性研究现状 被引量:2
14
作者 王旸 张锦文 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期9007-9016,共10页
金刚石薄膜具有负电子亲合能、高热导率和极强的化学惰性等优势,作为场发射材料引起了广泛关注。回顾了金刚石薄膜的分类,介绍了氢化金刚石薄膜具有的负电子亲合能特性,分析了金刚石薄膜场发射特性的影响因素,列举了场发射特性的优化方... 金刚石薄膜具有负电子亲合能、高热导率和极强的化学惰性等优势,作为场发射材料引起了广泛关注。回顾了金刚石薄膜的分类,介绍了氢化金刚石薄膜具有的负电子亲合能特性,分析了金刚石薄膜场发射特性的影响因素,列举了场发射特性的优化方向,并总结了文献中报道的金刚石薄膜与其他材料复合获得的场发射阴极的性能,对于分析和改进金刚石薄膜器件场发射性能具有重要意义。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 场电子发射 负电子亲合能
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用于毫米波谐波混频器本振端口的带通滤波器设计 被引量:2
15
作者 何荣 缪旻 崔小乐 《科学技术与工程》 北大核心 2018年第35期152-156,共5页
毫米波接收系统设计中,由于高频率的本振源获取难度大且成本高,因此毫米波频段的接收信号主要与本振信号的高次谐波分量而非本振信号进行混频,来获得基带信号。为保证本振信号及其谐波信号的质量,必须在混频器的本振端口加入滤波器,对... 毫米波接收系统设计中,由于高频率的本振源获取难度大且成本高,因此毫米波频段的接收信号主要与本振信号的高次谐波分量而非本振信号进行混频,来获得基带信号。为保证本振信号及其谐波信号的质量,必须在混频器的本振端口加入滤波器,对其基本要求是通带宽、频率选择性好、变频损耗低。首先基于先进设计系统(advanced design systems,ADS)软件设计了一个用于Ka波段四次谐波混频器本振端的平行耦合带通滤波器,其中心频率为8. 5 GHz,通带宽2 GHz。然后用高频结构仿真(high frequency structures simulator,HFSS)软件进行了仿真验证,分析了基板厚度、铜箔厚度、介电常数对滤波器性能的影响。最后,对滤波器进行了加工与测试,将实际测试结果和HFSS仿真结果对比,发现两者基本一致,滤波器性能符合通带带宽、插入损耗和带外抑制的要求。 展开更多
关键词 毫米波混频器 滤波器 平行耦合 插入损耗
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ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究 被引量:12
16
作者 陈兢 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期476-478,共3页
对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整.通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowin... 对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整.通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowing效应;提出一种消除Notching效应的新方法,并用于深槽隔离工艺,取得了很好的效果. 展开更多
关键词 微机电系统 电感耦合等离子(ICP)刻蚀 深反应离子刻蚀(DRIE) 侧壁形貌 Notching效应 Bowing效应
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KOH湿法腐蚀中防金属腐蚀工艺研究
17
作者 刘勐 刘欣 +1 位作者 张威 郝一龙 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2012年第7期17-19,共3页
介绍了一种采用PROTEK材料作为保护层,在MEMS器件体硅湿法腐蚀加工工艺中保护金属电极的新工艺。采用这种新的工艺可以在MEMS体硅工艺传感器的加工过程中,完成所有IC工艺的加工后再进行MEMS体硅工艺的加工。实验结果表明:采用这种新的... 介绍了一种采用PROTEK材料作为保护层,在MEMS器件体硅湿法腐蚀加工工艺中保护金属电极的新工艺。采用这种新的工艺可以在MEMS体硅工艺传感器的加工过程中,完成所有IC工艺的加工后再进行MEMS体硅工艺的加工。实验结果表明:采用这种新的材料进行KOH腐蚀工艺的金属表面保护,既可以提高工艺加工效率,又可以提高工艺加工质量。该工艺可以广泛应用于MEMS体硅工艺中KOH湿法腐蚀的工艺加工,也可以应用于光电子器件的工艺加工。 展开更多
关键词 KOH湿法腐蚀 微机电系统 PROTEK材料 体硅工艺
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一种高性能人造视网膜微刺激器的设计
18
作者 郑亚莉 邹月娴 金玉丰 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1679-1685,共7页
微刺激器是人造视网膜系统的核心组成部分,其设计面临诸多挑战。设计了一个驱动4×4微电极阵列的人造视网膜微刺激器,通过采用内部计数和内部RAM策略,将传输数据量减小到1/16。通过采用宽摆幅共源共栅结构使微刺激器的输出阻抗和输... 微刺激器是人造视网膜系统的核心组成部分,其设计面临诸多挑战。设计了一个驱动4×4微电极阵列的人造视网膜微刺激器,通过采用内部计数和内部RAM策略,将传输数据量减小到1/16。通过采用宽摆幅共源共栅结构使微刺激器的输出阻抗和输出电压摆幅分别达到2~4兆欧姆和90%以上,提高了其生物环境适应性。通过引入电荷平衡机制,减小了失配引起的电荷积累,提高了人造视网膜长期工作的安全性。仿真结果验证了该微刺激器方案的正确性。 展开更多
关键词 人造视网膜 微刺激器 电路仿真 宽摆幅共源共栅结构 电荷平衡机制
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不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究
19
作者 王莎莎 陈兢 张海霞 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期449-450,453,共3页
测量了淀积在三种不同的牺牲层材料(热氧SiO2、LPCVD SiO2、LPCVD PSG)上LPCVD氮化硅薄膜的应力,结果表明,不同牺牲层上淀积的氮化硅薄膜残余应力存在较大的差异.从多方面分析了残余应力差异产生的原因,实验得到的结果为器件的设计提供... 测量了淀积在三种不同的牺牲层材料(热氧SiO2、LPCVD SiO2、LPCVD PSG)上LPCVD氮化硅薄膜的应力,结果表明,不同牺牲层上淀积的氮化硅薄膜残余应力存在较大的差异.从多方面分析了残余应力差异产生的原因,实验得到的结果为器件的设计提供了更准确的依据. 展开更多
关键词 微机械系统 残余应力 薄膜 牺牲层 氮化硅
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