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纳米尺度多晶硅微结构刻蚀研究
被引量：
1
1
作者
李悦
田大宇
+2 位作者
李静
刘鹏
戴晓涛
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第6期413-416,共4页
以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂直度的对应关系进行了大量工艺实验。借助理论分析和工艺条件的优化,开发出一套可满足制备侧壁垂直度的纳...
以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂直度的对应关系进行了大量工艺实验。借助理论分析和工艺条件的优化,开发出一套可满足制备侧壁垂直度的纳米尺度多晶硅密排线结构的优化刻蚀工艺技术。实验结果表明:当采用900 W的离子源功率、11 W的偏压功率、25 cm3/min流量的HBr气体和3 mTorr(1 mTorr=0.133 3 Pa)刻蚀压力的工艺条件时,多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比大于100∶1;在保持离子源功率、偏压功率、气体流量不变的条件下,单纯提高反应腔工艺压力则会大幅提高上述选择比值,同时损失多晶硅和二氧化硅的刻蚀均匀性;HBr气体流量的变化在上述功率及反应腔工艺压力的工艺范围内,对多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比和多晶硅刻蚀的形貌特征均无显著影响。采用上述优化的刻蚀工艺条件,配合纳米电子束光刻技术成功得到多晶硅纳米尺度微结构,其最小线宽为40 nm。
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关键词
ICP刻蚀系统
刻蚀速率
选择比
刻蚀形貌
电子束光刻
纳米尺度多晶硅线条
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职称材料
题名
纳米尺度多晶硅微结构刻蚀研究
被引量：
1
1
作者
李悦
田大宇
李静
刘鹏
戴晓涛
机构
北京大学微电子研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第6期413-416,共4页
文摘
以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂直度的对应关系进行了大量工艺实验。借助理论分析和工艺条件的优化,开发出一套可满足制备侧壁垂直度的纳米尺度多晶硅密排线结构的优化刻蚀工艺技术。实验结果表明:当采用900 W的离子源功率、11 W的偏压功率、25 cm3/min流量的HBr气体和3 mTorr(1 mTorr=0.133 3 Pa)刻蚀压力的工艺条件时,多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比大于100∶1;在保持离子源功率、偏压功率、气体流量不变的条件下,单纯提高反应腔工艺压力则会大幅提高上述选择比值,同时损失多晶硅和二氧化硅的刻蚀均匀性;HBr气体流量的变化在上述功率及反应腔工艺压力的工艺范围内,对多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比和多晶硅刻蚀的形貌特征均无显著影响。采用上述优化的刻蚀工艺条件,配合纳米电子束光刻技术成功得到多晶硅纳米尺度微结构,其最小线宽为40 nm。
关键词
ICP刻蚀系统
刻蚀速率
选择比
刻蚀形貌
电子束光刻
纳米尺度多晶硅线条
Keywords
ICP etching system； etching rate； selective ratio； etching profile； electron beam lithography（EBL）； nanometer scale poly silicon line
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米尺度多晶硅微结构刻蚀研究
李悦
田大宇
李静
刘鹏
戴晓涛
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012
1
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