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硅对聚合酶链式反应抑制作用的实时定量实验研究 被引量:1
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作者 雷银花 王玮 +1 位作者 王海滨 李志宏 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期203-206,共4页
采用实时定量PCR的方法研究了硅表面对乙肝病毒(HBV)DNA扩增过程的抑制作用。实验中采用HF处理的H终止硅和与自然氧化的硅片作为样品,按照1.0mm2/μL和5.2mm2/μL的面体比(硅片总表面积与PCR反应液的体积之比)与PCR反应液预混合(未加DN... 采用实时定量PCR的方法研究了硅表面对乙肝病毒(HBV)DNA扩增过程的抑制作用。实验中采用HF处理的H终止硅和与自然氧化的硅片作为样品,按照1.0mm2/μL和5.2mm2/μL的面体比(硅片总表面积与PCR反应液的体积之比)与PCR反应液预混合(未加DNA样品,同时,TaqDNA聚合酶的浓度分别为0.2U/35μL和1.0U/35μL),充分混合预设的时间后,取出硅片,汲取上清液与DNA样品混合后采用实时定量PCR仪SlanTM进行扩增。扩增结果的荧光曲线表明:自然氧化的硅样品对PCR抑制作用更强,其对Taq聚合酶的抑制效果大于4.4mU/mm2;高面体比条件下,即使在初始扩增阶段,也达不到理想的指数形式;缩短芯片反应时间有利于降低材料对扩增的抑制效应。 展开更多
关键词 硅抑制作用 聚合酶链式反应 实时定量PCR
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一种用于差分电容检测的电荷Delta-Sigma调制器的研究 被引量:3
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作者 王展飞 李志宏 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期2252-2254,2259,共4页
研究一种用于差分电容传感器检测的电荷Delta-Sigma调制器结构.在该检测电路中不需要C/V转换电路,待检测的差分电容直接作为调制器环路的输入电容,差分电容的变化量首先被转换为变化的电荷,然后被调制成一位的数字输出信号.文章最后给... 研究一种用于差分电容传感器检测的电荷Delta-Sigma调制器结构.在该检测电路中不需要C/V转换电路,待检测的差分电容直接作为调制器环路的输入电容,差分电容的变化量首先被转换为变化的电荷,然后被调制成一位的数字输出信号.文章最后给出了一个二阶的Delta-Sigma调制器的行为级仿真结果. 展开更多
关键词 电容检测 DELTA-SIGMA 电容传感器
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表面等离子体共振传感器的仿真 被引量:1
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作者 邢冰冰 耿照新 +2 位作者 王继业 钮金真 王静 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2010年第7期56-59,共4页
为了得到基于相位检测、角度检测和波长检测的表面等离子体共振(SPR)生物传感器的高检测精度,利用Matlab建立了Kretschmann模型SPR传感器的数值仿真软件。系统地进行了棱镜折射率、测试介质折射率、金膜的厚度等因素对3种不同检测方式的... 为了得到基于相位检测、角度检测和波长检测的表面等离子体共振(SPR)生物传感器的高检测精度,利用Matlab建立了Kretschmann模型SPR传感器的数值仿真软件。系统地进行了棱镜折射率、测试介质折射率、金膜的厚度等因素对3种不同检测方式的SPR曲线的影响。理论分析结果表明:角度调制时与介质折射率增加时,SPR角也相应增加,相位检测对传感层的折射率具有选择性。 展开更多
关键词 表面等离子体共振 微流体 聚合物棱镜
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SiC薄膜制备MEMS结构 被引量:2
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作者 王煜 郭辉 +3 位作者 张海霞 田大宇 张国炳 李志宏 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第14期1310-1312,共3页
采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构。对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐蚀特性。对SiC材料的力学特... 采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构。对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐蚀特性。对SiC材料的力学特性进行了研究。深入探讨了退火工艺、薄膜硅碳原子比对SiC薄膜力学特性的影响,同时对薄膜硅碳原子比与制备工艺参数(包括硅烷、甲烷流量)之间的关系进行了实验研究。 展开更多
关键词 SIC MEMS 谐振器 残余应力检测结构
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