硅微电子技术物理极限的挑战 被引量：7

1

作者 王阳元 韩汝琦 +1 位作者 刘晓彦 康晋锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期77-84,共8页

本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高，所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望，并从基本物理规律、材料、工艺技术、器件、电路和系统等几个方面对其来自于基本物理极限和实际的物理限制的... 本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高，所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望，并从基本物理规律、材料、工艺技术、器件、电路和系统等几个方面对其来自于基本物理极限和实际的物理限制的挑战进行了讨论其中起源于基本物理规律的基本物理极限是不可逾越的，而在实际发展过程中由于材料、结构。 展开更多

关键词 硅微电子技术 CMOS 物理极限 量子电子器件

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21世纪初微电子技术的发展趋势

2

作者 王阳元 张兴 《中国科技财富》 1998年第7期27-29,共3页

关键词 微电子技术 限制 特征尺寸 世纪初

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MOS表面反型层少子时变效应研究 被引量：1

3

作者 刘艳红 魏希文 +1 位作者 许铭真 谭长华 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期661-663,共3页

为深入研究半导体表面过程 ,主要针对 Zerbst方程 ,用数值拟合法 ,给出脉冲电压作用下 MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解 ,进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式 ;分析了表面少子时变过程 ,为表面电荷... 为深入研究半导体表面过程 ,主要针对 Zerbst方程 ,用数值拟合法 ,给出脉冲电压作用下 MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解 ,进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式 ;分析了表面少子时变过程 ,为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具 . 展开更多

关键词 少数载流子 数值解/MOS结构 时变效应

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一种抗大过载微型加速度计研究 被引量：2

4

作者 曾昭君 石进杰 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期281-283,288,共4页

讨论了一种抗大过载 (15 0 0 0 0 g)的微型加速度计 ,主要内容包括 :阐述加速度计的工作原理 ;设计一种新型十字梁的器件结构 ,并对这种结构进行抗大过载的冲击实验 ,以验证这种新型的结构对于大过载冲击的可靠性 ;进而利用ANSYS对器件... 讨论了一种抗大过载 (15 0 0 0 0 g)的微型加速度计 ,主要内容包括 :阐述加速度计的工作原理 ;设计一种新型十字梁的器件结构 ,并对这种结构进行抗大过载的冲击实验 ,以验证这种新型的结构对于大过载冲击的可靠性 ;进而利用ANSYS对器件进行模态分析 ,找出结构上应变最大的位置 ,并对结构尺寸进行优化 ;提供一种可能的电路版图说明 ,并对加速度计的灵敏性进行理论分析 ; 展开更多

关键词 微型加速度计 MEMS 大过载 ANSYS 工作原理

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探测微小空间碎片的MOS电容传感器设计研究 被引量：1

5

作者 何正文 张明磊 +2 位作者 向宏文 吴中祥 王金延 《航天器工程》 2013年第1期87-92,共6页

获得在轨微小碎片环境数据,是建立、检验和完善微小碎片环境模型不可缺少的手段。国内空间碎片研究工作的深入开展,须要研制适合搭载到航天器上的微小碎片探测器,以完成轨道空间的微小碎片的质量、尺寸、速度及飞行方向等参数的测量。... 获得在轨微小碎片环境数据,是建立、检验和完善微小碎片环境模型不可缺少的手段。国内空间碎片研究工作的深入开展,须要研制适合搭载到航天器上的微小碎片探测器,以完成轨道空间的微小碎片的质量、尺寸、速度及飞行方向等参数的测量。微小碎片撞击到金属-氧化物-半导体(MOS)电容传感器,会导致传感器放电和充电,通过检测充电过程的电脉冲信号,记录微小空间碎片撞击事件,从而获得微小空间碎片通量。文章就探测微小碎片的MOS电容传感器设计及其地面高速粒子撞击模拟试验进行了研究,并验证其探测微小空间碎片的可行性。 展开更多

关键词 微小空间碎片 MOS电容 撞击

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基于CMI及差分电流的紫外读出集成电路的研究 被引量：1

6

作者 王翔 蔡波 +4 位作者 郭睿 刘继忠 高晓颖 王丽娜 周劲 《红外》 CAS 2009年第2期28-32,共5页

本文提出了一种基于电流镜镜像积分(CMI)及差分电流结构的GaN紫外探测器读出电路结构,分析了该读出电路结构的工作原理及特点。通过SPICE对电路结构进行了仿真验证,结果显示该读出电路结构可以对探测器的光响应电流信号进行有效的读取。

关键词 CMI 差分电流模 ROIC SPICE

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SIMOX材料制备中注入剂量优化研究

7

作者 奚雪梅 李映雪 +2 位作者 赵清太 王阳元 林成鲁 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期52-55,84,共5页

本文采用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＲＢ等测试手段，分析了注入剂量改变对ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响，研究结果表明，注入剂量低至０．６ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ... 本文采用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＲＢ等测试手段，分析了注入剂量改变对ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响，研究结果表明，注入剂量低至０．６ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ２时，经过１３００℃，６小时的高温退火过程，能形成界面清晰的三层结构，得到高结晶度的表面硅层，埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛；标准注入剂量（１．８ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ２）形成的ＳＩＭＯＸ材料表层硅出现明显的缺陷，分析结果表明，注入过程中表面存在的缺陷经高温退火后仍有部分残留，成为最终材料表面缺陷的原因之一；形成低表面缺陷和高绝缘性能埋氧化层的优化注入剂量在注入能形成连续氧化物的临界注入剂量左右。 展开更多

关键词 SIMOX 制备 注入剂量 优化 埋氧化层微结构

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超薄SOI应用SALICIDE技术的薄膜厚度优化研究

8

作者 奚雪梅 徐立 +3 位作者 闫桂珍 孟宪馨 李映雪 王阳元 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期13-14,17,共3页

在ＳＯＩ材料上采用钴（Ｃｏ）自对准硅化物技术，研究了减薄后的ＳＯＩ上钻溅射厚度的优化问题，着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而硅膜厚度变化对硅化物形成后薄层电阻的影响。实验表明，采用ＴＣｏ：ＴＳｉ≈... 在ＳＯＩ材料上采用钴（Ｃｏ）自对准硅化物技术，研究了减薄后的ＳＯＩ上钻溅射厚度的优化问题，着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而硅膜厚度变化对硅化物形成后薄层电阻的影响。实验表明，采用ＴＣｏ：ＴＳｉ≈１：３．６的近似方法优化粘膜厚度，会得到薄层电阻最低的硅化接触，改善其接触特性。 展开更多

关键词 SOI 自对准硅化物 薄膜 厚度 最佳化

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难熔金属氮化物栅的技术研究

9

作者 张利春 高玉芝 +1 位作者 宁宝俊 周建平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期207-211,共5页

本文采用衬底负偏压溅射方法对比研究了ZrN薄膜及其与GaAs的肖特基势垒特性,结果表明,该法不仅能降低ZrN薄膜电阻率,而且能增高GaAs肖特基势垒高度.文中还用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验,可以看出,氮注入明显地改善了Ti/n-G... 本文采用衬底负偏压溅射方法对比研究了ZrN薄膜及其与GaAs的肖特基势垒特性,结果表明,该法不仅能降低ZrN薄膜电阻率,而且能增高GaAs肖特基势垒高度.文中还用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验,可以看出,氮注入明显地改善了Ti/n-GaAs肖特基势垒特性. 展开更多

关键词 金属氮化物 肖特机势垒 MESFET

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SiO_2衬底上外延横向覆盖生长单晶硅薄膜的研究 被引量：4

10

作者 张旭光 李映雪 +1 位作者 王阳元 朱忠伶 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期1-7,共7页

本文论述了SOI方法之一——ELO(外延横向覆盖生长)技术的特点和工艺方案。利用射频加热卧式常压外延设备进行了系统的工艺研究,重点探讨了如何提高ELO层的质量和如何减少单晶缺陷的问题。分别在10微米和15微米宽的SiO_2条状图形上生长... 本文论述了SOI方法之一——ELO(外延横向覆盖生长)技术的特点和工艺方案。利用射频加热卧式常压外延设备进行了系统的工艺研究,重点探讨了如何提高ELO层的质量和如何减少单晶缺陷的问题。分别在10微米和15微米宽的SiO_2条状图形上生长出了硅单晶层,检测分析了ELO层的结构特性。基于ELO工艺的特点提出了利用HCl在位抛光减薄ELO层的工艺。 展开更多

关键词 SiO2衬底 单晶硅薄膜 外延生长

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MOS电容型微小空间碎片探测器探头研究

11

作者 郝志华 向宏文 +1 位作者 蔡震波 王金延 《航天器环境工程》 2017年第3期306-311,共6页

MOS电容传感器具有结构简单、可靠、功耗小等优点,在国外已被成功用于微小空间碎片在轨探测,但国内开展的相关研究还较少。文章在对MOS电容传感器探测微小空间碎片原理及过程进行分析的基础上,基于ADS软件建立了传感器电路模型,确定了... MOS电容传感器具有结构简单、可靠、功耗小等优点,在国外已被成功用于微小空间碎片在轨探测,但国内开展的相关研究还较少。文章在对MOS电容传感器探测微小空间碎片原理及过程进行分析的基础上,基于ADS软件建立了传感器电路模型,确定了影响传感器探测性能的关键参数,完成了传感器的设计及研制,进而研制了阵列式探头。最后对阵列式探头成功开展了地面高速微粒撞击试验,探头在经过了数十次高速微粒撞击后,仍能对高速撞击事件进行测量,初步验证了使用该探头开展在轨微小空间碎片探测是可行的。 展开更多

关键词 微小空间碎片 MOS电容传感器 阵列式探头

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复合介质L型侧墙形成技术 被引量：3

12

作者 金海岩 高玉芝 +2 位作者 冯国进 莫邦燹 张利春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期69-74,共6页

:给出了 E- B之间复合介质 L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易 ,成品率高 ,均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中 ,器件具有良好的电学特性。

关键词 多晶硅发射极 复合介质 双极晶体管 L型侧墙形成技术

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高过载测试中缓冲材料的试验分析 被引量：11

13

作者 刘俊 石云波 马游春 《中北大学学报（自然科学版）》 EI CAS 2005年第5期381-384,共4页

在高过载测试中,缓冲材料的选取直接的影响到缓冲结构的性能,通过对指标缓冲效率的分析,选取了铝及其合金泡沫铝作为缓冲材料,对其在高过载防护方面的一些特性进行了分析.设计了一种高效的缓冲结构并进行了一系列冲击试验.试验研究表明... 在高过载测试中,缓冲材料的选取直接的影响到缓冲结构的性能,通过对指标缓冲效率的分析,选取了铝及其合金泡沫铝作为缓冲材料,对其在高过载防护方面的一些特性进行了分析.设计了一种高效的缓冲结构并进行了一系列冲击试验.试验研究表明,泡沫铝具有很高的冲击吸收本领,是一种极具潜力的冲击缓冲材料. 展开更多

关键词 高过载 缓冲材料 冲击试验

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用于砷化镓器件的氮化铝薄膜特性 被引量：3

14

作者 高玉芝 尹红坤 +4 位作者 宁宝俊 李婷 张利春 侯永田 张树霖 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期312-316,共5页

研究了S-枪磁控反应溅射制备的AlN薄膜的晶体结构、组分以及薄膜的电学特性。用Raman散射方法检测了AlN与GaAs。SiON与GaAs的界面应力,并用AES方法对比研究了AlN/GaAs,SiON/GaAs经800C快速热退火前后两种薄膜对GaAs的掩蔽作用。高温快... 研究了S-枪磁控反应溅射制备的AlN薄膜的晶体结构、组分以及薄膜的电学特性。用Raman散射方法检测了AlN与GaAs。SiON与GaAs的界面应力,并用AES方法对比研究了AlN/GaAs,SiON/GaAs经800C快速热退火前后两种薄膜对GaAs的掩蔽作用。高温快速热退火后,SiON保护层对GaAs掩蔽失效、界画应力大;而AlN薄膜界面应力小,能有效地防止Ga,As的外扩散。表明AlN对GaAs集成电路技术是一种非常好的绝缘介质、钝化和保护材料。 展开更多

关键词 钝化层 半导体器件 氮化铝薄膜

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低阈值电压RF MEMS开关的力学模型 被引量：3

15

作者 郑惟彬 黄庆安 +1 位作者 李拂晓 金玉丰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期500-503,共4页

采用大激励极板的螺旋型膜开关在保持优异的高频特性的同时 ,可以获得较低的阈值电压。但是对这种结构的设计缺乏足够理论分析。文中将在 Ansys软件数值求解的基础上 ,研究缺口尺寸和开关阈值电压的关系 。

关键词 微机电系统 阈值电压 RFMEMS开关 力学模型 ANSYS软件 缺口尺寸

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WISHBONE IP核互联总线 被引量：2

16

作者 田泽 张怡浩 +2 位作者 于敦山 盛世敏 仇玉林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期28-31,共4页

介绍了一种新兴的SOC片上总线--WISHBONE。对总线的结构、连接方式、接口信号、数据传输方式及数据顺序作了详细说明,并总结了WISHBONE总线的技术特征。

关键词 SOC 片上总线 IP核 系统级设计 设计复用

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超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制 被引量：2

17

作者 奚雪梅 张兴 +2 位作者 倪卫华 阎桂珍 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期44-46,共3页

利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出... 利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能 ,5V电源电压下单门延迟时间达到 92ps,同时可工作的电源电压范围较宽 ,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景 . 展开更多

关键词 CMOS/SOI 环振电路 集成电路

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硅多条探测器的研制 被引量：1

18

作者 谭继廉 靳根明 +10 位作者 王宏伟 段利敏 袁小华 王小兵 李松林 卢子伟 徐瑚珊 宁宝俊 田大宇 王玮 张录 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期551-554,共4页

描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果.这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm.P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16硅条,相邻条之间的间距为140μm.当探测器工作在全耗尽偏压下,每一... 描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果.这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm.P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16硅条,相邻条之间的间距为140μm.当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值＜2nA.对239Pu α粒子的能量分辨为0.5%～0.9%,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4%～8%. 展开更多

关键词 反向漏电流 微电子工艺 探测器 掺杂 偏压 宽度 描述 能量分辨 等分 Α粒子

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纯金属电阻率的统计模型 被引量：2

19

作者 王矜奉 张德恒 +1 位作者 钟维烈 韩汝琦 《大学物理》 北大核心 1995年第12期10-12,共3页

本文提出了纯金属电阻率与声子浓度及声子平均动量的平方成正比的统计模型，由此简化模型．给出了纯金属电阻串的一个解析表达式，理论与实验规律相符，即在高温时，电阻率与温度Ｔ成正比，低温时与Ｔ￣５成正比．

关键词 电阻率 声子 德拜近似 纯金属 统计模型

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驱动视频TFT-LCD的CMOS集成电路 被引量：1

20

作者 关旭东 韩汝琦 +1 位作者 刘晓彦 翟霞云 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期74-74,84,共2页

北京大学微电子所于1991年4月在国内首次研制成功了用于驱动薄膜晶体管(TFT)有源矩阵液晶电视显示屏的专用GMOS集成电路。它包括栅驱动器——扫描电极总线驱动电路BDD1001和漏驱动器——信号电极总线驱动电路BDD2001两块IC。适合于驱动... 北京大学微电子所于1991年4月在国内首次研制成功了用于驱动薄膜晶体管(TFT)有源矩阵液晶电视显示屏的专用GMOS集成电路。它包括栅驱动器——扫描电极总线驱动电路BDD1001和漏驱动器——信号电极总线驱动电路BDD2001两块IC。适合于驱动200线左右的TFT有源矩阵液晶电视显示屏。 用于TFT有源矩阵液晶电视显示屏的专用IC的具体结构参数、性能要求是由矩阵驱动方式、扫描方法、液晶材料的性质及电光特性。 展开更多

关键词 液晶显示器 CMOS集成电路

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