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硅微电子技术物理极限的挑战 被引量：7
1
作者 王阳元 韩汝琦 +1 位作者 刘晓彦 康晋锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期77-84,共8页
本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高，所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望，并从基本物理规律、材料、工艺技术、器件、电路和系统等几个方面对其来自于基本物理极限和实际的物理限制的... 本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高，所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望，并从基本物理规律、材料、工艺技术、器件、电路和系统等几个方面对其来自于基本物理极限和实际的物理限制的挑战进行了讨论其中起源于基本物理规律的基本物理极限是不可逾越的，而在实际发展过程中由于材料、结构。 展开更多
关键词 硅微电子技术 CMOS 物理极限 量子电子器件
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Si-PIN硅条带探测器的电子学测试 被引量：4
2
作者 邹鸿 陈鸿飞 +4 位作者 邹积清 宁宝俊 施伟红 田大宇 张录 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期170-173,共4页
采用电子学等效方法对所研制的Si-PIN条带探测器的基本性能进行测试。Si-PIN条带探测器是在一个硅基片上刻蚀多个条带探测器,常用于空间探测中的粒子方向测量。介绍了对Si-PIN条带探测器电子学等效测试方法和结果,重点探讨了条带之间的... 采用电子学等效方法对所研制的Si-PIN条带探测器的基本性能进行测试。Si-PIN条带探测器是在一个硅基片上刻蚀多个条带探测器,常用于空间探测中的粒子方向测量。介绍了对Si-PIN条带探测器电子学等效测试方法和结果,重点探讨了条带之间的串扰问题。 展开更多
关键词 硅条带探测器 空间粒子探测 耗尽电容 条间串扰
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硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究 被引量：41
3
作者 王阳元 武国英 +5 位作者 郝一龙 张大成 肖志雄 李婷 张国炳 张锦文 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1577-1584,共8页
本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了... 本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件 ;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应 ;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究 .表面牺牲层工艺主要进行了下列研究 :多晶硅薄膜应力控制工艺 ; 展开更多
关键词 硅基 MEMS标准工艺 高深宽比刻蚀 键合 多晶硅 应力 防粘附 微机电系统 半导体
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岩土三轴试验中的粘聚力与内摩擦角 被引量：45
4
作者 杨同 徐川 +2 位作者 王宝学 张磊 廖国华 《中国矿业》 北大核心 2007年第12期104-107,共4页
根据莫尔-库仑破坏准则,岩土三轴试验的轴向破坏应力与围压之间呈线性关系。根据包络线定理,通过求解三轴试验应力圆包络线,得到粘聚力c、内摩擦角φ的计算公式。该公式具有物理意义明确,表述简单,且c、φ值可分别独立计算等特点,开辟... 根据莫尔-库仑破坏准则,岩土三轴试验的轴向破坏应力与围压之间呈线性关系。根据包络线定理,通过求解三轴试验应力圆包络线,得到粘聚力c、内摩擦角φ的计算公式。该公式具有物理意义明确,表述简单,且c、φ值可分别独立计算等特点,开辟了抗剪强度参数计算的新途径。据分析,粘聚力c与σc(零围压时的轴向破坏应力)成正比,随K(轴向破坏应力随围压变化的斜率)增大而下降;内摩擦角φ只随K增大单调升高。应用该公式列出了多组岩土工程中有一定代表性的岩土三轴试验数据。 展开更多
关键词 岩土三轴试验 抗剪强度 粘聚力 内摩擦角 包络线
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脉冲激光制膜新技术及其在功能薄膜研究中的应用 被引量：15
5
作者 李美亚 王忠烈 +2 位作者 林揆训 熊光成 范守善 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期132-135,共4页
脉冲激光制膜是近年来发展的富有希望的制膜新技术。本文简要介绍了脉冲激光制膜技术的原理、特点和优势以及在功能薄膜研究中的应用。
关键词 脉冲激光制膜 功能薄膜 外延生长 PLD 薄膜技术
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SoC片上总线综述 被引量：8
6
作者 田泽 张怡浩 +2 位作者 于敦山 盛世敏 仇玉林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期11-15,共5页
随着以IP核复用为基础的SoC设计技术的发展,工业界及研究组织积极从事相关IP互联标准方案的制定工作,从目前的研究和发展看,影响力较大的有IBM公司的CoreConnect、ARM公司的AMBA和SilicoreCorp公司的Wishbone。基于现有IP互联接口标准... 随着以IP核复用为基础的SoC设计技术的发展,工业界及研究组织积极从事相关IP互联标准方案的制定工作,从目前的研究和发展看,影响力较大的有IBM公司的CoreConnect、ARM公司的AMBA和SilicoreCorp公司的Wishbone。基于现有IP互联接口标准技术的发展现状,本文对这三种SoC总线技术进行了详细介绍。 展开更多
关键词 片上总线 IP核 设计复用 SOC 集成电路 CoreConnect总线 AMBA总线
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一种大厚度的三轴差分电容式硅微加速度计 被引量：7
7
作者 曹新平 张大成 +2 位作者 黄如 张兴 王阳元 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期572-575,共4页
介绍了一种新型三轴全差分电容式加速度计的设计和制备。设计的加速度计采用了三个共用同一玻璃衬底的大厚度差分电容式微结构 ,分别用于检测三个垂直方向的加速度。同时 ,对所设计的微结构从理论和数值上进行了详细的分析。用有限元分... 介绍了一种新型三轴全差分电容式加速度计的设计和制备。设计的加速度计采用了三个共用同一玻璃衬底的大厚度差分电容式微结构 ,分别用于检测三个垂直方向的加速度。同时 ,对所设计的微结构从理论和数值上进行了详细的分析。用有限元分析工具 ANSYS对器件进行了模拟 ,模拟结果显示出器件设计的合理性。最后 。 展开更多
关键词 三轴差分电容式硅微加速度计 偏轴灵敏度 有限元模拟 模态 压膜阻尼
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对数跳跃加法器的算法及结构设计 被引量：7
8
作者 贾嵩 刘飞 +2 位作者 刘凌 陈中建 吉利久 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1186-1189,共4页
本文介绍一种新型加法器结构———对数跳跃加法器 ,该结构结合进位跳跃加法器和树形超前进位加法器算法 ,将跳跃进位分组内的进位链改成二叉树形超前进位结构 ,组内的路径延迟同操作数长度呈对数关系 ,因而结合了传统进位跳跃结构面积... 本文介绍一种新型加法器结构———对数跳跃加法器 ,该结构结合进位跳跃加法器和树形超前进位加法器算法 ,将跳跃进位分组内的进位链改成二叉树形超前进位结构 ,组内的路径延迟同操作数长度呈对数关系 ,因而结合了传统进位跳跃结构面积小、功耗低的特点和ELM树形CLA在速度方面的优势 .在结构设计中应用Ling′s算法设计进位结合结构 ,在不增加关键路径延迟的前提下 ,将初始进位嵌入到进位链 .32位对数跳跃加法器的最大扇出为 5 ,关键路径为 8级逻辑门延迟 ,结构规整 ,易于集成 .spectre电路仿真结果表明 ,在 0 2 5 μmCMOS工艺下 ,32位加法器的关键路径延迟为 76 0ps,10 0MHz工作频率下功耗为 5 2mW . 展开更多
关键词 加法器 对数跳跃 结构设计 进位结合
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微夹钳研究的进展与展望 被引量：18
9
作者 张培玉 武国英 +1 位作者 郝一龙 李志军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2000年第3期292-296,共5页
微夹钳技术是微机械技术的重要内容之一。本文首先论述了微夹钳的应用背景，回顾了微夹钳技术研究的历史及现状；对目前国内外所研究的微夹钳进行了分类，并对其结构工艺与工作原理进行了分析；最后，对微夹钳技术的发展进行了展望。
关键词 微夹钳 微机电系统 微执行机构
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FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究 被引量：3
10
作者 罗宏伟 杨银堂 +2 位作者 朱樟明 解斌 王金延 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期174-176,181,共4页
分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因... 分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因.实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOXEEPROM性能的退化起主要作用. 展开更多
关键词 FLOTOX结构 EEPROM 可靠性 隧穿氧化层 退化 快闪存储器
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电容式微加速度计的研制 被引量：4
11
作者 谭宜勇 金桐 +2 位作者 苏卫国 赵新 卢桂章 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期585-588,共4页
以一个电容式微加速度计为设计实例来介绍了基于IP库MEMS设计的流程,其中主要包括四个部分:原理分析,结构设计,工艺流程和版图设计,封装及电路测试。首先根据需求设计出加速度计的基本结构;然后对该结构进行工艺流程和版图的设计;并利... 以一个电容式微加速度计为设计实例来介绍了基于IP库MEMS设计的流程,其中主要包括四个部分:原理分析,结构设计,工艺流程和版图设计,封装及电路测试。首先根据需求设计出加速度计的基本结构;然后对该结构进行工艺流程和版图的设计;并利用虚拟工艺来进行仿真和可加工性验证;得到的三维结构通过接口导出到FEM中进行数值分析;接着将数值分析的结果进行基于FEM的运动学建模;求解得到的运动规律,以宏模型的形式存入IP库中;与此同时,利用虚拟运行进行可视化行为级的仿真。 展开更多
关键词 MEMS 电容式微加速度计 虚拟工艺 虚拟运行
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原电池型高分子电解质三电极氢传感器的研究 被引量：5
12
作者 董汉鹏 张威 郝一龙 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期747-750,共4页
本文以高分子固体电解质为基础制备了三电极原电池型氢气传感器，详细考察了溅射镀膜法、化学镀膜法、铂黑模压法等不同的催化电极的制备方法，及相应传感器的性能．溅射法制备的铂催化电极活性最高，性能稳定，灵敏度达到模压法制备的... 本文以高分子固体电解质为基础制备了三电极原电池型氢气传感器，详细考察了溅射镀膜法、化学镀膜法、铂黑模压法等不同的催化电极的制备方法，及相应传感器的性能．溅射法制备的铂催化电极活性最高，性能稳定，灵敏度达到模压法制备的铂黑电极传感器的16倍，传感器在0～10^4ppm范围内输出电流与氢气浓度呈线性关系，灵敏度达到4μA／100ppm.化学镀膜法制备的铂电极性能不稳定． 展开更多
关键词 电化学传感器 氢气传感器 原电池 高分子电解质
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中国集成电路产业知识产权战略研究(Ⅰ)——重要性分析及其保护的演变 被引量：7
13
作者 丁伟 王永文 王阳元 《科技进步与对策》 CSSCI 北大核心 2007年第5期1-5,共5页
首先简单介绍了硅知识产权的定义与分类,然后从产业、细分产业和企业3个层次分析了知识产权对集成电路产业的重要性,并全面回顾了世界集成电路产业知识产权保护的演变历程。研究发现,自主知识产权是集成电路产业的核心竞争力,世界各国... 首先简单介绍了硅知识产权的定义与分类,然后从产业、细分产业和企业3个层次分析了知识产权对集成电路产业的重要性,并全面回顾了世界集成电路产业知识产权保护的演变历程。研究发现,自主知识产权是集成电路产业的核心竞争力,世界各国日益重视集成电路知识产权的建设和保护。 展开更多
关键词 集成电路产业 知识产权 核心竞争力
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离子注入PIN辐射探测器的测试分析 被引量：4
14
作者 陈鸿飞 邹积清 +3 位作者 田大宇 张太平 宁宝俊 张录 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期457-460,共4页
利用先进的微电子、微机械加工技术,研制了从300～1000μm共5种厚度的离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300 、450和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较.结果表明:北京大学研制的PIN... 利用先进的微电子、微机械加工技术,研制了从300～1000μm共5种厚度的离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300 、450和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较.结果表明:北京大学研制的PIN探测器具有当前国际先进水平.在平均25.7℃下,漏电流在14nA左右,噪声水平约为7.4 keV,能谱分辨率约为16.9 keV.由于噪声水平较ORTEC探测器低,说明还有提高能谱分辨率的余地. 展开更多
关键词 PIN辐射探测器 噪声 分辨率
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一个128×128 CMOS快照模式焦平面读出电路设计 被引量：2
15
作者 陈中建 李晓勇 +2 位作者 喻松林 韩建忠 吉利久 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1454-1457,共4页
本文介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路新结构———DCA(Direct injectionChargeAmpli fier)结构 .该结构像素电路仅用 4个MOS管 ,采用特殊的版图设计并用PMOS管做复位管 ,既可保证像素内存储电容足够大 ,又可避免复位电压... 本文介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路新结构———DCA(Direct injectionChargeAmpli fier)结构 .该结构像素电路仅用 4个MOS管 ,采用特殊的版图设计并用PMOS管做复位管 ,既可保证像素内存储电容足够大 ,又可避免复位电压的阈值损失 ,从而提高了读出电路的电荷处理能力 .由于像素电路非常简单 ,且该结构能有效消除列线寄生电容Cbus的影响 ,因此该结构非常适用于小像素、大规模的焦平面读出电路 .采用DCA结构和 1 2 μm双硅双铝 (DPDM Double PolyDouble Metal)标准CMOS工艺设计了一个 12 8× 12 8规模焦平面读出电路试验芯片 ,其像素尺寸为 5 0× 5 0 μm2 ,电荷处理能力达 11 2pC .本文详细介绍了该读出电路的体系结构、像素电路、探测器模型和工作时序 ,并给出了精确的HSPICE仿真结果和试验芯片测试结果 . 展开更多
关键词 快照模式 焦平面 读出电路 电子成像系统 CMOS电路
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WISHBONE IP核互联总线 被引量：2
16
作者 田泽 张怡浩 +2 位作者 于敦山 盛世敏 仇玉林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期28-31,共4页
介绍了一种新兴的SOC片上总线--WISHBONE。对总线的结构、连接方式、接口信号、数据传输方式及数据顺序作了详细说明,并总结了WISHBONE总线的技术特征。
关键词 SOC 片上总线 IP核 系统级设计 设计复用
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负载均衡自路由交换结构 被引量：3
17
作者 李挥 王秉睿 +4 位作者 黄佳庆 安辉耀 雷凯 伊鹏 汪斌强 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第5期1-8,共8页
为下一代网络提供服务质量保证的业务,提出了一种新颖的两级负载均衡多路径自路由交换结构。该结构的两级都使用一种多路径自路由结构。第一级通过简单的算法和少量缓存将输入端到达的数据流量均匀地派送到本级各输出端。第二级则通过... 为下一代网络提供服务质量保证的业务,提出了一种新颖的两级负载均衡多路径自路由交换结构。该结构的两级都使用一种多路径自路由结构。第一级通过简单的算法和少量缓存将输入端到达的数据流量均匀地派送到本级各输出端。第二级则通过自路由的方式将数据分组转发到其最终目的端口。数学分析和仿真证明,在理论研究常见的可容许(admissible)流量条件,该结构可以得到100%的吞吐率;在实际的统计可容许(statistical admissible)流量条件下,通过并行叠加机制可以得到100%的吞吐率。与其他结构相比,该结构无排队时延和抖动,硬件复杂性和传输时延也明显减小。 展开更多
关键词 集线器 负载均衡 自路由 交换结构
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PIN型辐射探测器的并联使用 被引量：3
18
作者 施伟红 陈鸿飞 +4 位作者 邹鸿 邹积清 田大宇 宁宝俊 张录 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期908-910,共3页
由于高能电子的穿透能力较强,需要采用较厚的探测器进行探测。在中巴合作资源卫星上的星内粒子探测器,以往采用的是锂漂移型探测器。由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点,我们在新一代仪器上采用了离子注入型PIN探测器。但是,PIN... 由于高能电子的穿透能力较强,需要采用较厚的探测器进行探测。在中巴合作资源卫星上的星内粒子探测器,以往采用的是锂漂移型探测器。由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点,我们在新一代仪器上采用了离子注入型PIN探测器。但是,PIN探测器厚度有限,因而采用并联方法。本文就PIN探测器的并联应用进行实验和分析,证明其可行性。 展开更多
关键词 空间高能电子探测 半导体探测器锂漂移探测器 PIN探测器
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超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制 被引量：2
19
作者 奚雪梅 张兴 +2 位作者 倪卫华 阎桂珍 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期44-46,共3页
利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出... 利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能 ,5V电源电压下单门延迟时间达到 92ps,同时可工作的电源电压范围较宽 ,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景 . 展开更多
关键词 CMOS/SOI 环振电路 集成电路
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平面工艺空间带电粒子探测器的研制 被引量：2
20
作者 谭继廉 靳根明 +16 位作者 段利敏 王宏伟 袁小华 卢子伟 张金霞 鲍志勒 王柱生 李存璠 宁宝俊 田大宇 王玮 张录 高萍 王月 王世金 朱光武 梁金宝 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期580-583,共4页
描述了用平面工艺+离子注入技术制备新型空间带电粒子探测器的工艺技术及器件的特性。探测器的灵敏层厚度为100、300、450和1000μm,灵敏面积为(?)8和(?)12mm等不同规格。在全耗尽偏压下,得到典型的反向漏电流范围为0.57-10.11nA,典型... 描述了用平面工艺+离子注入技术制备新型空间带电粒子探测器的工艺技术及器件的特性。探测器的灵敏层厚度为100、300、450和1000μm,灵敏面积为(?)8和(?)12mm等不同规格。在全耗尽偏压下,得到典型的反向漏电流范围为0.57-10.11nA,典型的能量分辨率为0.69%-0.86%(对241Amα粒子)。在60℃高温下,器件的性能变化在空间应用的允许范围之内。 展开更多
关键词 平面工艺 离子注入 空间 带电粒子 探测器
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