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纳米尺度超低漏电ESD电源钳位电路研究被引量：2: 1; 作者王源张雪琳 +3 位作者曹健陆光易贾嵩张钢刚《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期595-599,共5页; 提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路,能够减小MOS电容栅极–衬底之间电压差,降低电路的泄漏电流,抑制ESD泄放器件的亚阈值电流。65 nm CMOS工艺仿真结果表明,在电路正常上电时,泄漏电流只有... 展开更多; 关键词静电放电泄漏电流电源钳位电路亚阈值电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文): 2; 作者李哲吕垠轩 +1 位作者何燕冬张钢刚《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期637-641,共5页; 对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋... 展开更多; 关键词正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI MOSFET) 退化应力诱导漏电流(SILC); 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI高压器件热载流子退化研究(英文): 3; 作者韩临何燕冬张钢刚《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期632-636,共5页; 提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LD... 展开更多; 关键词高压横向扩散场效应晶体管多区域直流电压电流技术界面态热载流子退化; 在线阅读下载PDF 职称材料

适用于低电源电压的快速预充Flash灵敏放大器被引量：1: 4; 作者黄鹏王源 +2 位作者杜刚张钢刚康晋锋《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期600-604,共5页; 提出一种新型快速预充Flash灵敏放大器,能够实现在低电源电压下的快速工作。采用反相器反馈控制的预充电路模块,使得预充速度得以提升。还提出新型快速预充Flash灵敏放大器的改进型,进一步使用反相器构成参考电压发生电路,取消电流源模... 展开更多; 关键词快闪存储器灵敏放大器低压预充; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于北斗二代/GPS接收机的低功耗自动增益控制策略(英文): 5; 作者侯中原刘军华 +1 位作者廖怀林张兴《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期627-631,共5页; 提出一种用于北斗二代/GPS兼容系统的自动增益控制策略,并采用数模混合的结构实现55 dB增益控制范围及简单的反馈控制环路。此策略通过复用模数转换器的采样结果,自动调整电压控制增益放大器和数控增益放大器的增益。与传统自动增益放... 展开更多; 关键词低功耗自动增益控制北斗二代 GPS; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米尺度超低漏电ESD电源钳位电路研究被引量：2: 1; 作者王源张雪琳曹健陆光易贾嵩张钢刚; 机构北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期595-599,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606) 国家自然科学基金青年基金(61106101)资助; 文摘提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路,能够减小MOS电容栅极–衬底之间电压差,降低电路的泄漏电流,抑制ESD泄放器件的亚阈值电流。65 nm CMOS工艺仿真结果表明,在电路正常上电时,泄漏电流只有24.13 nA,比传统ESD电源钳位电路的5.42μA降低两个数量级。; 关键词静电放电泄漏电流电源钳位电路亚阈值电流; Keywords electrostatic discharge （ESD） leakage current ESD power clamp circuit sub-threshold current; 分类号 TN86 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文): 2; 作者李哲吕垠轩何燕冬张钢刚; 机构北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期637-641,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助; 文摘对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响。最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。; 关键词正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI MOSFET) 退化应力诱导漏电流(SILC); Keywords PBTI high-k gate dielectrics SOI MOSFET degradation SILC; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI高压器件热载流子退化研究(英文): 3; 作者韩临何燕冬张钢刚; 机构北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期632-636,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助; 文摘提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理。; 关键词高压横向扩散场效应晶体管多区域直流电压电流技术界面态热载流子退化; Keywords high voltage LDMOSFET MR-DCIV technique interface state hot carrier degradation; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名适用于低电源电压的快速预充Flash灵敏放大器被引量：1: 4; 作者黄鹏王源杜刚张钢刚康晋锋; 机构北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期600-604,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划(2010CB934203)资助; 文摘提出一种新型快速预充Flash灵敏放大器,能够实现在低电源电压下的快速工作。采用反相器反馈控制的预充电路模块,使得预充速度得以提升。还提出新型快速预充Flash灵敏放大器的改进型,进一步使用反相器构成参考电压发生电路,取消电流源模块,从而降低功耗。新型电路在速度和功耗上有较大改善,65 nm CMOS工艺条件下仿真结果表明,相比传统结构,新结构预充速度提高15%,功耗降低14%。; 关键词快闪存储器灵敏放大器低压预充; Keywords flash memory sense amplifier low-voltage pre-charge; 分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于北斗二代/GPS接收机的低功耗自动增益控制策略(英文): 5; 作者侯中原刘军华廖怀林张兴; 机构北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期627-631,共5页; 文摘提出一种用于北斗二代/GPS兼容系统的自动增益控制策略,并采用数模混合的结构实现55 dB增益控制范围及简单的反馈控制环路。此策略通过复用模数转换器的采样结果,自动调整电压控制增益放大器和数控增益放大器的增益。与传统自动增益放大器相比较,无需功率检测器或者检波器,大大降低了功耗水平。此增益控制策略在台积电0.18?m工艺下进行验证。测试结果显示其建立时间小于1 ms,仅消耗2 mA功耗,符合在北斗二代和GPS系统对自动增益控制电路的指标要求。; 关键词低功耗自动增益控制北斗二代 GPS; Keywords low power AGC BD-II GPS; 分类号 P228.4 [天文地球—大地测量学与测量工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	纳米尺度超低漏电ESD电源钳位电路研究	王源张雪琳曹健陆光易贾嵩张钢刚	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)	李哲吕垠轩何燕冬张钢刚	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	SOI高压器件热载流子退化研究(英文)	韩临何燕冬张钢刚	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	适用于低电源电压的快速预充Flash灵敏放大器	黄鹏王源杜刚张钢刚康晋锋	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	用于北斗二代/GPS接收机的低功耗自动增益控制策略(英文)	侯中原刘军华廖怀林张兴	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料