历史机遇和我国微电子发展之路 被引量：19

1

作者 王阳元 《中国集成电路》 2005年第3期30-38,共9页

关键词 微电子产业 中国 发展战略 集成电路 市场

在线阅读 下载PDF 职称材料

MEMS CAD系统IMEE的研究和开发 被引量：5

2

作者 张海霞 郭辉 +2 位作者 肖志勇 周荣春 郝一龙 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期92-95,共4页

IMEE是一个自主研发的MEMSCAD系统 ,它包括节结点化的系统设计功能、工艺编辑、设计和三维模拟功能、参数化版图单元的版图设计功能等。该系统的最大特点是以工艺为主线 ,贯穿整个设计过程 ,重点解决MEMS设计与工艺脱节的问题 ,实现MEM... IMEE是一个自主研发的MEMSCAD系统 ,它包括节结点化的系统设计功能、工艺编辑、设计和三维模拟功能、参数化版图单元的版图设计功能等。该系统的最大特点是以工艺为主线 ,贯穿整个设计过程 ,重点解决MEMS设计与工艺脱节的问题 ,实现MEMS工艺设计和在线模拟。另外 ,该系统是跨平台的 ,即适用于UNIX也适用于WINDOWS操作系统 ,对其他MEMSCAD软件具有很好的兼容性 ,还支持用户自主扩展其他功能模块。 展开更多

关键词 MEMS 微电子机械系统 CAD系统 IMEE 操作系统 MEMSCAD软件

在线阅读 下载PDF 职称材料

ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究 被引量：7

3

作者 王成伟 闫桂珍 朱泳 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期104-107,共4页

在高密度反应离子刻蚀技术中 ,存在明显的线宽损失 ,对小尺寸MEMS结构影响很大 ,将使MEMS器件灵敏度下降 ,稳定性降低。本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术 ,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4 F8,同时适当减小... 在高密度反应离子刻蚀技术中 ,存在明显的线宽损失 ,对小尺寸MEMS结构影响很大 ,将使MEMS器件灵敏度下降 ,稳定性降低。本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术 ,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4 F8,同时适当减小循环周期的刻蚀时间 ,使线宽损失由原来常规刻蚀工艺中的 15 5nm减少到 5 5nm。此项技术已经应用于MEMS陀螺的制造工艺中 。 展开更多

关键词 ICP 硅深槽刻蚀 线宽控制 离子刻蚀 MEMS结构 微机电系统

在线阅读 下载PDF 职称材料

微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状 被引量：7

4

作者 周荣春 张海霞 郝一龙 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期5-7,共3页

随着MEMS技术的不断发展 ,微加工工艺的仿真和模拟越来越受到人们的关注。简要介绍了国外干法刻蚀工艺模拟工具的发展情况 ,主要包括美国的SPEEDIE、日本的MORDERN和DEER。

关键词 干法刻蚀工艺 模拟工具 微加工工艺 MEMS 半导体加工

在线阅读 下载PDF 职称材料

MEMS中的封装技术研究 被引量：6

5

作者 石云波 刘俊 张文栋 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期235-237,共3页

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性 ,因此 ,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺。本文首先介绍了封装的主要形式 ,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1] 。

关键词 MEMS 封装技术 芯片级封装 半导体工艺 微电子

在线阅读 下载PDF 职称材料

高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究 被引量：3

6

作者 朱泳 闫桂珍 +1 位作者 王成伟 王阳元 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期113-115,共3页

体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 (宽约 3μm ,深 2 0～ 10 0μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的D... 体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 (宽约 3μm ,深 2 0～ 10 0μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的DRIE (DeepReactiveIonEtching)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术 ,形成了高深宽比的深电隔离槽 (宽 3.6 μm ,深 85μm)。还提出了一种改变深槽形状的方法 ,使深槽的开口变大 ,以利于多晶硅的填充 。 展开更多

关键词 高深宽比 深隔离槽 刻蚀技术 体硅集成MEMS器件 电隔离 微电子机械系统

在线阅读 下载PDF 职称材料

扭转微镜光学致动器研究 被引量：2

7

作者 吴文刚 栗大超 +4 位作者 袁勇 孙卫 阎桂珍 郝一龙 靳世久 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期410-414,共5页

应用基于表面硅、体硅微电子工艺的混合微加工技术研制了新型扭转微镜光学致动器 ,实现了致动器结构与具有光纤自固定、自对准功能的新型光纤定位保持结构的单片集成。新型扭转微镜光学致动器的机电和光学特性研究表明 ,其工作寿命超过 ... 应用基于表面硅、体硅微电子工艺的混合微加工技术研制了新型扭转微镜光学致动器 ,实现了致动器结构与具有光纤自固定、自对准功能的新型光纤定位保持结构的单片集成。新型扭转微镜光学致动器的机电和光学特性研究表明 ,其工作寿命超过 10 8次动作 ,最小动作时间估计可低于2ms ,存在驱动微镜自然地翻转 90°角的静电阈值电压和维持微镜处于已翻转 90°角状态的静电最低保持电压 ;其微镜的表面粗糙度及其分布基本满足光的波分复用技术等的应用要求。新型扭转微镜光学致动器可在光纤网络中作为光开关或可变光衰减器使用。设计、制作及研究了由新型扭转微镜光学致动器组成的 2× 展开更多

关键词 扭转微镜光学 致动器 光开关 光纤通信 结构设计

在线阅读 下载PDF 职称材料

深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管特性研究 被引量：2

8

作者 张慧 张利春 +1 位作者 高玉芝 金海岩 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期167-171,230,共6页

采用15nmNi/1.5nmPt/15nmNi/Si结构在600～850°C范围内经RTP退火的方法形成Ni(Pt)Si薄膜,其薄膜电阻低且均匀一致。比形成较低电阻率的NiSi薄膜的温度提高了150°C。在850°CRTP退火后形成的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管I-... 采用15nmNi/1.5nmPt/15nmNi/Si结构在600～850°C范围内经RTP退火的方法形成Ni(Pt)Si薄膜,其薄膜电阻低且均匀一致。比形成较低电阻率的NiSi薄膜的温度提高了150°C。在850°CRTP退火后形成的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管I-V特性很好,其势垒高度ΦB为0.71eV,改善了肖特基二极管的稳定性。实验表明在肖特基二极管中引入深槽结构,可以大幅度地提高其反向击穿电压。在外延层浓度为5E15cm-3时,深槽器件的击穿电压可以达到80V,比保护环器件高约30V。 展开更多

关键词 肖特基二极管 镍硅 镍(铂)硅 深槽

在线阅读 下载PDF 职称材料

多晶硅集成高温压力传感器研究 被引量：2

9

作者 张威 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1736-1738,共3页

高温压力传感器因其特殊的应用环境而日益受到人们的重视 .一些特殊的材料如SiC、SOI等可以用来制作高温压力传感器 ,但是由于成本较高或加工难度大等原因 ,尚未得到广泛应用 .本文提出了一种新型的高温压力传感器 ,采用多晶硅作为压敏... 高温压力传感器因其特殊的应用环境而日益受到人们的重视 .一些特殊的材料如SiC、SOI等可以用来制作高温压力传感器 ,但是由于成本较高或加工难度大等原因 ,尚未得到广泛应用 .本文提出了一种新型的高温压力传感器 ,采用多晶硅作为压敏电阻 ,同时采用新的工艺措施与全耗尽CMOS放大电路集成在一起 ,将输出电压转换为 0～ +5V的输出信号 .通过模拟与投片实验 ,得到了优化的多晶硅注入浓度 ,从而使其压阻温度系数在 - 4 0℃～ 180℃范围内接近于零 . 展开更多

关键词 集成 CMOS 多晶硅 压力传感器

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种基于PVDF的微型热释电发电机研究 被引量：1

10

作者 赵江铭 邱国林 张海霞 《郑州大学学报（工学版）》 CAS 北大核心 2016年第6期34-37,共4页

依据聚偏氟乙烯(PVDF)薄膜的热释电效应,设计了一种新型的微型热释电发电机.介绍了该发电机的基本结构和工作原理,完成了该发电机的相关实验,并采用有限元方法对该发电机在不同温度差下的输出特性进行了分析.实验结果表明,该发电机的输... 依据聚偏氟乙烯(PVDF)薄膜的热释电效应,设计了一种新型的微型热释电发电机.介绍了该发电机的基本结构和工作原理,完成了该发电机的相关实验,并采用有限元方法对该发电机在不同温度差下的输出特性进行了分析.实验结果表明,该发电机的输出电压随匹配电阻的增大而增大,而输出电流反之,并且在20℃和40℃温差下最大瞬时输出功率分别为208μW和475μW.仿真结果表明,随温差的增大,温度随时间的变化率也会增大,并且在20℃和40℃温差下相应的开路电压为689 V和1 380V,通过实验论证了该发电机可以作为能量采集的有效手段. 展开更多

关键词 聚偏氟乙烯(PVDF) 热释电效应 微型发电机

在线阅读 下载PDF 职称材料

RF MEMS器件的研究及其应用前景 被引量：2

11

作者 缪旻 武国英 《电子产品世界》 2003年第05A期37-40,共4页

本文对微机械电容、微机械电感、微机械谐振器/滤波器、微机械传输线、微机械天线阵列和微机械开关等RF MEMS器件的特点、研究现状及其在射频收发模块中的应用进行了综述,并展望了它们未来的发展趋势。

关键词 RF MEMS器件 射频装置 发展趋势 微机械电容 微机械电感 微机械传输线 微机械天线阵列

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于Logical Effort理论的集成电路延迟优化工具的研究

12

作者 何燕冬 许铭真 谭长华 《中国集成电路》 2005年第5期37-39,共3页

本文介绍了一种基于LogicalEffort理论研发的集成电路延迟优化工具,该工具综合考虑了互联引线的影响,通过计算比较不同的逻辑结构延迟来确定最佳的电路结构,同时提供逻辑门的最佳晶体管尺寸。我们以六种不同电路为设计实例,在90纳米设... 本文介绍了一种基于LogicalEffort理论研发的集成电路延迟优化工具,该工具综合考虑了互联引线的影响,通过计算比较不同的逻辑结构延迟来确定最佳的电路结构,同时提供逻辑门的最佳晶体管尺寸。我们以六种不同电路为设计实例,在90纳米设计中与SPICE模拟结果进行了比较,其误差在5%以内。鉴于该方法不依赖于版图级寄生参数信息的特点,我们认为该工具可以提供在电路设计的早期对延迟的可信评估,非常适用于快速CMOS电路设计构架的遴选。 展开更多

关键词 Logical EFFORT 集成电路 延迟优化 互联引线 CMOS

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅DRIE刻蚀工艺模拟研究 被引量：4

13

作者 朱福运 于民 +1 位作者 金玉丰 张海霞 《中国电子科学研究院学报》 2011年第1期28-30,35,共4页

随着现代科技的发展,人们对微系统的小型化、高性能、多功能、低功耗和低成本的要求越来越高,基于硅通孔技术技术的三维系统封装技术(3D SiP,three dimensional dystem in packaging)愈发显现出其重要的研究价值。硅通孔技术将集成电路... 随着现代科技的发展,人们对微系统的小型化、高性能、多功能、低功耗和低成本的要求越来越高,基于硅通孔技术技术的三维系统封装技术(3D SiP,three dimensional dystem in packaging)愈发显现出其重要的研究价值。硅通孔技术将集成电路垂直堆叠,在更小的面积上大幅地提升芯片性能并增加芯片功能。为帮助工艺人员更好地开展硅通孔技术工艺实验,开展了硅通孔技术关键工艺深反应离子刻蚀工艺模拟研究工作及开展这一工作所采用的物理模型和模拟方法,并将模拟结果与实验结果进行了对比。 展开更多

关键词 硅通孔技术 深反应离子刻蚀 工艺模拟

在线阅读 下载PDF 职称材料

高速桶式移位器的设计研究 被引量：3

14

作者 宣传忠 周林杰 贾嵩 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第1期42-44,共3页

文章基于传统的部分译码桶式移位器,对其关键路径进行了改进,根据移位的特点,引进了一种逆序变换方法以达到数据路径与控制路径的平衡,并据此提出了一种折叠式的电路结构以减少连线延迟和面积,改进后BS的关键路径由一级三输入与非门和... 文章基于传统的部分译码桶式移位器,对其关键路径进行了改进,根据移位的特点,引进了一种逆序变换方法以达到数据路径与控制路径的平衡,并据此提出了一种折叠式的电路结构以减少连线延迟和面积,改进后BS的关键路径由一级三输入与非门和一级缓冲器组成,实现高速桶式移位器设计。用SMIC0.13!m/1.2V工艺仿真结果显示新结构的桶式移位器的关键路径延迟为0.5ns,比传统结构延迟时间缩短了38%。 展开更多

关键词 桶式移位器 路径平衡 逆序变换 折叠式结构

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究 被引量：1

15

作者 刘雪松 闫桂珍 +1 位作者 郝一龙 张海霞 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期238-240,248,共4页

MEMS器件大都含有可动的硅结构 ,在器件加工过程中 ,特别是在封装过程中极易受损 ,大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后 ,加上一层封盖保护 ,可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保... MEMS器件大都含有可动的硅结构 ,在器件加工过程中 ,特别是在封装过程中极易受损 ,大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后 ,加上一层封盖保护 ,可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保护的金 硅键合新结构 ,实验证明此方法简单实用 ,效果良好。该技术与器件制造工艺兼容 ,键合温度低 ,有足够的键合强度 ,不损坏器件结构 ,实现了MEMS器件的芯片级封装。 展开更多

关键词 MEMS器件 芯片级封装 金-硅键合技术 制造工艺 微电子机械系统

在线阅读 下载PDF 职称材料

SiGe衬底离子注入模拟研究

16

作者 李强 乔颖 +4 位作者 杨杰 于民 王金延 黄如 张兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期273-275,279,共4页

运用分子动力学的研究方法,通过对Si1-xGex衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si1-xGex衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及Si1-xGex衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证... 运用分子动力学的研究方法,通过对Si1-xGex衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si1-xGex衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及Si1-xGex衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证。在此基础上,针对不同组分的Si1-xGex衬底进行了离子注入模拟,模拟了Ge组分的变化对于Si1-xGex衬底离子注入的影响。 展开更多

关键词 锗硅 离子注入 分子动力学 模拟

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅条形探测器条间距优化的模拟研究

17

作者 刘宏智 杨兵 +4 位作者 于民 王少南 胡安琪 石宝华 杨昉东 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期934-937,925,共5页

由于硅条形粒子探测器目前广泛应用于高能物理、物品检测和核医学成像等方面,其形状参数对工作特性的影响也愈发引人关注。采用半导体器件的仿真软件Sentaurus TCAD模拟研究了给定探测条宽度的硅条形探测器相邻探测条的间距变量对探测... 由于硅条形粒子探测器目前广泛应用于高能物理、物品检测和核医学成像等方面,其形状参数对工作特性的影响也愈发引人关注。采用半导体器件的仿真软件Sentaurus TCAD模拟研究了给定探测条宽度的硅条形探测器相邻探测条的间距变量对探测器工作性能的影响,其模拟结果表明较小的间距可以减小体内电场强度和体内漏电流,有助于提高探测器的电学性能。 展开更多

关键词 硅条形探测器 电场强度 漏电流 仿真

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于二氯代环二聚体的微电极阵列芯片兔眼脉络膜上腔植入术的实验研究

18

作者 刘广峰 于伟泓 +4 位作者 杨志坤 董方田 王任鑫 王玮 李志宏 《眼科新进展》 CAS 北大核心 2010年第4期318-321,共4页

目的探讨基于二氯代环二聚体的微电极阵列(microelectrode array,MEA)芯片兔眼脉络膜上腔植入的手术方法及并发症和该芯片的组织相容性。方法12只健康成年青紫兰兔,左眼为术眼,右眼为对照眼,于鼻下方角膜缘后6.0mm处切开巩膜,暴露脉络膜... 目的探讨基于二氯代环二聚体的微电极阵列(microelectrode array,MEA)芯片兔眼脉络膜上腔植入的手术方法及并发症和该芯片的组织相容性。方法12只健康成年青紫兰兔,左眼为术眼,右眼为对照眼,于鼻下方角膜缘后6.0mm处切开巩膜,暴露脉络膜,将MEA芯片放置于兔眼脉络膜上腔,术后3d、14d、1个月时用裂隙灯显微镜观察眼前节情况,用间接检眼镜观察玻璃体、视网膜及芯片情况,用OCT进行眼底扫描及眼底照相。结果12眼均成功植入MEA芯片,其中1眼发生脉络膜、视网膜破裂,缝合切口后在另一眼植入芯片;5眼在术中发生脉络膜出血,待出血停止后再切除血块继续手术;2眼发生芯片前端折叠,取出芯片展平后重新植入。术后眼底检查、OCT检查及组织病理学检查发现芯片位置稳定,未见明显的视网膜、脉络膜损伤。结论兔眼脉络膜上腔MEA芯片植入术是一种安全有效的MEA芯片植入方式,二氯代环二聚体MEA芯片组织相容性良好。 展开更多

关键词 脉络膜上腔电极 微电极阵列芯片 视网膜假体

在线阅读 下载PDF 职称材料

比例差值谱技术在微尺度器件可靠性研究中的最新应用

19

作者 纪志罡 许铭真 谭长华 《中国集成电路》 2006年第1期65-70,共6页

本文应用比例差分(PDO,ProportionalDifferenceOperator)技术提出了一种新的表征微尺度MOS器件负偏置温度不稳定性(NegativeBiasTemperatureInstability,NBTI)的实验方法。和传统方法相比,这种新方法可以避免恢复效应对NBTI表征的影响... 本文应用比例差分(PDO,ProportionalDifferenceOperator)技术提出了一种新的表征微尺度MOS器件负偏置温度不稳定性(NegativeBiasTemperatureInstability,NBTI)的实验方法。和传统方法相比,这种新方法可以避免恢复效应对NBTI表征的影响。使用该方法,本文研究了不同直流应力电压和应力温度对NBTI退化的影响。 展开更多

关键词 MOS器件 微尺度 谱技术 可靠性研究 应用 比例 差值 NBTI 不稳定性 BIAS

在线阅读 下载PDF 职称材料

MEMS动态测试技术 被引量：6

20

作者 栗大超 冯亚林 +4 位作者 傅星 胡晓东 靳世久 郝一龙 胡小唐 《微纳电子技术》 CAS 2005年第4期188-194,共7页

阐述了基于频闪成像、计算机视觉和干涉测量的MEMS动态测试技术、基于激光多普勒测振的MEMS动态测试技术以及基于其他原理和方法的MEMS动态测试技术等的测试原理、测试方法与研究现状,指出了MEMS动态测试技术进一步的研究方向。

关键词 微机电系统 动态测试 频闪成像 计算机视觉 干涉测量 激光多普勒

在线阅读 下载PDF 职称材料