高性能金属铟镓锌氧化物TFT的研究 被引量：10

1

作者 刘翔 张盛东 +3 位作者 薛建设 宁策 杨静 王刚 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期130-133,共4页

在2.5 G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5 V,开态电流为1.58×10-4 A,关态电流为3.0×10-12,开关比为5.27×107,亚阈值摆幅为0.44V... 在2.5 G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5 V,开态电流为1.58×10-4 A,关态电流为3.0×10-12,开关比为5.27×107,亚阈值摆幅为0.44V/Dev,验证了TFT的均一性和重复性。此外还研究了可见光照和电压偏应力对IGZO TFT性能的影响,可见光照不会促使IGZO TFT Vth的漂移,进行2 h的负偏电压应力测试,IGZO TFT的Vth几乎没有漂移。使用上述IGZO TFT基板成功地制作了中国大陆第一款Oxide-LCD样机(18.5英寸),展现出良好的效果。 展开更多

关键词 金属氧化物薄膜晶体管 铟镓锌氧化物半导体 高迁移率 高性能

在线阅读 下载PDF 职称材料

微机械陀螺冲击特性及可靠性研究 被引量：5

2

作者 何春华 赵前程 +2 位作者 杨振川 张大成 闫桂珍 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期643-648,共6页

为了深入掌握微机械陀螺的冲击响应特性,本文进行了详细的理论推导和MATLAB仿真分析,并进行了测试验证。冲击试验结果表明,理论分析和试验结果基本一致,考虑最坏情况可知,当脉宽对应的冲击频率与陀螺固有频率越接近,并且陀螺品质因子和... 为了深入掌握微机械陀螺的冲击响应特性,本文进行了详细的理论推导和MATLAB仿真分析,并进行了测试验证。冲击试验结果表明,理论分析和试验结果基本一致,考虑最坏情况可知,当脉宽对应的冲击频率与陀螺固有频率越接近,并且陀螺品质因子和冲击加速度幅值越大时,则冲击带来的影响就越大,梁越容易发生断裂失效。因此要使MEMS陀螺具有较强的抗冲击能力,必须综合优化设计陀螺的真空度和固有频率。 展开更多

关键词 微机械陀螺 冲击可靠性 响应模型 冲击特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

纳米尺度超低漏电ESD电源钳位电路研究 被引量：2

3

作者 王源 张雪琳 +3 位作者 曹健 陆光易 贾嵩 张钢刚 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期595-599,共5页

提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路,能够减小MOS电容栅极–衬底之间电压差,降低电路的泄漏电流,抑制ESD泄放器件的亚阈值电流。65 nm CMOS工艺仿真结果表明,在电路正常上电时,泄漏电流只有... 提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路,能够减小MOS电容栅极–衬底之间电压差,降低电路的泄漏电流,抑制ESD泄放器件的亚阈值电流。65 nm CMOS工艺仿真结果表明,在电路正常上电时,泄漏电流只有24.13 nA,比传统ESD电源钳位电路的5.42μA降低两个数量级。 展开更多

关键词 静电放电 泄漏电流 电源钳位电路 亚阈值电流

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于FPGA与DLP的体三维显示系统设计方法与研究 被引量：3

4

作者 曹健 焦海 +1 位作者 王源 张兴 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期605-610,共6页

提出一种基于FPGA和DLP的旋转体三维图像生成系统的设计方法。该方法使用FPGA搭建成像处理单元,对图像抖动与图层叠加算法处理后的合成图像视频流进行传输控制。视频流经SD卡存储控制单元、DDR2高速内存控制单元、像素帧处理和HDMI高清... 提出一种基于FPGA和DLP的旋转体三维图像生成系统的设计方法。该方法使用FPGA搭建成像处理单元,对图像抖动与图层叠加算法处理后的合成图像视频流进行传输控制。视频流经SD卡存储控制单元、DDR2高速内存控制单元、像素帧处理和HDMI高清图像发送模块,由DLP投影仪内的图像处理单元进行解码,并将解码后的数字信号转化为光信号,投射到高速旋转接收屏。该方法可使观测者在不佩戴3D眼镜的情况下,从高速旋转屏中观看到物体多角度的三维空间立体图像。 展开更多

关键词 FPGA DLP 软硬件协同 多角度图像生成系统

在线阅读 下载PDF 职称材料

MEMS应用中的TiN薄膜工艺研究 被引量：7

5

作者 杨梅 舒琼 陈兢 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1448-1450,1454,共4页

运用反应射频溅射的方法进行了TiN薄膜的制备,通过改变关键工艺参数,如氩气氮气比、气体压力等,研究工艺参数对TiN薄膜特性的影响.论文还研究了不同退火工艺条件对薄膜应力的影响,可以实现薄膜低温退火.论文还对TiN的刻蚀和抗腐蚀特性... 运用反应射频溅射的方法进行了TiN薄膜的制备,通过改变关键工艺参数,如氩气氮气比、气体压力等,研究工艺参数对TiN薄膜特性的影响.论文还研究了不同退火工艺条件对薄膜应力的影响,可以实现薄膜低温退火.论文还对TiN的刻蚀和抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法对TiN的刻蚀情况,得出常温下TiN具有良好的抗腐蚀特性,并得到干法和湿法刻蚀速率.为TiN材料的MEMS应用打下了基础. 展开更多

关键词 TIN 溅射 应力 退火

在线阅读 下载PDF 职称材料

多晶硅集成高温压力传感器研究 被引量：2

6

作者 张威 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1736-1738,共3页

高温压力传感器因其特殊的应用环境而日益受到人们的重视 .一些特殊的材料如SiC、SOI等可以用来制作高温压力传感器 ,但是由于成本较高或加工难度大等原因 ,尚未得到广泛应用 .本文提出了一种新型的高温压力传感器 ,采用多晶硅作为压敏... 高温压力传感器因其特殊的应用环境而日益受到人们的重视 .一些特殊的材料如SiC、SOI等可以用来制作高温压力传感器 ,但是由于成本较高或加工难度大等原因 ,尚未得到广泛应用 .本文提出了一种新型的高温压力传感器 ,采用多晶硅作为压敏电阻 ,同时采用新的工艺措施与全耗尽CMOS放大电路集成在一起 ,将输出电压转换为 0～ +5V的输出信号 .通过模拟与投片实验 ,得到了优化的多晶硅注入浓度 ,从而使其压阻温度系数在 - 4 0℃～ 180℃范围内接近于零 . 展开更多

关键词 集成 CMOS 多晶硅 压力传感器

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种基于PVDF的微型热释电发电机研究 被引量：1

7

作者 赵江铭 邱国林 张海霞 《郑州大学学报（工学版）》 CAS 北大核心 2016年第6期34-37,共4页

依据聚偏氟乙烯(PVDF)薄膜的热释电效应,设计了一种新型的微型热释电发电机.介绍了该发电机的基本结构和工作原理,完成了该发电机的相关实验,并采用有限元方法对该发电机在不同温度差下的输出特性进行了分析.实验结果表明,该发电机的输... 依据聚偏氟乙烯(PVDF)薄膜的热释电效应,设计了一种新型的微型热释电发电机.介绍了该发电机的基本结构和工作原理,完成了该发电机的相关实验,并采用有限元方法对该发电机在不同温度差下的输出特性进行了分析.实验结果表明,该发电机的输出电压随匹配电阻的增大而增大,而输出电流反之,并且在20℃和40℃温差下最大瞬时输出功率分别为208μW和475μW.仿真结果表明,随温差的增大,温度随时间的变化率也会增大,并且在20℃和40℃温差下相应的开路电压为689 V和1 380V,通过实验论证了该发电机可以作为能量采集的有效手段. 展开更多

关键词 聚偏氟乙烯(PVDF) 热释电效应 微型发电机

在线阅读 下载PDF 职称材料

多晶金薄膜电子-声子耦合

8

作者 马维刚 王海东 +1 位作者 张兴 王玮 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期48-53,共6页

随着电子器件和高频雷达等的尺寸减小、工作频率提高及飞秒激光超快加工的广泛应用,金属中的电子-声子耦合都成为重要的影响因素。对于尺寸效应会不会增强多晶金属薄膜的电子-声子耦合仍然存在争议。本文采用飞秒激光背面泵浦-表面探测... 随着电子器件和高频雷达等的尺寸减小、工作频率提高及飞秒激光超快加工的广泛应用,金属中的电子-声子耦合都成为重要的影响因素。对于尺寸效应会不会增强多晶金属薄膜的电子-声子耦合仍然存在争议。本文采用飞秒激光背面泵浦-表面探测热反射方法,对不同厚度金薄膜中的电子-声子耦合过程进行了实验研究。研究结果表明薄膜中的电子-声子耦合和体材料基本相同,并且不随薄膜厚度及晶粒尺寸发生变化。通过对表面和晶界对电子-声子耦合的机理分析发现,在多晶薄膜中电子弛豫通过电子-声子、电子-晶界及电子-表面耦合实现,但是电子与晶界及表面的耦合作用远比和声子的耦合弱,因此多晶薄膜的电子-声子耦合过程和体材料相近,且不随薄膜厚度发生变化。 展开更多

关键词 电子-声子耦合 金薄膜 泵浦-探测热反射 飞秒激光

在线阅读 下载PDF 职称材料

微机械陀螺封装应力研究 被引量：4

9

作者 李亚山 闫俊杰 +1 位作者 刘俊 石云波 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2011年第4期25-27,30,共4页

针对设计的微机械陀螺开展了封装应力影响的研究。在对陀螺封装影响进行理论计算分析的基础上,进行了有限元仿真分析,并分析了温度变化引起的不同结构梁的谐振频率的变化,结果表明:在封装应力的影响下,陀螺的谐振频率与温度存在线性关系... 针对设计的微机械陀螺开展了封装应力影响的研究。在对陀螺封装影响进行理论计算分析的基础上,进行了有限元仿真分析,并分析了温度变化引起的不同结构梁的谐振频率的变化,结果表明:在封装应力的影响下,陀螺的谐振频率与温度存在线性关系,不同梁结构的线性增减是不同的,基底材料和粘胶的热膨胀系数与杨氏模量是影响谐振频率变化的因素。 展开更多

关键词 陀螺 封装应力 有限元分析 谐振频率 温度

在线阅读 下载PDF 职称材料

石墨烯场效应晶体管的光响应特性研究 被引量：3

10

作者 魏子钧 王志刚 +5 位作者 李晨 郭剑 任黎明 张朝晖 傅云义 黄如 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期704-708,共5页

采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管,并研究其光电响应特性。结果表明,当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时,可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应,可以改变光电流的大小和方向。在背... 采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管,并研究其光电响应特性。结果表明,当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时,可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应,可以改变光电流的大小和方向。在背栅调控下,光电流出现饱和现象,石墨烯晶体管的光响应度最大达到46.5μA/W,可用于构建基于石墨烯的新型光探测器。 展开更多

关键词 石墨烯场效应晶体管 光电响应 背栅调制

在线阅读 下载PDF 职称材料

SiN_x和SiC材料的红外吸收特性研究 被引量：2

11

作者 王欣 于晓梅 田大宇 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1778-1780,1784,共4页

采用LPCVD和PECVD技术制作了不同厚度的SiNx和SiC材料样品,使用傅立叶变换红外光谱仪对其进行了红外吸收特性测试,并通过离子注入的方式对其红外吸收特性进行调节.实验结果表明:LPCVDSiNx材料在8~14μm波段存在吸收峰,而PECVDSiNx和SiC... 采用LPCVD和PECVD技术制作了不同厚度的SiNx和SiC材料样品,使用傅立叶变换红外光谱仪对其进行了红外吸收特性测试,并通过离子注入的方式对其红外吸收特性进行调节.实验结果表明:LPCVDSiNx材料在8~14μm波段存在吸收峰,而PECVDSiNx和SiC材料在3μm^5μm波段和8~14μm波段存在吸收峰.随着材料厚度的增加,吸收度也增加,1μm厚的LPCVDSiNx,红外吸收度可以达到0.92.离子注入可改变材料的红外吸收能力. 展开更多

关键词 红外 LPCVD PECVD 离子注入

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于MEMS集成加热器的温控系统研究 被引量：1

12

作者 江少波 苏卫国 +2 位作者 万松 邓康发 张威 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期623-626,共4页

采用MEMS集成加热器设计一个温控系统。所用的加热器效率达到7.35 mm2K/mW,且功耗低。加热器面积为6 mm×6 mm,具有较高的系统集成度。该温控系统采用Fuzzy-PID温度控制算法,温度稳态误差小于0.1°C,并且约10秒即达到稳态,响应... 采用MEMS集成加热器设计一个温控系统。所用的加热器效率达到7.35 mm2K/mW,且功耗低。加热器面积为6 mm×6 mm,具有较高的系统集成度。该温控系统采用Fuzzy-PID温度控制算法,温度稳态误差小于0.1°C,并且约10秒即达到稳态,响应速度快。使用该系统对MEMS压力计进行环境温控,可明显抑制器件的温度漂移。 展开更多

关键词 MEMS传感器 温度漂移 集成度 FUZZY-PID控制

在线阅读 下载PDF 职称材料

SiGe衬底离子注入模拟研究

13

作者 李强 乔颖 +4 位作者 杨杰 于民 王金延 黄如 张兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期273-275,279,共4页

运用分子动力学的研究方法,通过对Si1-xGex衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si1-xGex衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及Si1-xGex衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证... 运用分子动力学的研究方法,通过对Si1-xGex衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si1-xGex衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及Si1-xGex衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证。在此基础上,针对不同组分的Si1-xGex衬底进行了离子注入模拟,模拟了Ge组分的变化对于Si1-xGex衬底离子注入的影响。 展开更多

关键词 锗硅 离子注入 分子动力学 模拟

在线阅读 下载PDF 职称材料

高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)

14

作者 李哲 吕垠轩 +1 位作者 何燕冬 张钢刚 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期637-641,共5页

对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋... 对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响。最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。 展开更多

关键词 正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质 绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI MOSFET) 退化 应力诱导漏电流(SILC)

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅条形探测器条间距优化的模拟研究

15

作者 刘宏智 杨兵 +4 位作者 于民 王少南 胡安琪 石宝华 杨昉东 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期934-937,925,共5页

由于硅条形粒子探测器目前广泛应用于高能物理、物品检测和核医学成像等方面,其形状参数对工作特性的影响也愈发引人关注。采用半导体器件的仿真软件Sentaurus TCAD模拟研究了给定探测条宽度的硅条形探测器相邻探测条的间距变量对探测... 由于硅条形粒子探测器目前广泛应用于高能物理、物品检测和核医学成像等方面,其形状参数对工作特性的影响也愈发引人关注。采用半导体器件的仿真软件Sentaurus TCAD模拟研究了给定探测条宽度的硅条形探测器相邻探测条的间距变量对探测器工作性能的影响,其模拟结果表明较小的间距可以减小体内电场强度和体内漏电流,有助于提高探测器的电学性能。 展开更多

关键词 硅条形探测器 电场强度 漏电流 仿真

在线阅读 下载PDF 职称材料

兔眼脉络膜上腔多通道微电极阵列植入后视网膜电刺激阈值的研究

16

作者 刘广峰 于伟泓 +5 位作者 郑霖 杨志坤 董方田 王任鑫 王玮 李志宏 《眼科研究》 CSCD 北大核心 2010年第5期395-399,共5页

目的研究兔眼脉络膜上腔多通道微电极阵列芯片植入术后,电刺激视网膜诱发的中枢电诱发电位(EEP)的阈值。方法将多通道刺激电极(二氯代环二聚体为基底,铂电极)植入9只青紫蓝兔左眼后极部的脉络膜上腔,将铂丝制成的参比电极置于玻璃体腔,... 目的研究兔眼脉络膜上腔多通道微电极阵列芯片植入术后,电刺激视网膜诱发的中枢电诱发电位(EEP)的阈值。方法将多通道刺激电极(二氯代环二聚体为基底,铂电极)植入9只青紫蓝兔左眼后极部的脉络膜上腔,将铂丝制成的参比电极置于玻璃体腔,硬膜外放置记录电极。刺激电极采用双向刺激的方式发出电刺激,在中枢记录EEP。测量产生EEP的阈值,连续记录30次取其平均值。实验结束后处死动物取出眼球行组织学检查。应用检眼镜和OCT检查评价多通道微电极阵列芯片植入和清除后对兔眼组织的安全性。结果多通道微电极阵列芯片成功植入9只实验兔眼的脉络膜上腔。当脉络膜上腔刺激电极发出电刺激后,可以在硬脑膜外的记录电极处记录到EEP,阈值为(107.14±17.14)nC,(68.20±10.91)μC/cm。光学显微镜下显示视网膜结构完整,刺激电极附近无明显的组织结构的破坏。检眼镜及OCT检查显示相应的脉络膜组织与邻近组织间连接紧密。结论置于脉络膜上腔的电极发出的电刺激可以有效地诱发出EEP,且其阈值较低;脉络膜上腔是较理想的视网膜假体放置部位。 展开更多

关键词 视觉假体 微电极阵列 脉络膜上腔电极 电诱发电位 阈值

在线阅读 下载PDF 职称材料

SOI高压器件热载流子退化研究(英文)

17

作者 韩临 何燕冬 张钢刚 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期632-636,共5页

提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LD... 提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理。 展开更多

关键词 高压横向扩散场效应晶体管 多区域直流电压电流技术 界面态 热载流子退化

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于二氯代环二聚体的微电极阵列芯片兔眼脉络膜上腔植入术的实验研究

18

作者 刘广峰 于伟泓 +4 位作者 杨志坤 董方田 王任鑫 王玮 李志宏 《眼科新进展》 CAS 北大核心 2010年第4期318-321,共4页

目的探讨基于二氯代环二聚体的微电极阵列(microelectrode array,MEA)芯片兔眼脉络膜上腔植入的手术方法及并发症和该芯片的组织相容性。方法12只健康成年青紫兰兔,左眼为术眼,右眼为对照眼,于鼻下方角膜缘后6.0mm处切开巩膜,暴露脉络膜... 目的探讨基于二氯代环二聚体的微电极阵列(microelectrode array,MEA)芯片兔眼脉络膜上腔植入的手术方法及并发症和该芯片的组织相容性。方法12只健康成年青紫兰兔,左眼为术眼,右眼为对照眼,于鼻下方角膜缘后6.0mm处切开巩膜,暴露脉络膜,将MEA芯片放置于兔眼脉络膜上腔,术后3d、14d、1个月时用裂隙灯显微镜观察眼前节情况,用间接检眼镜观察玻璃体、视网膜及芯片情况,用OCT进行眼底扫描及眼底照相。结果12眼均成功植入MEA芯片,其中1眼发生脉络膜、视网膜破裂,缝合切口后在另一眼植入芯片;5眼在术中发生脉络膜出血,待出血停止后再切除血块继续手术;2眼发生芯片前端折叠,取出芯片展平后重新植入。术后眼底检查、OCT检查及组织病理学检查发现芯片位置稳定,未见明显的视网膜、脉络膜损伤。结论兔眼脉络膜上腔MEA芯片植入术是一种安全有效的MEA芯片植入方式,二氯代环二聚体MEA芯片组织相容性良好。 展开更多

关键词 脉络膜上腔电极 微电极阵列芯片 视网膜假体

在线阅读 下载PDF 职称材料

真空封装MEMS陀螺高温老化失效机理研究

19

作者 谷专元 何春华 +3 位作者 陈俊光 赵前程 张大成 闫桂珍 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1637-1642,共6页

为了快速掌握真空封装MEMS陀螺老化失效机理,陀螺进行125℃高温加速实验,并对不同时间节点下的陀螺关键性能进行参数提取。分析结果表明,由于高温老化导致MEMS陀螺内部材料放气、疲劳和应力释放,从而改变品质因子和初始检测电容,最终导... 为了快速掌握真空封装MEMS陀螺老化失效机理,陀螺进行125℃高温加速实验,并对不同时间节点下的陀螺关键性能进行参数提取。分析结果表明,由于高温老化导致MEMS陀螺内部材料放气、疲劳和应力释放,从而改变品质因子和初始检测电容,最终导致陀螺的零偏、角随机游走系数、零偏稳定性、标度因子等关键性能的严重退化。在工程实际中有一定的参考价值。 展开更多

关键词 微机械陀螺 老化 真空封装 失效机理

在线阅读 下载PDF 职称材料

微机械陀螺振动失效机理及可靠性设计研究 被引量：4

20

作者 何春华 赵前程 +2 位作者 杨振川 张大成 闫桂珍 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期809-814,共6页

高加速极限试验可快速暴露MEMS陀螺的缺陷和薄弱环节,针对复合环境应力试验的陀螺失效品,开展了详细的失效定位和机理分析,推导了引线的振动响应特性和固有模态,并提出了引线的抗振设计方法。仿真和实验结果表明,引线固有频率的理论推... 高加速极限试验可快速暴露MEMS陀螺的缺陷和薄弱环节,针对复合环境应力试验的陀螺失效品,开展了详细的失效定位和机理分析,推导了引线的振动响应特性和固有模态,并提出了引线的抗振设计方法。仿真和实验结果表明,引线固有频率的理论推导模型比较精确,通过缩短引线长度可有效提高引线的固有频率和降低振动应力,从而增强其抗振能力。优化设计后陀螺可耐受频率为0~10 kHz、总均方根为30 gn的加速度随机振动。 展开更多

关键词 微机械陀螺 振动可靠性 响应特性 抗振设计

在线阅读 下载PDF 职称材料