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历史机遇和我国微电子发展之路 被引量:19
1
作者 王阳元 《中国集成电路》 2005年第3期30-38,共9页
关键词 微电子产业 中国 发展战略 集成电路 市场
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MEMS动态测试技术 被引量:6
2
作者 栗大超 冯亚林 +4 位作者 傅星 胡晓东 靳世久 郝一龙 胡小唐 《微纳电子技术》 CAS 2005年第4期188-194,共7页
阐述了基于频闪成像、计算机视觉和干涉测量的MEMS动态测试技术、基于激光多普勒测振的MEMS动态测试技术以及基于其他原理和方法的MEMS动态测试技术等的测试原理、测试方法与研究现状,指出了MEMS动态测试技术进一步的研究方向。
关键词 微机电系统 动态测试 频闪成像 计算机视觉 干涉测量 激光多普勒
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MEMS CAD系统IMEE的研究和开发 被引量:5
3
作者 张海霞 郭辉 +2 位作者 肖志勇 周荣春 郝一龙 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期92-95,共4页
IMEE是一个自主研发的MEMSCAD系统 ,它包括节结点化的系统设计功能、工艺编辑、设计和三维模拟功能、参数化版图单元的版图设计功能等。该系统的最大特点是以工艺为主线 ,贯穿整个设计过程 ,重点解决MEMS设计与工艺脱节的问题 ,实现MEM... IMEE是一个自主研发的MEMSCAD系统 ,它包括节结点化的系统设计功能、工艺编辑、设计和三维模拟功能、参数化版图单元的版图设计功能等。该系统的最大特点是以工艺为主线 ,贯穿整个设计过程 ,重点解决MEMS设计与工艺脱节的问题 ,实现MEMS工艺设计和在线模拟。另外 ,该系统是跨平台的 ,即适用于UNIX也适用于WINDOWS操作系统 ,对其他MEMSCAD软件具有很好的兼容性 ,还支持用户自主扩展其他功能模块。 展开更多
关键词 MEMS 微电子机械系统 CAD系统 IMEE 操作系统 MEMSCAD软件
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基于谐振原理的硅微机械加速度计 被引量:9
4
作者 贾玉斌 郝一龙 +1 位作者 钟莹 张嵘 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期271-273,共3页
基于力学振动原理 ,导出敏感梁类谐振振动的微分方程 ,给出了振梁型加速度计的设计原理。指出了加速度计谐振梁频率的相对变化量与梁的厚度无关 ;为避免输出非线性频率信号 。
关键词 谐振原理 硅微机械加速度计 类谐振器 非线性频率 激励振动 谐振传感器
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一种基于简单移位的二——十进制相互转换算法 被引量:15
5
作者 王迎春 吉利久 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期221-224,共4页
十进制码 (BCD)与二进制代码相互转换的问题的研究 ,主要偏重于软件实现 .本文基于数制变换的基本原理 ,提出了移位为基础的、适合硬件实现的转换算法 .并根据该算法 ,构造了 6 3位二进制与十进制代码的转换器 .同时 ,对该算法又进行了... 十进制码 (BCD)与二进制代码相互转换的问题的研究 ,主要偏重于软件实现 .本文基于数制变换的基本原理 ,提出了移位为基础的、适合硬件实现的转换算法 .并根据该算法 ,构造了 6 3位二进制与十进制代码的转换器 .同时 ,对该算法又进行了扩充 ,提出基 2 r 移位的算法 ,进一步提高性能 .从性能的比较可以看出 ,该算法速度高 ,逻辑简单 ,非常适合实时性要求较强的嵌入式领域应用 . 展开更多
关键词 十进制码 二进制 转换 N值逻辑 M值逻辑 进制
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金属剥离与衬底腐蚀等平面自对准OHR技术研究 被引量:6
6
作者 闫桂珍 张大成 +1 位作者 李婷 王颖 《微纳电子技术》 CAS 2002年第1期40-43,共4页
开发了一套OHR(OverhangResist)技术。在原来剥离工艺的基础上,增加苯处理和高温烘烤工艺,使光刻胶掩膜既保持有利于剥离的形状,腐蚀时又不发生钻蚀,完成自对准腐蚀与等平面的金属剥离。这一技术可以广泛地应用于MEMS和集成电路加工工艺... 开发了一套OHR(OverhangResist)技术。在原来剥离工艺的基础上,增加苯处理和高温烘烤工艺,使光刻胶掩膜既保持有利于剥离的形状,腐蚀时又不发生钻蚀,完成自对准腐蚀与等平面的金属剥离。这一技术可以广泛地应用于MEMS和集成电路加工工艺中,使器件工艺简化,降低成本,提高质量。 展开更多
关键词 金属剥离 衬底腐蚀 OHR技术 微电子
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ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究 被引量:7
7
作者 王成伟 闫桂珍 朱泳 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期104-107,共4页
在高密度反应离子刻蚀技术中 ,存在明显的线宽损失 ,对小尺寸MEMS结构影响很大 ,将使MEMS器件灵敏度下降 ,稳定性降低。本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术 ,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4 F8,同时适当减小... 在高密度反应离子刻蚀技术中 ,存在明显的线宽损失 ,对小尺寸MEMS结构影响很大 ,将使MEMS器件灵敏度下降 ,稳定性降低。本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术 ,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4 F8,同时适当减小循环周期的刻蚀时间 ,使线宽损失由原来常规刻蚀工艺中的 15 5nm减少到 5 5nm。此项技术已经应用于MEMS陀螺的制造工艺中 。 展开更多
关键词 ICP 硅深槽刻蚀 线宽控制 离子刻蚀 MEMS结构 微机电系统
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微米尺度下键合强度的评价方法和测试结构 被引量:5
8
作者 阮勇 贺学锋 +1 位作者 张大成 王阳元 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2005年第8期110-113,共4页
在MEMS器件的设计与加工过程中,键合技术是体硅工艺的一项关键技术。由于MEMS器件的特点,其键合的面积通常是在微米到毫米量级内,传统测试键合强度的方法不再适用,该尺度下键合强度的测试与评价成为MEMS工艺测试的难点之一。文章提出了... 在MEMS器件的设计与加工过程中,键合技术是体硅工艺的一项关键技术。由于MEMS器件的特点,其键合的面积通常是在微米到毫米量级内,传统测试键合强度的方法不再适用,该尺度下键合强度的测试与评价成为MEMS工艺测试的难点之一。文章提出了一种新型的测试结构,对面积为微米量级下键合的最大抗扭强度进行了测试。实验设计一系列的单晶硅悬臂梁结构测试键合面积在微米量级时的最大剪切力,键合面为常用的正方形,其边长从6μm到120μm,计算得出的剪力与采用实体单元有限元分析结果计算出的作用力相对误差为4.9%,这一误差在工程中是可以接受的。实验得出最大剪切扭矩和相应的键合面积的曲线。MEMS器件的设计人员可以根据结论曲线,针对所需的抗扭强度设计相应的键合面积。 展开更多
关键词 MEMS 阳极键合 键合强度 剪切力 硅深刻蚀 感应耦合等离子体 抗扭强度
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CMOS电路参数的统计优化设计 被引量:3
9
作者 甘学温 冯小敏 +2 位作者 肖志广 杜刚 李佑斌 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期126-128,共3页
本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对CMOS集成电路参数进行统计优化设计的方法,分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响,建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型,并用模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小... 本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对CMOS集成电路参数进行统计优化设计的方法,分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响,建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型,并用模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小的优化工艺条件. 展开更多
关键词 实验设计 工艺因数 阈值电压 优化设计 CMOS IC
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MEMS中的封装技术研究 被引量:6
10
作者 石云波 刘俊 张文栋 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期235-237,共3页
MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性 ,因此 ,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺。本文首先介绍了封装的主要形式 ,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1] 。
关键词 MEMS 封装技术 芯片级封装 半导体工艺 微电子
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微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状 被引量:7
11
作者 周荣春 张海霞 郝一龙 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期5-7,共3页
随着MEMS技术的不断发展 ,微加工工艺的仿真和模拟越来越受到人们的关注。简要介绍了国外干法刻蚀工艺模拟工具的发展情况 ,主要包括美国的SPEEDIE、日本的MORDERN和DEER。
关键词 干法刻蚀工艺 模拟工具 微加工工艺 MEMS 半导体加工
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一种Au-Si键合强度检测结构与试验 被引量:3
12
作者 王翔 李婷 +3 位作者 王玮 王颖 田大宇 张大成 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期110-112,共3页
设计了一种Au Si键合强度检测结构。通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测 ,可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度 ;采用同一结构尺寸 ,可以比较不同条件下键合强度的相对大小 ;此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测... 设计了一种Au Si键合强度检测结构。通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测 ,可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度 ;采用同一结构尺寸 ,可以比较不同条件下键合强度的相对大小 ;此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测试。通过压臂法检测了Au Si键合强度 。 展开更多
关键词 Au-Si键合 强度检测 共晶键合 芯片
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MEMS隧道加速度计的系统分析与设计 被引量:6
13
作者 董海峰 贾玉斌 郝一龙 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期295-297,共3页
主要论述了一种新型体硅工艺MEMS隧道加速度计的系统分析与设计 ,对加速度计敏感头与伺服反馈电路组成的系统进行系统建模 ,其中包含了结构的模型和反馈控制电路的模型。以系统模型作为基础 ,分析了器件工作所必须的条件 ,对器件的结构... 主要论述了一种新型体硅工艺MEMS隧道加速度计的系统分析与设计 ,对加速度计敏感头与伺服反馈电路组成的系统进行系统建模 ,其中包含了结构的模型和反馈控制电路的模型。以系统模型作为基础 ,分析了器件工作所必须的条件 ,对器件的结构参数和反馈控制电路的参数进行了设计 ,并给出了系统的静态与动态输出。另外 ,本文提出了参数敏感度因子的概念及其计算方法 ,利用这种方法可以对每一个参数计算其对应的敏感因子 。 展开更多
关键词 MEMS 隧道加速度计 系统分析 设计 微机电系统 隧道原理
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基于硅微加工技术的新型变形反射镜 被引量:3
14
作者 余洪斌 陈海清 +2 位作者 张大成 竺子民 李婷 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期825-829,共5页
 给出了一种基于硅微加工技术的新型变形反射镜的设计和加工方法。变形反射镜镜面主体是由一定厚度的硅膜构成,硅膜上表面溅射有一层Ti/Au,背面有一7×7阵列的台柱与之相连,台柱下方是对应的驱动电极。当给电极施加电压时,产生的...  给出了一种基于硅微加工技术的新型变形反射镜的设计和加工方法。变形反射镜镜面主体是由一定厚度的硅膜构成,硅膜上表面溅射有一层Ti/Au,背面有一7×7阵列的台柱与之相连,台柱下方是对应的驱动电极。当给电极施加电压时,产生的静电力就会拉动台柱向下运动,从而使相应的镜面部分发生变形;通过控制通电电极的位置及电压,就可获得特定的镜面形状。在变形反射镜的加工工序中采用浅腐蚀形成键合台,采用深腐蚀加工出台柱。并采用<110>条补偿图形对台柱的凸角进行补偿,在0.2MPa气压下进行键合,最后成功研制出有效反射面积为30mm×30mm,拥有49个静电驱动单元的变形反射镜。 展开更多
关键词 变形反射镜 体微加工 静电驱动 凸角补偿 阳极键合
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一种用于RF MEMS移相器及开关可变电容的复合微桥膜结构 被引量:2
15
作者 缪旻 肖志勇 +2 位作者 武国英 金玉丰 郝一龙 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期371-374,共4页
提出了一种基于微机械工艺的新型复合微桥膜结构 ,由低应力SiN/SiO2 (0 .5 μm/5 0nm )及Cr/Au(30nm/1μm)构成。相应的工艺流程较为简单。对影响其特性的因素进行了理论分析 ,并提出了 3种桥膜的平面结构 ;利用静电 /力耦合有限元法分... 提出了一种基于微机械工艺的新型复合微桥膜结构 ,由低应力SiN/SiO2 (0 .5 μm/5 0nm )及Cr/Au(30nm/1μm)构成。相应的工艺流程较为简单。对影响其特性的因素进行了理论分析 ,并提出了 3种桥膜的平面结构 ;利用静电 /力耦合有限元法分析了各种结构的静电驱动特性以及各阶模态 ,结果得到了令人满意的驱动和机械性能 ;通过有限元高频仿真软件对桥膜结构与共面波导形成的可调电容结构进行了分析 ,结果表明其具有良好的射频 /微波性能。该桥膜结构适用于RFMEMS开关。 展开更多
关键词 微电子机械系统 射频MEMS 移相器 开关 可变电容 复合微桥膜 微桥结构
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多层高深宽比Si深台阶刻蚀方法 被引量:2
16
作者 刘鹏 张大成 +3 位作者 李婷 罗葵 田大宇 李静 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第12期755-757,763,共4页
通过干法刻蚀,在Si衬底上制备出高深宽比的台阶结构是MEMS加工的基础工艺之一。多层台阶的刻蚀,是一种重要的折线断面制备方法,使实现结构更加复杂的器件成为可能。利用LPCVD生长1μm厚SiO2作为钝化层,围绕多层台阶掩膜的制备方法和移... 通过干法刻蚀,在Si衬底上制备出高深宽比的台阶结构是MEMS加工的基础工艺之一。多层台阶的刻蚀,是一种重要的折线断面制备方法,使实现结构更加复杂的器件成为可能。利用LPCVD生长1μm厚SiO2作为钝化层,围绕多层台阶掩膜的制备方法和移除方法展开实验,以3层台阶为例,开发出一套使用一块光刻版制造任意宽度的台阶掩膜的方法。该方法节约成本、操作简便、重复性好,为加工复杂的三维结构提供了一种新的手段。另外,针对在深刻蚀过程中残留的掩膜会破坏Si台阶完整性的问题,研究了刻蚀过程中SiO2掩膜的去除方法对台阶的表面形貌造成的影响。通过实验发现,采用干湿腐蚀结合的方法可以有效地去除台阶掩膜,获得良好的Si深台阶结构。 展开更多
关键词 三维刻蚀 反应离子刻蚀 湿法刻蚀 高深宽比 聚合物
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高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究 被引量:3
17
作者 朱泳 闫桂珍 +1 位作者 王成伟 王阳元 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期113-115,共3页
体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 (宽约 3μm ,深 2 0~ 10 0μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的D... 体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 (宽约 3μm ,深 2 0~ 10 0μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的DRIE (DeepReactiveIonEtching)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术 ,形成了高深宽比的深电隔离槽 (宽 3.6 μm ,深 85μm)。还提出了一种改变深槽形状的方法 ,使深槽的开口变大 ,以利于多晶硅的填充 。 展开更多
关键词 高深宽比 深隔离槽 刻蚀技术 体硅集成MEMS器件 电隔离 微电子机械系统
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薄膜SOI/CMOS的SPICE电路模拟 被引量:2
18
作者 王阳元 奚雪梅 +2 位作者 甘学温 程玉华 李映雪 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期88-93,共6页
鉴于SPICE是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序,且具有可扩展模型的灵活性,我们通过修改SPICE源程序把新器件模型──SOIMOSFET模型移植入SPICE中,通过我们的模拟工作,证实了我们模型的正确性和电路实... 鉴于SPICE是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序,且具有可扩展模型的灵活性,我们通过修改SPICE源程序把新器件模型──SOIMOSFET模型移植入SPICE中,通过我们的模拟工作,证实了我们模型的正确性和电路实用性,分析了器件参数对SOI/CMOS电路速度的影响,这些结论可以很好地指导电路设计和工艺实践. 展开更多
关键词 薄膜电路 SOI CMOS电路 SPICE电路
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热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征 被引量:2
19
作者 何进 张兴 +1 位作者 黄如 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期252-254,共3页
本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究 .正向栅控二极管技术简单、准确 ,可以直接测得热载流子诱生的平均界面陷阱密度 ,从而表征器件的抗热载流子特性 .实验结果表明 :通过体接触方式测得的MOSFE... 本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究 .正向栅控二极管技术简单、准确 ,可以直接测得热载流子诱生的平均界面陷阱密度 ,从而表征器件的抗热载流子特性 .实验结果表明 :通过体接触方式测得的MOSFET/SOI栅控二极管R G电流峰可以直接给出诱生的界面陷阱密度 .抽取出来的热载流子诱生界面陷阱密度与累积应力时间呈幂指数关系 ,指数因子约为 0 展开更多
关键词 热载流子 应力效应 界面陷阱 正向栅控二级管 MOSFET/SOI
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场限环结构电压和边界峰值电场分布及环间距优化 被引量:8
20
作者 何进 张兴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期164-169,共6页
采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论。以单场限环为例 ,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式。讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电... 采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论。以单场限环为例 ,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式。讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电压的影响 ,并用流行的 2 -D半导体器件模拟工具 MEDICI对解析计算进行了验证。根据临界电场击穿近似 ,讨论了环间距的优化设计并给出了优化环间距表达式。在一定结深和掺杂浓度时 。 展开更多
关键词 场限环 击穿电压 边界峰值电场 环间距 功率集成电路
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