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一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计
1
作者
张瀚尊
贾嵩
+1 位作者
杨建成
王源
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期815-822,共8页
为了降低静态随机存储器(SRAM)的动态功耗,提出一种基于位线电荷循环的读写辅助电路的SRAM阵列。与传统设计性比,辅助电路中转和保存了在读写操作中本该被直接泄放掉的位线电荷,并重新用于下一个周期的位线充电。提出的SRAM存储器采用标...
为了降低静态随机存储器(SRAM)的动态功耗,提出一种基于位线电荷循环的读写辅助电路的SRAM阵列。与传统设计性比,辅助电路中转和保存了在读写操作中本该被直接泄放掉的位线电荷,并重新用于下一个周期的位线充电。提出的SRAM存储器采用标准14 nm FinFET spice模型搭建,电源供电电压为0.8 V。仿真结果表明,与传统设计相比,提出的存储阵列的功耗可以降低23%~43%,并将SNM和WNM至少提高25%和647.9%。
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关键词
SRAM
位线电荷循环
读写辅助
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职称材料
题名
一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计
1
作者
张瀚尊
贾嵩
杨建成
王源
机构
北京大学
微电子
学研究所
北京大学微电子器件与电路重点实验室
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期815-822,共8页
文摘
为了降低静态随机存储器(SRAM)的动态功耗,提出一种基于位线电荷循环的读写辅助电路的SRAM阵列。与传统设计性比,辅助电路中转和保存了在读写操作中本该被直接泄放掉的位线电荷,并重新用于下一个周期的位线充电。提出的SRAM存储器采用标准14 nm FinFET spice模型搭建,电源供电电压为0.8 V。仿真结果表明,与传统设计相比,提出的存储阵列的功耗可以降低23%~43%,并将SNM和WNM至少提高25%和647.9%。
关键词
SRAM
位线电荷循环
读写辅助
Keywords
SRAM
bitline charge cycling
read and write assist
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计
张瀚尊
贾嵩
杨建成
王源
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
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